Formation of epitaxial domains: Unified theory and survey of experimental results

Physica Status Solidi (B) Basic Research

Volumn 248, Issue 4, 2011, Pages 805-824

  Grundmann, Marius ^a  

^a UNIVERSITY OF LEIPZIG   (Germany)

Author keywords

Domains; Epitaxy; Heteroepitaxy; Symmetry

Indexed keywords

EID: 79953010591     PISSN: 03701972     EISSN: 15213951     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/pssb.201046530     Document Type: Article

References (210)

1. C. J. Palmstrøm, Annu. Rev. Mater. Sci. 25, 389- 415 (1995).
2. S. Guha, A. Madhukar, and K. C. Rajkumar, Appl. Phys. Lett. 57, 2110 (1990).
3. R. C. Pond, Crit. Rev. Solid State Mater. Sci. 15, 441 (1989).
4. J. Narayan and B. C. Larson, J. Appl. Phys. 93, 278 (2003).
5. Z.-P. Hu, D. F. Ogletree, M. A. van Hove, and G. A. Somorjai, Surf. Sci. 180, 433 (1987).
6. K. Aizu, Phys. Rev. B 2, 754 (1970).
7. G. Van Tendeloo, and S. Amelickx, Acta Crystallogr. A 30, 431 (1974).
8. R. Portier and D. Gratias, J. Phys. 43, C4- 17 (1982).
9. C. Boulesteix, Phys. Status Solidi A 86, 11 (1984).
10. Lagrange's theorem see e.g., R. L. Roth, Math. Mag. 74, 99 (2001).
11. H. Wondratschek and U. Müller (eds.), Symmetry relations between space groups, International Tables for Crystallography, Vol. A1, 2nd ed. (International Union of Crystallography and Wiley, Chichester, UK, 2010), ISBN 978-0-470-66079-9.
12. R. C. Pond and W. Bollmann, Philos. Trans. R. Soc. Lond. A 292, 449- 472 (1979).
13. R. C. Pond and D. S. Vlachavas, Proc. R. Soc. Lond. A 386, 95- 143 (1983).
14. Z. Zhang, F. Wu, and M. G. Lagally, Annu. Rev. Mater. Sci. 27, 525 (1997).
15. A. Fissela, C. Wang, E. Bugiel, and H. J. Osten, Microelectron. J. 36, 506 (2005).
16. R. C. Pond, J. Cryst. Growth 79, 946 (1986).
17. A. R. Kaul, O. Yu Gorbenko, and A. A. Kamenev, Russ. Chem. Rev. 73, 861 (2004).
18. N. Herres, H. Obloh, K. H. Bachem, and K. Helming, Mater. Sci. Eng., B 59, 202 (1999).
19. B. L. Li, Acta Crystallogr. A 51, 902 (1995).
20. B. Schumann, A. Tempel, and G. Kühn, Cryst. Res. Technol. 23, 3 (1988).
21. J. Cheng, L. Largeau, G. Patriarche, P. Regreny, G. Hollinger, and G. Saint-Girons, Appl. Phys. Lett. 94, 231902 (2009).
22. H. Okumura, S. Misawa, and S. Yoshida, Appl. Phys. Lett. 59, 1058 (1991).
23. V. K. Lazarov, J. Zimmerman, S. H. Cheung, L. Li, M. Weinert, and M. Gajdardziska-Josifovska, Phys. Rev. Lett. 94, 216101 (2005).
24. M. S. Dresselhaus, G. Dresselhaus, and A. Jorio, Group Theory, Application to the Physics of Condensed Matter (Springer, Heidelberg, 2008).
25. T. Terzibaschian and R. Enderlein, Phys. Status Solidi B 133, 443 (1986).
26. E. J. Widjaja and L. D. Marks, J. Phys.: Condens. Matter 20, 314003 (2008).
27. P. R. Watson, M. A. Van Hove, and K. Hermann, Atlas of Surface Structures: Based on the NIST Surface Structure Database (SSD), Vols. 1a, b, Journal of Physical and Chemical Reference Data, Monograph No. 5 (American Chemical Society, Woodbury, NY, 1994), ISBN 1-56396-414-7.
