Charge conduction and breakdown mechanisms in self-assembled nanodielectrics

Journal of the American Chemical Society

Volumn 131, Issue 20, 2009, Pages 7158-7168

  Dibenedetto, Sara A ^a   Facchetti, Antonio ^a   Ratner, Mark A ^a   Marks, Tobin J ^a  

^a NORTHWESTERN UNIVERSITY   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

AMERICAN CHEMICAL SOCIETY; APPLIED VOLTAGES; BARRIER FUNCTIONS; BREAKDOWN MECHANISM; CHARGE CONDUCTION; CONJUGATED SYSTEMS; CURRENT LEAKAGE; EFFECTIVE CAPACITANCE; ENHANCED PERFORMANCE; GATE-LEAKAGE CURRENT; HIGH DIELECTRIC CONSTANTS; HOPPING TRANSPORT; INJECTED ELECTRONS; NANODIELECTRICS; ONE-FACTOR; OPERATING VOLTAGE; ORGANIC THIN FILM TRANSISTORS; ORGANOSILANES; PERFORMANCE IMPROVEMENTS; POOLE-FRENKEL; SCHOTTKY; SELF-ASSEMBLED; SUBSTRATE SURFACE; SURFACE PASSIVATION; TEMPERATURE RANGE; TRANSPORT CHARACTERISTICS; TUNNELING BARRIER; TYPE II;

CURRENT VOLTAGE CHARACTERISTICS; DIELECTRIC MATERIALS; FILM PREPARATION; GATES (TRANSISTOR); LEAKAGE CURRENTS; MIS DEVICES; MOS CAPACITORS; ORGANIC POLYMERS; PASSIVATION; SAND; SELF ASSEMBLED MONOLAYERS; SILANES; SWITCHING CIRCUITS; THIN FILM TRANSISTORS; THIN FILMS; TUNNELING (EXCAVATION); WIND TUNNELS;

GATE DIELECTRICS;

SELF ASSEMBLED MONOLAYER;

ARTICLE; DEGRADATION KINETICS; DIELECTRIC CONSTANT; ELECTRIC CAPACITANCE; ELECTRIC POTENTIAL; ELECTRODE; HIGH TEMPERATURE PROCEDURES; INSULATOR ELEMENT; LOW TEMPERATURE PROCEDURES;

EID: 70349161229     PISSN: 00027863     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1021/ja9013166     Document Type: Article

References (153)

1. Depas, M.; Van Meirhaeghe, R. L.; Laflere, W. H.; Cardon, F. SolidState Electron. 1994, 37, 433-441.
2. Boulas, C. Davidovits, J. V.; Rondelez, F.; Vuillaume, D. V. Microelect. Eng. 1995, 1995, 217-220.
3. Osada, M.; Ebina, Y.; Funakubo, H.; Yokoyama, S.; Kiguchi, T.; Takada, K.; Sasaki, T. Adv. Mater. 2006, 18, 1023-1027.
4. Bohr, M. T.; Chau, R. S.; Ghani, T.; Mistry, K. IEEE Spect. 2007, 10, 29.
5. Hu, H.; Zhu, C. Lu, Y. F.; Li, M. F.; Cho, B. J.; Choi, W. K. IEEE Elec. Dev.Lett 2002, 23, 514.
6. O'Connor, E.; Long, R. D.; Cherkaoui, K.; Thomas, K. K.; Chalvet, F.; Povey, I. M.; Pemble, M. E.; Hurley, P. K.; Brennan, B.; Hughes, G.; Newcomb, S. B. Appl.Phys. Lett. 2008, 92, 022902.
7. Cherkaoui, K.; Monaghan, S.; Negara, M. A.; Modreanu, M.; Hurley, P. K.; O'Connell, D.; McDonnell, S.; Wright, S. B., R. C. Bailey, P.; Noakes, T. C.Q. J. Appl. Phys. 2008, 104, 064113.