28. M. A. Van Hove, K. Hermann, and P. R. Watson, Adsorbate-induced changes in surface structure on metals and semiconductors, in: Physics of Covered Solid Surfaces, Landolt-Börnstein, Numerical Data and Functional Relationships in Science and Technology, Vol. III/42A (Springer, Berlin, 2002), chap. 4.1, pp. 1- 122, ISBN 3-540-41224-7.
29. K. Romanyuk, V. Cherepanov, and B. Voigtländer, Phys. Rev. Lett. 99, 126103 (2007).
30. B. S. Swartzentruber, Y.-W. Mo, R. Kariotis, M. G. Lagally, and M. B. Webb, Phys. Rev. Lett. 65, 1913 (1990).
31. F. Iwawaki, M. Tomitori, and O. Nishikawa, Surf. Sci. Lett. 253, L411 (1991).
32. H. Itoh, S. Narui, Z. Zhang, and T. Ichonokawa, Surf. Sci. Lett. 277, L70 (1992).
33. K. Hermann and M. A. Van Hove, LEEDpat software, available online at .
34. J. Wasserfall and W. Ranke, Surf. Sci. 315, 227 (1994).
35. J.-H. Shen, S.-W. Yeh, H.-L. Huang, and D. Gan, Scr. Mater. 61, 785 (2009).
36. D. B. Holt, J. Phys. Chem. Solids 30, 1297 (1969).
37. H.-L. Sun, Q.-T. Shen, J.-F. Jia, Q.-Z. Zhang, and Q.-K. Xue, Surf. Sci. 542, 94 (2003).
38. X. Q. Pan, J. C. Jiang, C. D. Theis, and D. G. Schlom, Appl. Phys. Lett. 83, 2315 (2003).
39. T. Suzuki and A. Argoitia, Phys. Status Solidi. A 154, 239 (1996).
40. K. Morizane, J. Cryst. Growth 38, 249 (1977).
41. M. Grundmann, A. Krost, and D. Bimberg, Appl. Phys. Lett. 58, 284 (1991).
42. J. M. Yuk, Y. S. No, T. W. Kim, J. Y. Kim, and W. K. Choi, J. Korean Phys. Soc. 55, 246 (2009).
43. Y.-Z. Liu, M. J. Ying, X. L. Du, Z. Q. Zeng, Z. X. Mei, J. F. Jia, Q. K. Xue, and Z. Zhang, Phys. Lett. A 339, 497 (2005).
44. D. J. Smith, S.-C. Y. Tsen, Y. P. Chen, J.-P. Faurie, and S. Sivananthan, Appl. Phys. Lett. 67, 1591 (1995).
45. Y. Xin, P. D. Brown, C. J. Humphreys, T. S. Cheng, and C. T. Foxon, Appl. Phys. Lett. 70, 1308 (1997).
46. L. Reimer, Transmission Electron Microscopy, Physics of Image Formation and Microanalysis, fourth ed. (Springer, Berlin, 1997).
47. P. Buseck, J. Cowley, and L. Eyring (eds.), High-Resolution Transmission Electron Microscopy and Associated Techniques (Oxford Univ. Press, Oxford, 1989).
48. D. B. Williams and C. B. Carter, Transmission Electron Microscopy, A Textbook For Materials Science, second ed. (Springer, Berlin, 2009).
49. Z. L. Wang, Elastic and Inelastic Scattering in Electron Diffraction and Imaging (Plenum Press, New York, 1995).
50. A. Ichimiya and P. I. Cohen, Reflection High-Energy Electron Diffraction (Cambridge Univ. Press, Cambridge, 2004).
51. M. A. Van Hove, W. H. Weinberg, and C. M. Chan, Low-Energy Electron Diffraction: Experiment, Theory and Surface Structure Determination (Springer, Berlin, 1986).
52. U. Pietsch, V. Holy, and T. Baumbach, High-Resolution X-Ray Scattering: From Thin Films to Lateral Nanostructures (Springer, Berlin, 2004).
53. M. Birkholz, Thin Film Analysis by X-Ray Scattering: Techniques for Structural Characterization (Wiley-VCH, Weinheim, 2006).
54. X. H. Wei, Y. R. Li, J. Zhu, W. Huang, Y. Zhang, W. B. Luo, and H. Ji, Appl. Phys. Lett. 90, 151918 (2007).
55. Y. Zhang, C. McAleese, H. Xiu, C. J. Humphreys, R. R. Lieten, B. Degroote, and G. Borghs, Appl. Phys. Lett. 91, 092125 (2007).
56. E. J. Tarsa, M. De Graef, D. R. Clarke, A. C. Gossard, and J. S. Speck, J. Appl. Phys. 73, 3276 (1993).
57. J.-G. Yoon and K. Kim, Appl. Phys. Lett. 66, 2661 (1995).
58. P. Curie, J. Phys. 3, 393 (1894).
59. G. Kalonji and J. W. Cahn, J. Phys. 43, C6- 25 (1982).
60. G. Kalonji, J. Phys. 46, C4- 249 (1985).
61. M. Grundmann, T. Böntgen, and M. Lorenz, Phys. Rev. Lett. 105, 146102 (2010).
62. L. D. Landau and E. M. Lifshitz, Course of Theoretical Physics, Statistical Physics, Vol. 5, third ed. (Reed Publ., Oxford, 1980).
63. G. E. Andrews, Number Theory (Dover, New York, 1994).
64. A. Dadgar, F. Schulze, M. Wienecke, A. Gadanecz, J. Bläsing, P. Veit, T. Hempel, A. Diez, J. Christen, and A. Krost, New J. Phys. 9, 389 (2009).
65. H. S. Craft, J. F. Ihlefeld, M. D. Losego, R. Collazo, Z. Sitar, and J.-P. Maria, Appl. Phys. Lett. 88, 212906 (2006).
66. I. L. Grigorov, M. R. Fitzsimmons, I.-L. Siu, and J. C. Walker, Phys. Rev. Lett. 82, 5309 (1999).
67. J. E. Mattson, E. E. Fullerton, C. H. Sowers, and S. D. Bader, J. Vac. Sci. Technol. A 13, 276 (1995).
68. M. Sunder and P. D. Moran, J. Electron. Mater. 38, 1931. (2009)
69. I. Ohkubo, Y. Matsumoto, A. Ohtomo, T. Ohnishi, A. Tsukazaki, M. Lippmaa, H. Koinuma, and M. Kawasaki, Appl. Surf. Sci. 159, 514 (2000).
70. L. A. Bruce and H. Jaeger, Philos. Mag. A 38, 223 (1978).
71. R. Q. Hwang and M. C. Bartelt, Chem. Rev. 97, 1063 (1997).
72. J. Zúñiga-Pérez, A. Rahm, C. Czekalla, J. Lenzner, M. Lorenz, and M. Grundmann, Nanotechnology 18, 195303 (2007).
73. M. W. Cho, K. W. Koh, D. M. Bagnall, Z. Zhu, and T. Yao, J. Electron. Mater. 27, 85 (1998).
74. K. Okuno, Y. Saito, S. Boyama, N. Nakada, S. Nitta, R. G. Tohmon, Y. Ushida, and N. Shibata, Appl. Phys. Express 2, 031002 (2009).
75. C. R. Gorla, N. W. Emanetoglu, S. Liang, W. E. Mayo, Y. Lu, M. Wraback, and H. Shen, J. Appl. Phys. 85, 2595 (1999).
76. S. K. Han, S. K. Hong, J. W. Lee, J. Y. Lee, J. H. Song, Y. S. Nam, S. K. Chang, T. Minegishi, and T. Yao, J. Cryst. Growth 309, 121 (2007).