8. Kitamura, M.; Arakawa, Y. J. Phys.: Condens. Matter 2008, 20, 184011.
9. Allard, S.; Forster, M.; Souharce, B.; Thiem, H.; Scherf, U. Angew. Chem., Int. Ed. 2008, 47, 4070.
10. Di, C.-A.;Yu, G.; Liu, Y.; Zhu, D. J. Phys. Chem. B 2007, 111, 14083.
11. Facchetti, A. Mater. Today 2007, 10, 28.
12. Zaumseil, J.; Sirringhaus, H. Chem. Rev. 2007, 107, 1296.
13. Newman, C.R.; Frisbie, C.D.; Filho, D. A. d. S.; Bredas, J.-L.; Ewbank, P. C.;Mann, K. R. Chem. Mater. 2004, 16, 4436.
14. Dimitrakopoulos, C.D.; Malenfant, P. R. L. Adv. Mater. 2002, 14, 99.
15. Sagiv, J. J. Am. Chem. Soc. 1980, 10, 92.
16. Ulman, A. An Introduction to Ultrathin Organic Films from Langmuir-Blodgett to Self-Assembly; Academic Press: San Diego, 1991.
17. Poirier, G. E.; Pylant, E. D. Science 1996, 272, 1145.
18. Schreiber, F. J. Phys.: Condens. Matter 2004, 16, R881.
19. Love, J. C.;Wolfe, D. B.; Haasch, R.; Chabinyc, M. L.; Paul, K. E.; Whitesides, G. M.; Nuzzo, R. G. J. Am. Chem. Soc. 2003, 125, 2597.
20. Aswal, D. K.; Lenfant, S.; Guerin, D.; Yakhmi, J. V.; Vuillaume, D. Anal. Chim.Acta 2006, 568, 84.
21. Rusu, P. C.;Giovannetti, G.; Brocks, G. J. Phys. Chem. C 2007, 111, 14448.
22. Laibinis, P. E.; Whitesides, G. M.; Allara, D. L.; Tao, Y. T.; Parikh, A. N.; Nuzzo, R. G. J. Am. Chem. Soc. 1991, 113, 7152.
23. Weiss, E. A.; Chiechi, R. C.;Kaufman, G. K.; Kriebel, J. K.; Li, Z.; Duati, M.; Rampi, M. A.; Whitesides, G. M. J. Am. Chem. Soc.2007, 129, 4336.
24. Shaporenko, A.; Ulman, A.; Zharnikov, M. J. Phys. Chem. B 2005, 109, 3898.
25. Hoque, E.; DeRose, J. A.; Houriet, R.; Hoffmann, P.; Mathieu, H. J. Chem. Mater. 2007, 19, 798.
26. Jennings, G. K.; Yong, T.-H.; Munro, J. C.;Laibinis, P. E. J. Am. Chem. Soc. 2003, 125, 2950.
27. Vollmer, S.; Witte, G.; Woell, C.Langmuir 2001, 17, 7560.
28. Stapleton, J. J.; Daniel, T. A.; Uppili, S.; Cabarcos, O. M.; Naciri, J.; Shashidhar, R.; Allara, D. L. Langmuir 2005, 21, 11061.
29. Noguchi, H.; Ito, M.; Uosaki, K. Chem. Lett. 2005, 34, 950.
30. Lee, S.; Park, J.; Ragan, R.; Kim, S. H.; Lee, Z.; Lim, D. K.; Ohlberg, D. A. A.; Williams, R. S. J. Am. Chem. Soc. 2006, 128, 5745.
31. Haensch, C.;Ott, C.;Hoeppener, S.; Schubert, U. S. Langmuir 2008, 24, 10222.
32. Cui, J.; Huang, Q.; Veinot, J. C.G.; Yan, H.; Wang, Q.; Hutchison, G. R.; Richter, A. G.; Evmenenko, G.; Dutta, P.; Marks, T. J. Langmuir 2002, 18, 9958.