77. G. Mu, R. V. Gudavarthy, E. A. Kulp, and J. A. Switzer, Chem. Mater. 21, 3960 (2009).
78. J. Lu, J. Sundqvist, M. Ottosson, A. Tarre, A. Rosental, J. Aarik, and A. Hårsta, J. Cryst. Growth 260, 191 (2004).
79. M. Batzill, J. M. Burst, and U. Diebold, Tin Solid Films 484, 132 (2005).
80. R. S. Bauer and J. C. McMenamin, J. Vac. Sci. Technol. 15, 1444 (1978).
81. G. A. Prinz, J. M. Ferrari, and M. Goldenberg, Appl. Phys. Lett. 40, 155 (1982).
82. T. Kanawa, M. Sagawa, and S. Nagata, Jpn. J. Appl. Phys. 10, 1111 (1971).
83. B. M. Trafas, Y.-N. Yang, R. L. Siefert, and J. H. Weaver, Phys. Rev. B 43, 14107 (1991).
84. C. M. Teodorescu, M. G. Martin, N. Franco, H. Ascolani, J. Chrost, J. Avila, and M. C. Asensio, J. Electron Spectrosc. Relat. Phenom. 101-103, 493 (1999).
85. K.-J. Chao, Z. Zhang, Ph. Ebert, C. K. Shih, and Phys. Rev. B 60, 4988 (1999).
86. A. B. Preobrajenski and T. Chassé, Appl. Surf. Sci. 142, 394 (1999).
87. M. López, T. Ikei, Y. Takano, K. Pak, and H. Yonezu, Jpn. J. Appl. Phys. 29, 551 (1990).
88. R. C. Pond, J. P. Gowers, and B. A. Joyce, Surf. Sci. 151, 1191 (1985).
89. S. Koh, T. Kondo, T. Ishiwada, C. Iwamoto, H. Ichinose, H. Yaguchi, T. Usami, Y. Shiraki, and R. Ito, Jpn. J. Appl. Phys. 37, L1493 (1998).
90. S. Koh, T. Kondo, M. Ebihara, T. Ishiwada, H. Sawada, H. Ichinose, I. Shoji, and R. Ito, Jpn. J. Appl. Phys. 38, L508 (1999).
91. A. Yamada, P. Fons, S. Niki, Y. Makita, H. Shibata, and H. Oyanagi, Jpn. J. Appl. Phys. 35, L843 (1996).
92. G. S. Solomon, J. B. Posthill, and M. L. Timmons, Appl. Phys. Lett. 55, 1531 (1989).
93. B. Schumann, A. Tempel, G. Kühn, and H. Neumann, Thin Solid Films 130, 113 (1985).
94. T. A. Langdo, C. W. Leitz, M. T. Currie, E. A. Fitzgerald, A. Lochtfeld, and D. A. Antoniadis, Appl. Phys. Lett. 76, 3700 (2000).
95. Q. Chen, J. Yang, and Z. Lin, Appl. Phys. Lett. 67, 1853 (1995).
96. V. Alberts, J. H. Neethling, and J. S. Vermaak, J. Mater. Sci.: Mater. Electron. 3, 240 (1992).
97. M. Schreck and B. Stritzker, Phys. Status Solidi A 154, 197 (1996).
98. C. Weisbuch, Semicond. Semimet. 24, 1 (1987).
99. J. B. Posthill, J. C. L. Tarn, K. Das, T. P. Humphreys, and N. R. Parikh, Appl. Phys. Lett. 53, 1207 (1988).
100. T. Soga, H. Nishikawa, T. Jimbo, and M. Umeno, Jpn. J. Appl. Phys. 32, 4912 (1993).
101. A. Tempel, B. Schumann, K. Kolb, and G. Kühn, J. Cryst. Growth 54, 534 (1981).
102. B. M. Lairson, M. R. Visokay, R. Sinclair, S. Hagstrom, and B. M. Clemens, Appl. Phys. Lett. 61, 1390 (1992).
103. M. D. Wieczorek, D. J. Keavney, D. F. Storm, and J. C. Walker, J. Magn. Magn. Mater. 121, 34 (1993).
104. Y. P. Chen, J. P. Faurie, S. Sivananthan, G. C. Hua, and N. Otsuka, J. Electron. Mater. 24, 475 (1995).
105. H. Ebe, T. Okamoto, H. Nishino, T. Saito, Y. Nishijima, M. Uchikoshi, M. Nagashima, and H. Wada, J. Electron. Mater. 25, 1358 (1996).
106. K. Bickmann, J. Hauck, P. Möck, and H. Berger, J. Cryst. Growth 131, 133 (1993).
107. Y. P. Chen, S. Sivananthan, and J. P. Faurie, J. Electron. Mater. 22, 951 (1993).
108. Z. Nishiyama, Sci. Rep. Tohuku Univ. 23, 638 (1934).
109. G. Wassermann, Arch. Eisenhüttenw. 16, 647 (1933).
110. G. Kurdjumov and G. Sachs, Z. Phys. 64, 325 (1930).
111. O. Hellwig, K. Theis-Bröhl, G. Wilhelmi, A. Stierle, and H. Zabel, Surf. Sci. 398, 379 (1998).
112. E. Bauer and J. H. van der Merwe, Phys. Rev. B 33, 3657 (1986).
113. A. Kobayashi and S. Das Sarma, Phys. Rev. B 35, 8042 (1987).
114. H. Homma, K.-Y. Yang, and I. K. Schuller, Phys. Rev. B 36, 9435 (1987).
115. J. L. Hall, M. A. Moram, A. Sanchez, S. V. Novikov, A. J. Kent, C. T. Foxon, C. J. Humphreys, and R. P. Campion, J. Cryst. Growth 311, 2054 (2009).
116. M. Horn-von Hoegen, T. Schmidt, M. Henzler, G. Meyer, D. Winau, and K. H. Rieder, Surf. Sci. 331, 575 (1995).
117. H. Jiang, T. J. Klemmer, J. A. Barnard, W. D. Doyle, and E. A. Payzant, Thin Solid Films 315, 13 (1998).
118. H. Hattab, E. Zubkov, A. Bernhart, G. Jnawali, C. Bobisch, B. Krenzer, M. Acet, R. Möller, and M. Horn-von Hoegen, Thin Solid Films 516, 8227 (2008).
119. M. Fonin, Yu. S. Dedkov, U. Rüdiger, and G. Güntherodt, Surf. Sci. 601, 2166 (2007).
120. F. Schulze, O. Kisel, A. Dadgar, A. Krtschil, J. Bläsing, M. Kunze, I. Daumiller, T. Hempel, A. Diez, R. Clos, J. Christen, and A. Krost, J. Cryst. Growth 299, 399 (2007).
121. K. Okamoto, S. Inoue, N. Matsuki, T.-W. Kim, J. Ohta, M. Oshima, H. Fujioka, and A. Ishii, Appl. Phys. Lett. 93, 251906 (2008).
122. G. Li, T.-W. Kim, S. Inoue, K. Okamoto, and H. Fujioka, Appl. Phys. Lett. 89, 241905 (2006).
123. T. Abukawa, Sato. Sh, and Y. Matsuoka, Surf. Sci. 604, 1614 (2010).
124. S. Shinkai and K. Sasaki, Jpn. J. Appl. Phys. 38, 3646 (1999).
125. S. Kaneko, H. Funakubo, T. Kadowaki, Y. Hirabayashi, and K. Akiyama, Europhys. Lett. 81, 46001 (2008).
126. K. Nasjimoto, D. K. Fork, and T. H. Geballe, Appl. Phys. Lett. 60, 1199 (1992).
127. I. Hashim, B. Park, and H. A. Atwater, Appl. Phys. Lett. 63, 2833 (1993).
128. C. Quintana, J. L. Menéndez, Y. Huttel, M. Lancin, E. Navarro, and A. Cebollada, Thin Solid Films 434, 228 (2003).
129. N. Cherief, C. D'. Anterroches, R. C. Cinti, T. A. Nguyen Tan, and J. Derrien, Appl. Phys. Lett. 55, 1671 (1989).
130. B. Schumann, C. Georgi, A. Tempel, G. Kühn, N. Van Nam, H. Neumann, and W. Hörig, Thin Solid Films 52, 45 (1978).
131. B.-H. Tseng, S.-B. Lin, G.-L. Gu, and W. Chen, J. Appl. Phys. 79, 1391 (1996).
132. E. F. Wassermann and H. P. Jablonski, Surf. Sci. 22, 69 (1970).
133. B. Voigtländer, G. Meyer, and N. M. Amer, Surf. Sci. Lett. 255, L529 (1991).
134. H. C. Snyman and G. H. Olsen, J. Appl. Phys. 44, 889 (1973).
135. D. Tian, F. Jona, and P. M. Marcus, Phys. Rev. B 45, 11216 (1992).
136. MÁ. Niño, J. Camarero, L. Gómez, J. Ferrón, J. J. de Miguel, and R. Miranda, J. Phys.: Condens. Matter 20, 265008 (2008).