33. Li, J.; Lui, J.; Evmenenko, G. A.; Dutta, P.; Marks, T. J. Langmuir 2008, 24, 5755.
34. Yoon, M.-H.; Facchetti, A.; Marks, T. J. Proc. Natl. Acad. Sci.2005, 102, 4678.
35. Razeghi, M. IEEE J. Sel. Top. Quant. Electron. 2000, 6, 1344.
36. McGuiness, C. L.; Blasini, D.; Masejewski, J. P.; Uppili, S.; Cabarcos, O. M.; Smilgies, D.; Allara, D. L. Am. Chem. Soc. Nano 2007, 1, 30.
37. Lin, H. C.;Ye, P. D.; Xuan, Y.; Facchetti, A.; Marks, T. J. Appl. Phys. Lett. 2006, 89, 142101.
38. Lee, K.; Lu, G.; Facchetti, A.; Janes, D. B.; Marks, T. J. Appl. Phys. Lett. 2008, 92, 123509.
39. Ratner, M. A.; Davis, B.; Kemp, M.; Mujica, V.; Roitberg, A.; Yaliraki, S. In Molecular Electronics; Aviram, A., Ratner, M. A., Eds.; New York Academy of Sciences: New York, 1998; Vol.852.
40. Wang, W.; Lee, T.; Reed, M. A. J. Phys. Chem. B 2006, 108, 18398.
41. McCreery, R. L. Chem. Mater. 2004, 16, 4477.
42. Bock, C.;Pham, D. V.; Kunze, U.; Kafer, D.; Witte, G.; Woll, C. J. Appl.Phys. 2006, 100, 114517.
43. Kim, B.; Beebe, J. M.; Jun, Y.; Zhu, X.-Y.; Frisbie, C.D. J. Am. Chem. Soc. 2006, 128, 4970.
44. Wang, W.; Takhee, L.; Reed, M. A. Phys. Rev. B 2003, 68, 035416.
45. Salomon, A.; Cahen, D.; Lindsay, S.; Tomfohr, J.; Engelkes, V. B.; Frisbie, C.D. Adv. Mater. 2003, 15, 1881.
46. James, D. K.; Tour, J. M. Chem. Mater. 2004, 16, 4423.
47. Akkerman, H. B.; de Boer, B. J. Phys.: Condens. Matter 2008, 20, 013001.
48. Wold, D. J.; Haag, R.; Rampi, M. A.; Frisbie, C.D. J. Phys. Chem. B 2002, 106, 2813.
49. Miramond, C.;Vuillaume, D. J. Appl. Phys. 2004, 96, 1529.
50. Kera, S.; Yabuuchi, Y.; Yamane, H.; Setoyama, H.; Okudaira, K. K.; Kahn, A.; Ueno, N. Phys. Rev. B 2004, 70, 085304.
51. Scott, A.; Janes, D. B.; Risko, C.;Ratner, M. A. Appl. Phys. Lett. 2007, 91, 033508.
52. Haick, H.; Ambrico, M.; Ligonzo, T.; Tung, R. T.; Cahen, D. J. Am. Chem. Soc. 2006, 128, 6854.
53. Ray, S. G.; Cohen, H.; Naaman, R.; Liu, H.; Waldeck, D. H. J. Phys. Chem. B 2005, 109, 14064.
54. Kobayashi, S.; Nishikawa, T.; Takenobu, T.; Mori, S.; Shimoda, T.; Mitani, T.; Shimotani, H.; Yoshimoto, N.; Ogawa, S.; Iwasa, A. Nat. Mater. 2004, 3, 317.
55. Heimel, G.; Romaner, L.; Zojer, E.; Bredas, J.-L. Nano Lett. 2007, 7, 932.
56. Huang, C.;Katz, H. E.; West, J. E. Langmuir 2007, 23, 13223.
57. Gershewitz, O.; Grinstein, M.; Sukenik, C. N.; Regev, K.; Ghabboun, J.; Cahen, D. J. Phys. Chem. B 2004, 108, 664.
58. Lenfant, S.; Guerin, D.; Tran Van, F.; Chevrot, C.;Palacin, S.; Bourgoin, J. P.; Bouloussa, O.; Rondelez, F.; Vuillaume, D. J. Phys. Chem. B 2006, 110, 13947.