137. J. Rothmann, D. Givord, and C. Meyer, J. Magn. Magn. Mater. 165, 202 (1997).
138. R. Meijers, R. Calarco, M. Buchmeier, D. E. Buergler, N. Kaluza, H. Hardtdegen, Mvd. Ahe, H. L. Bay, and H. Lüth, IFF Sci. Rep. (FZ Jülich), 202 (2004, 2005).
139. C. Gao, O. Brandt, H.-P. Schönherr, U. Jahn, J. Herfort, and B. Jenichen, Appl. Phys. Lett. 95, 111906 (2009).
140. I. Ohkubo, C. Hirose, K. Tamura, J. Nishii, H. Saito, H. Koinuma, P. Ahment, T. Chikyow, T. Ishii, S. Miyazawa, Y. Segawa, T. Fukumura, and M. Kawasaki, J. Appl. Phys. 92, 5587 (2002).
141. K. Hazu, A. Fouda, T. Nakayama, A. Tanaka, and S. F. Chichibu, Appl. Phys. Express 3, 091102 (2010).
142. S. Gnanarajan, S. K. H. Lam, and A. Bendavid, J. Vac. Sci. Technol. A 28, 175 (2010).
143. M. A. Moram, T. B. Joyce, P. R. Chalker, Z. H. Barber, and C. J. Humphreys, Appl. Surf. Sci. 252, 8385 (2006).
144. T. N. Blanton and L.-S. Hung, Rigaku J. 13, 3 (1996).
145. P. Prodhomme, S. Warren, R. Cortès, H. F. Jurca, F. Maroun, and Ph. Allongue, Chem. Phys. Chem. 11, 2992 (2010).
146. C.-H. Choi, R. A. Harper, A. S. Yapsir, and T.-M. Lu, Appl. Phys. Lett. 51, 1992 (1987).
147. G. Le Lay, G. Quentel, J. P. Faurie, and A. Masson, Thin Solid Films 35, 273 (1976).
148. G. Katz, Appl. Phys. Lett. 12, 161 (1968).
149. C. Gonzalez, Acta Metall. 15, 1373 (1967).
150. J. L. Rouviere, M. Arlery, B. Daudin, G. Feuillet, and O. Briot, Mater. Sci. Eng. B 50, 61 (1997).
151. A. M. Sánchez, F. J. Pacheco, S. I. Molina, R. Garcia, P. Ruterana, M. A. Sánchez-Garca, and E. Calleja, Appl. Phys. Lett. 78, 2688 (2001).
152. Y.-Z. Liu, M. J. Ying, X. L. Du, J. F. Jia, Q. K. Xue, X. D. Han, and Z. Zhang, J. Cryst. Growth 290, 631 (2006).
153. Y. W. Zhang, X. M. Li, W. D. Yu, X. D. Gao, Y. F. Gu, C. Yang, J. L. Zhao, X. W. Sun, S. T. Tan, J. F. Kong, and W. Z. Shen, J. Phys. D, Appl. Phys. 41, 205105 (2008).
154. T. Schroeder, P. Zaumseil, G. Weidner, G. Lupina, Ch. Wenger, H.-J. Müssig, and P. Storck, J. Appl. Phys. 98, 123513 (2005).
155. T. Muranaka, T. Sakano, K. Mizuguchi, Y. Nabetani, T. Akitsu, T. Matsumoto, S. Hagihara, O. Abe, S. Hiraki, and Y. Fujikawa, Phys. Status Solidi C 7, 1556 (2010).
156. T. Arakawa and G. Shimaoka, Appl. Surf. Sci. 33/34, 501 (1988).
157. S. J. Limmer, E. A. Kulp, and J. A. Switzer, Langmuir 22, 10535 (2006).
158. J. Ohta, H. Fujioka, M. Kawano, and M. Oshima, Phys. Status Solidi C 0, 554 (2002).
159. C. J. Sun, J. W. Yang, Q. Chen, M. Asif, T. Khan, P. George, Chien. Chang, and S. Mahajan, Appl. Phys. Lett. 68, 1129 (1996).