59. Peor, N.; Sfez, R.; Yitzchaik, S. J. Am. Chem. Soc. 2008, 130, 4158.
60. Cohen, R.; Kronik, L.; Shanzer, A.; Cahen, D.; Liu, A.; Rosenwaks, Y.; Lorenz, J. K.; Ellis, A. B. J. Am. Chem. Soc 1999, 121, 10545.
61. Ganzorig, C.;Kwak, K.-K.; Yagi, K.; Fujihira, M. Appl.Phys. Lett. 2001, 79, 272.
62. de Boer, B.; Handipour, A.; Mandoc, M. M.; van Woundenbergh, T.; Blom, P. W. M. Adv. Mater. 2005, 17, 621.
63. Demirkan, K.; Matthew, A.; Weiland, C.;Yao, Y.; Rawlett, A. M.; Tour, J. M.; Opila, R. L. J. Chem. Phys. 2008, 128, 074705.
64. Katz, H. E.; Johnson, J.; Lovinger, A. J.; Li, W. J. Am. Chem. Soc. 2000, 122, 7787.
65. Vazquez, H.; Gao, W.; Flores, F.; Kahn, A. Phys. Rev. B Rapid Commun 2005, 71, 041306.
66. Ishii, H.; Sugiyama, K.; Ito, E.; Seki, K. Adv. Mater. 1999, 11, 605.
67. Holmlin, R. E.; Haag, R.; Chabinyc, M. L.; Ismagilov, R. F.; Cohen, A. E.; Terfort, A.; Rampi, M. A.; Whitesides, G. M. J. Am. Chem. Soc. 2001, 123, 5075.
68. Tran, E.; Duati, M.; Ferri, V.; Müllen, K.; Zharnikov, M.; Whitesides, G. M.; Rampi, M. A. Adv. Mater. 2006, 18, 1323.
69. Boulas, C.;Davidovits, J. V.; Rondelez, F.; Vuillaume, D. Phys. Rev. Lett. 1996, 76, 4797.
70. Selzer, Y.; Salomon, A.; Cahen, D. J. Phys. Chem. B 2002, 106, 10432.
71. Gu, Y.; Akhremitchev, B.; Walker, G. C.;Waldeck, D. H. J. Phys. Chem. B 1999, 103, 5220.
72. Chauhan, A. K.; Aswal, D. K.; Koiry, S. P.; Gupta, S. K.; Yakjmi, J. V.; Suergers, C.;Guerin, D.; Lenfant, S.; Vuillaume, D. Appl.Phys. A: Mater. Sci. Proc. 2008, 90, 581.
73. DiBenedetto, S. A.; Facchetti, A.; Ratner, M. A.; Marks, T. J. Adv. Mater. 2009, 21, 1407.
74. Salomon, A.; Shapaisman, H.; Seitz, O.; Boecking, T.; Cahen, D. J. Phys. Chem. C 2008, 112, 3969.
75. Kalakodimi, R. P.; Nowak, A. M.; McCreery, R. L. Chem. Mater. 2005, 17, 4939.
76. Zhu, P.; van der Boom, M. E.; Kang, H.; Evmenenko, G.; Dutta, P.; Marks, T. J. Chem. Mater. 2002, 14, 4982.
77. O'Dwyer, J. Theory of Electrical Conduction and Breakdown in Solid Dielectrics; Clarendon Press: Oxford, 1973.
78. Simmons, J. G. J. Phys. D: Appl. Phys. 1971, 4, 613.
79. Sze, S. M. Physics of Semiconductor Devices, 2nd ed.; John Wiley and Sons: New York, 1981.
80. Davis, J. J.; Wang, N.; Morgan, A.; Zhang, T.; Zhao, J. Faraday Discuss. 2006, 131, 167.
81. Weiss, E. A.; Chiechi, R. C.;Kaufman, G. K.; Kriebel, J. K.; Li, Z.; Duati, M.; Rampi, M. A.; Whitesides, G. M. J. Am. Chem. Soc. 2007, 129, 4336.
82. Berlin, Y. A.; Burin, A. L.; Ratner, M. A. Chem. Phys. 2002, 275, 61.
83. Wang, W.; Lee, T.; Reed, M. A. Proc. IEEE 2005, 95, 1815.
84. Chabinyc, M. L.; Chen, X.; Holmlin, R. E.; Jacobs, H.; Skulason, H.; Frisbie, C.D.; Mujica, V.; Ratner, M. A.; Rampi, M. A.; Whitesides, G. M. J. Am. Chem. Soc. 2002, 124, 11730.
85. Duati, M.; Grave, C.;Tcbeborateva, N.; Jishan, W.; Mullen, K.; Shaporenko, A.; Zharnikov, M.; Kriebel, J. K.; Whitesides, G. M.; Rampi, M. A. Adv. Mater. 2006, 18, 329.
86. Burin, A. L.; Ratner, M. A. In Computational Materials Chemistry: Methods and Aplications; Curtiss, L. A., Gordon, M. S., Eds.; Kluwer Academic: Netherlands, 2004; p 308.
87. Mbindyo, J. K. N.; Mallouk, T. E.; Mattzela, J. B.; Kratochvilova, I.;Razavi, B.; Jackson, T. N.; Mayer, T. S. J. Am. Chem. Soc. 2002, 124, 4020.
88. Mujica, V.; Ratner, M. A. Chem. Phys. 2001, 264, 365.
89. Ulgut, B.; Abruna, H. D. Chem. Rev. 2008, 108, 2721.
90. Tran, E.; Grave, C.;Whitesides, G. M.; Rampi, M. A. Electrochim. Acta 2005, 50, 4850.
91. Grave, C.;Risko, C.;Shaporenko, A.; Wang, Y.; Nuckolls, C.;Ratner, M. A.; Rampi, M. A.; Zharnikov, M. Adv. Funct. Mater. 2007, 17, 3816.
92. Maisch, S.; Effenberger, F. J. Am. Chem. Soc 2005, 127, 17315.
93. Shamai, T.; Ophir, A.; Selzer, Y. Appl Phys. Lett. 2007, 91, 102108.
94. Chen, F.; Li, X.; hihath, J.; Huang, Z.; Tao, N. J. Am. Chem. Soc. 2006, 128, 15874.
95. Fan, F.-R. F.; Yang, J.; Cai, L.; Price, D. W.; Dirk, S. M.; Kosykin, D. V.; Yao, Y.; Rawlett, A. M.; Tour, J. M.; Bard, A. J. J. Am. Chem. Soc. 2002, 124, 5550.
96. Akkerman, H. B.; Blom, P. W. M.; de Leeuw, D. M.; de Boer, B. Nature 2006, 441, 69.
97. Zhitenev, N. B.; Erbe, H.; Bao, Z. Nanotech. 2003, 14, 254.
98. Banerjee, S.; Shen, B.; Chen, I.;Bohlman, J.; Brown, G.; Doering, R. J. Appl. Phys. 1989, 65, 1140-1146.
99. Lenzinger, M.; Snow, E. H. J. Appl. Phys. 1969, 40, 278.
100. Beebe, J. M.; Kim, B.; Gadzuk, J. W.; Frisbie, C.D.; Kushmerick, J. G. Phys. Rev. Lett. 2006, 97, 026801.
101. Aswal, D. K.; Lenfant, S.; Guerin, D.; Yakhmi, J. V.; Vuillaume, D. Small 2005, 1, 725.
102. Cracium, N. L; Wildeman, J.; Blom, P. W. M. Phys. Rev. Lett. 2008, 100, 056601.
103. Barth, S.; Wolf, U.; Bassler, H.; Muller, P.; Riel, H.; Vestweber, H.; Seidler, P. F.; Reiss, W. Phys. Rev. B 1999, 60, 8791.