160. W. A. Melton and J. I. Pankove, J. Cryst. Growth 178, 168 (1997).
161. M. Ying, X. Du, Z. Mei, Z. Zeng, H. Zheng, Y. Wang, J. Jia, Z. Zhang, and Q. Xue, J. Phys. D, Appl. Phys. 37, 3058 (2004).
162. N. Takahashi, J. Majima, T. Nakumura, S. Nonaka, H. Yagi, Y. Shinriki, and K. Tamanuki, Chem. Mater. 15, 2889 (2003).
163. E. Grünbaum and G. Kremer, J. Appl. Phys. 39, 347 (1968).
164. H. Saitoh, Y. Okada, and S. Ohshio, J. Mater. Sci. 37, 4597 (2002).
165. W. Lin, J. Pak, D. C. Ingram, and A. R. Smith, J. Alloys Compd. 463, 257 (2008).
166. Y. R. Li, J. Zhu, W. B. Luo, X. Z. Liu, and W. L. Zhang, Chin. Sci. Bull. 54, 2681 (2009).
167. A. Kobayashi, H. Fujioka, J. Ohta, and M. Oshima, Jpn. J. Appl. Phys. 43, L53 (2004).
168. K. Ueno, A. Kobayashi, J. Ohta, and H. Fujioka, Jpn. J. Appl. Phys. 45, L1139 (2006).
169. E. Dimakis, E. Iliopoulos, K. Tsagaraki, A. Adikimenakis, and A. Georgakilas, Appl. Phys. Lett. 88, 191918 (2006).
170. R. D. Vispute, V. Talyansky, S. Choopun, R. P. Sharma, T. Venkatesan, M. He, X. Tang, J. B. Halpern, M. G. Spencer, Y. X. Li, L. G. Salamanca-Riba, A. A. Iliadis, and K. A. Jones, Appl. Phys. Lett. 73, 348 (1998).
171. S. Rahmane, B. Abdallah, A. Soussou, E. Gautron, P.-Y. Jouan, L. Le Brizoual, N. Barreau, A. Soltani, and M. A. Djouadi, Phys. Status Solidi A 207, 1604 (2010).
172. F. A. Ponce, B. S. Krusor, J. S. Major, Jr., W. E. Plano, and D. F. Welch, Appl. Phys. Lett. 67, 410 (1995).
173. T. W. Weeks, M. D. Bremser, K. S. Ailey, E. Carlson, W. G. Perry, and R. F. Davis, Appl. Phys. Lett. 67, 401 (1995).
174. T. Ive, O. Brandt, M. Ramsteiner, M. Giehler, H. Kostial, and K. H. Ploog, Appl. Phys. Lett. 84, 1671 (2004).
175. J. Hass, R. Feng, T. Li, X. Li, Z. Zong, W. A. de Heer, P. N. First, E. H. Conrada, C. A. Jeffrey, and C. Berger, Appl. Phys. Lett. 89, 143106 (2006).
176. S. Inoue, K. Okamoto, T. Nakano, and H. Fujioka, J. Cryst. Growth 297, 317 (2006).
177. P. W. Sutter, J.-I. Flege, and E. A. Sutter, Nature Mater. 7, 406 (2008).
178. Y. Kato, N. Shiraishi, N. Tsuchimine, S. Kobayashi, and M. Yoshimoto, J. Cryst. Growth 312, 378 (2010).
179. J.-H. Shen, S.-W. Yeh, H.-L. Huang, and D. Gan, Thin Solid Films, in press, DOI: 10.1016/j.tsf.2010.08.098 (2010).
180. S. J. Henley, M. N. R. Ashfold, and D. Cherns, Thin Solid Films 422, 69 (2002).
181. N. Umada, H. Yanagihara, A. Hatanaka, and E. Kita, Jpn. J. Appl. Phys. 44, 6538 (2005).
182. H. N. Lee, D. Zakharov, S. Senz, A. Pignolet, and D. Hesse, Integr. Ferroelectr. 39, 73 (2001).
183. S. K. Lee, D. Hesse, U. Gösele, and H. N. Lee, Appl. Phys. Lett. 86, 142903 (2005).
184. H. Yang, H. Al-Brithen, A. R. Smith, J. A. Borchers, R. L. Cappelletti, and M. D. Vaudin, Appl. Phys. Lett. 78, 3860 (2001).