104. Lampert, M. A.; Mark, P. Current Injection in Solids; Academic Press: New York, 1970.
105. Pope, M.; Swenberg, C. E. Electronic Processes In Organic Crystals and Polymers, 2nd ed.; Oxford University Press: New York, 1999.
106. Selzer, Y.; Cabassi, M. A.; Mayer, T. S.; Allara, D. L. Nanotech. 2004, 15, S483.
107. Segal, D.; Nitzan, A.; Ratner, M. A.; Davis, W. B. J. Phys. Chem. B 2000, 104, 2790.
108. Lakhno, V. D.; Sultanov, V. B.; Pettitt, B. M. Chem. Phys. Lett. 2004, 400, 47.
109. Renger, T.; Marcus, R. A. J. Phys. Chem. A 2003, 107, 8404.
110. Bixon, M.; Jortner, J. Chem. Phys. 2002, 281, 393.
111. Segal, D.; Nitzan, A. J. Phys. Chem. B 2000, 104, 3817.
112. Petrov, E. G.; May, V.; Hanggi, P. Chem. Phys. 2002, 281, 211.
113. Weiss, E. A.; Wasielewski, M. R.; Ratner, M. A. Topics in Current Chemistry; Springer: Heidelberg, 2005; Vol.257, p 103.
114. Berlin, Y. A.; Grozema, F. C.;Siebbeles, L. D. A.; Ratner, M. A. J. Phys. Chem. C 2008, 112, 10988.
115. Weiss, E. A.; Tauber, M. J.; Kelley, R. F.; Ahrens, M. J.; Ratner, M. A.; Wasielewski, M. R. J. Am. Chem. Soc. 2005, 127, 11842.
116. Goldsmith, R. H.; DeLeon, O.; Wilson, T. M.; Finkelstein-Shapiro, D.; Ratner, M. A.; Wasielewski, M. R. J. Phys. Chem. A 2008, 130, 4708.
117. Anariba, F.; McCreery, R. L. J. Phys. Chem. B 2002, 106, 10355.
118. McCreery, R. L.; Wu, J.; Kalakodimi, R. P. Phys. Chem. Chem. Phys. 2006, 8, 2572.
119. Berlin, Y. A.; Burin, A. L.; Ratner, M. A. Chem. Phys. 2002, 275, 61.
120. Xu, B.; Zhange, P.; Li, X.; Tao, N. J. Nano Lett. 2004, 4, 1105.
121. Choi, S. H.; Kim, B.; Frisbie, C. D. Science 2008, 320, 1482.
122. Zhou, C.;Deshpande, M. R.; Reed, M. A.; Jones, L. I.;Tour, J. M. Appl. Phys. Lett. 1997, 71, 611.
123. Chen, J.; Calvet, L. C.;Reed, M. A.; Carr, D. W.; Grubisha, D. S.; Bennett, D. W. Chem. Phys. Lett. 1999, 313, 741.
124. Chen, J.; Calvet, L. C.;Reed, M. A.; Carr, D. W.; Grubisha, D. S.; Bennett, D. W. Chem. Phys. Lett. 1999, 313, 741.
125. Calvet, L. E.; Wheeler, R. G.; Reed, M. A. Appl. Phys. Lett. 2002, 80, 1761.
126. Jeong, S.; Kim, D.; Lee, S.; Park, B.-K.; Moon, J. Appl. Phys. Lett. 2006, 89, 092101.
127. Adamec, V.; Calderwood, J. H. J. Phys. D: Appl. Phys. 1975, 8, 551.
128. DiBenedetto, S. A.; Paci, I. Facchetti, A.; Marks, T. J.; Ratner, M. A. J. Phys. Chem. B 2006, 110, 22394.
129. Freund, R. J.; Wilson, W. J. Regression Analysis: Statistical Modeling of a Response Variable; Academic Press: San Diego, 1998.
130. Li, P.; Lu, T.-M. Phys. Rev. B 1991, 43, 14261.
131. Hur, S.-H.; Yoon, M.-H.; Gaur, A.; Shim, M.; Facchetti, A.; Marks, T. J.; Rogers, J. A. J. Am. Chem. Soc. 2005, 127, 13808.
132. Wang, L.; Yoon, M.-H.; Lu, G.; Facchetti, A.; Marks, T. J. Nat. Mater. 2006, 5, 893.
133. Ju, S.; Lee, K.; Janes, D. B.; Yoon, M.-H.; Facchetti, A.; Marks, T. J. Nano Lett. 2005, 5, 2281.
134. Ju, S.; Lee, K.; Janes, D. B.; Dwivedi, R. C.;Abffour-Awuah, H.; Wilkins, R.; Yoon, M.-H.; Facchetti, A.; Marks, T. J. Appl. Phys. Lett. 2006, 89, 073510.
135. Ju, S.; Li, J.; Lui, J.; Chen, P.-C.;Ha, Y.-G.; Ishikawa, F.; Change, H.; Zhou, C.;Facchetti, A.; Janes, D. B.; Marks, T. J. Nano Lett. 2008, 8, 997.
136. Slowinski, K.; Chamberlain, R. V.; Miller, J.; Majda, M. J. Am. Chem. Soc 1997, 119, 11910.
137. Lin, W.; Lee, T.-L.; Lyman, P. F.; Lee, J.; Bedzyk, M. J.; Marks, T. J. J. Am. Chem. Soc. 1997, 119, 2205.
138. Schockley, W. Phys. Rev. 1939, 56, 317.
139. Song, J.-H.; Akiyama, T.; Freeman, A. J. Phys. Rev. B 2008, 77, 035332.
140. Ratner, M. A. Mater. Today 2002, 5, 20.
141. Lee, T.; Chen, N.-P.; Liu, J.; Andres, R. P.; Janes, D. B.; Chen, E. H.; Melloch, M. R.; Woodall, J. M. Appl. Phys. Lett. 2000, 76, 212.
142. Jeong, D. S.; Hwang, C.S. J. Appl.Phys. 2005, 98, 113701.
143. Fontaine, P.; Goguenheim, D.; Deresmes, D.; Vuillaume, D.; Garet, M.; Rondelez, F. Appl. Phys. Lett. 1993, 62, 2256.
144. Wold, D. J.; Frisbie, C.D. J. Am. Chem. Soc. 2001, 123, 5549.
145. Haag, R.; Rampi, M. A.; Holmlin, R. E.; Whitesides, G. M. J. Am. Chem. Soc. 1999, 121, 7895.
146. Zhao, J.; Uosaki, K. Appl. Phys. Lett. 2003, 83, 2034.
147. Holmlin, R. E.; Haag, R.; Chabinyc, M. L.; Ismagilov, R. F.; Cohen, A. E.; Terfort, A.; Rampi, M. A.; Whitesides, G. M. J. Am. Chem. Soc. 2001, 123, 5075.
148. Kubatkin, S.; Danilov, A.; Hjort, M.; Cornil, J.; Bredas, J.-L.; StuhrHansen, N.; Hedegard, P.; Bjornholm, T. Nature 2003, 425, 698.
149. Kaasbjerg, K.; Flensberg, K. Nano Lett. 2008, 8, 3809.
150. Baklanov, M.; Green, M.; Maex, K. Dilectric Films For Advanced Microelectronics; John Wiley and Sons Ltd.: West Sussex, 2007.
151. Wolters, D. R.; Verwey, J. F. Instabilities in Silicon Devices; Elsevier: Amsterdam, 1986.
152. Chu, B.; Zhou, X.; Ren, K.; Neese, B.; Lin, M.; Wang, Q.; Bauer, F.; Zhang, Q. M. Science 2006, 2006, 334-336.
153. Claude, J.; Lu, Y.; Wang, Q. Appl. Phys. Lett. 2007, 91, 212904.