185. J. W. Jang, W. J. Cho, J. H. Lee, I. T. Kim, Y. H. Kim, C. H. Kim, J. H. Park, S. S. Choi, and T. S. Hahn, Jpn. J. Appl. Phys. 36, 6937 (1997).
186. L. A. Bruce and H. Jaeger, Philos. Mag. 36, 1478 (1977).
187. W. K. Liu, J. Winesett, W. Ma, X. Zhang, M. B. Santos, X. M. Fang, and P. J. McCann, J. Appl. Phys. 81, 1708 (1997).
188. A. Yanase, Y. Segawa, M. Mihara, W. M. Tong, and R. S. Williams, Surf. Sci. Lett. 278, L105 (1992).
189. A. Yanase and Y. Segawa, Surf. Sci. 329, 219 (1995).
190. G. K. L. Goh, C. G. Levi, and F. F. Lange, J. Mater. Res. 17, 2852 (2002).
191. H. Haefke and M. Krohn, Surf. Sci. Lett. 261, L39 (1992).
192. S. Ino, D. Watanabe, and S. Ogawa, J. Phys. Soc. Jpn. 19, 881 (1964).
193. R. W. Vook and S. S. Chao, Thin Solid Films 58, 203 (1979).
194. X. H. Wei, Y. R. Li, W. J. Jie, J. L. Tang, H. Z. Zeng, W. Huang, Y. Zhang, and J. Zhu, J. Phys. D, Appl. Phys. 40, 7502 (2007).
195. M. Brandt, H. Frenzel, H. Hochmuth, M. Lorenz, M. Grundmann, and J. Schubert, J. Vac. Sci. Technol. B 27, 1789 (2009).
196. G. Shimaoka, Thin Solid Films 7, 405 (1971).
197. G. Renaud, A. Barbier, and O. Robach, Phys. Rev. B 60, 5872 (1999).
198. S. Chikazumi, J. Appl. Phys. 32, S81 (1961).
199. G. Fahsold, A. Priebe, and A. Pucci, Appl. Phys. A 73, 39 (2001).
200. H. Qiu, H. Nakai, M. Hashimoto, G. Safran, M. Adamik, P. B. Barna, and E. Yagi, J. Vac. Sci. Technol. A 12, 2855 (1994).
201. P. W. Palmberg, T. N. Rhodin, and C. J. Todd, Appl. Phys. Lett. 11, 33 (1967).
202. H. Dabringhaus and M. Haag, Surf. Sci. 268, 351 (1992).
203. M. O. Aboelfotoh, J. Appl. Phys. 49, 2770 (1978).
204. H. L. Meyerheim, R. Popescu, J. Kirschner, N. Jedrecy, M. Sauvage-Simkin, B. Heinrich, and R. Pinchaux, Phys. Rev. Lett. 87, 076102 (2001).
205. G. K. L. Goh, K. Y. S. Chan, B. S. K. Tan, Y. W. Zhang, J. H. Kim, and T. Osipowicz, J. Electrochem. Soc. 155, D52 (2008).
206. M. Grundmann, The Physics of Semiconductors, An Introduction including Nanophysics and Devices, 2nd ed. (Springer, Heidelberg, 2010), ISBN 978- 3-642-13883-6.
207. R. F. Xiao, H. B. Liao, N. Cue, X. W. Sun, and H. S. Kwok, J. Appl. Phys. 80, 4226 (1996).
208. I. Dümler and M. R. Marrapodi, Thin Solid Films 12, 279 (1972).
209. E. I. Givargizov, Thin Solid Films 189, 389 (1990).
210. V. I. Klykov and N. M. Gladkov, Cryst. Res. Technol. 20, K55 (1985).