Molecular beam epitaxy of InSb on Si substrates using fluoride buffer layers

Journal of Applied Physics

Volumn 81, Issue 4, 1997, Pages 1708-1714

  Liu, W K ^a   Winesett, J ^a   Ma, Weiluan ^a   Zhang, Xuemei ^a   Santos, M B ^a   Fang, X M ^a   McCann, P J ^a  

^a UNIVERSITY OF OKLAHOMA   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ELECTRON TUNNELING; FLUORINE COMPOUNDS; HALL EFFECT; INTERFACES (MATERIALS); MOLECULAR BEAM EPITAXY; REFLECTION HIGH ENERGY ELECTRON DIFFRACTION; SCANNING ELECTRON MICROSCOPY; SEMICONDUCTING SILICON; SURFACE PROPERTIES; X RAY DIFFRACTION; X RAY PHOTOELECTRON SPECTROSCOPY;

BARIUM FLUORIDE; CALCIUM FLUORIDE; ELECTRON MOBILITY; FLUORIDE BUFFER LAYERS; HALL EFFECT MEASUREMENT; INDIUM ANTIMONIDE;

SEMICONDUCTING INDIUM COMPOUNDS;

EID: 0031077849     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.364028     Document Type: Article

References (43)

1. Y. Lo, R. N. Bicknell, T. H. Myers, J. F. Schetzina, and H. H. Stadelmaier, J. Appl. Phys. 54, 4248 (1983).
2. H. Zogg and S. Blunier, Appl. Phys. Lett. 49, 1531 (1986).
3. A. N. Tiwari, W. Floeder, S. Blunier, H. Zogg, and H. Weibel, Appl. Phys. Lett. 57, 1108 (1990).
4. A. N. Tiwari, S. Blunier, and H. Zogg, Appl. Phys. Lett. 60, 621 (1992).
5. R. Sporken, S. Sivananthan, K. K. Mahavadi, G. Monfroy, M. Boukerche, and J. P. Faurie, Appl. Phys. Lett. 55, 1879 (1989).
6. J. P. Faurie, R. Sporken, S. Sivananthan, and M. D. Lange, J. Cryst. Growth 111, 698 (1991).
7. H. Zogg, S. Blunier, and J. Masek, J. Electrochem. Soc. 136, 775 (1989).
8. J.-I. Chyi, D. Biswas, S. V. Iyer, N. S. Kumar, H. Morkoc, R. Bean, K. Zanio, H.-Y. Lee, and Haydn Chen, Appl. Phys. Lett. 54, 1016 (1989).
9. G. E. Franklin, D. H. Rich, Hawoong Hong, T. Miller, and T.-C. Chiang, Phys. Rev. B 45, 3426 (1992).
10. H. C. Lu, H. R. Fetterman, C. J. Chen, C. Hsu, and T. M. Chen, Solid-State Electron. 36, 533 (1993).
11. L. K. Li, Y. Hsu, and W. I. Wang, J. Vac. Sci. Technol. B 11, 872 (1993).
12. S. V. Ivanov, A. A. Boudza, R. N. Kutt, N. N. Ledentsov, B. Ya. Meltser, S. S. Ruvimov, S. V. Shaposhnikov, and P. S. Kop'ev, J. Cryst. Growth 156, 191 (1995).
13. T. Sudersena Rao, J. B. Webb, D. C. Houghton, J. M. Baribeau, W. T. Moore, and J. P. Noad, Appl. Phys. Lett. 53, 51 (1988).
14. W. Dobbelaere, J. De Boeck, and G. Borghs, Appl. Phys. Lett. 55, 1856 (1989).
15. H. Zogg and M. Hüppi, Appl. Phys. Lett. 47, 133 (1985).
16. H. Zogg, C. Maissen, S. Blunier, S. Teodoropol, R. M. Overney, T. Richmond, and J. W. Tomm, Semicond. Sci. Technol. 8, S337 (1993).
17. Leo J. Schowalter and Robert W. Fathauer, CRC Crit. Rev. Solid State Mater. Sci. 15, 367 (1989), and references therein.
18. F. J. Himpsel, F. U. Hillebrecht, G. Hughes, J. L. Jordan, U. O. Karleson, F. R. McFeely, J. F. Morar, and D. Rieger, Appl. Phys. Lett. 48, 596 (1986).
19. Marjorie A. Olmstead, R. I. G. Uhrberg, R. D. Bringans, and R. Z. Bachrach, J. Vac. Sci. Technol. B 4, 1123 (1986).
20. H. Zogg, Appl. Phys. Lett. 49, 933 (1986).
21. S. Blunier, H. Zogg, C. Maissen, A. N. Tiwari, R. M. Overney, H. Haefke, P. A. Buffat, and G. Kostorz, Phys. Rev. Lett. 68, 3599 (1992).
22. P. W. Sullivan, R. F. C. Farrow, and G. R. Jones, J. Cryst. Growth 60, 403 (1982).
23. A. Ishizaka and Y. Shiraki, J. Electrochem. Soc. 133, 666 (1986).
24. T. Asano, H. Ishiwara, and S. Furukawa, Jpn. J. Appl. Phys. 27, 1193 (1988).
25. X. M. Fang, P. J. McCann, and W. K. Liu, Thin Solid Films 272, 87 (1996).
26. G. M. Metze and A. R. Calawa, Appl. Phys. Lett. 42, 818 (1983).
27. K. Ishida, M. Akiyama, and S. Nichi, Jpn. J. Appl. Phys. 25, L288 (1986).
28. S. J. Rosner, S. M. Koch, and J. S. Harris, Jr., Appl. Phys. Lett. 42, 1764 (1986).
29. A. J. Noreika, M. H. Francombe, and C. E. C. Wood, J. Appl. Phys. 52, 7416 (1981).
30. T. Nakada, T. Ikeda, M. Yata, and T. Osaka, Surf. Sci. 222, L825 (1989).
31. W. Li, T. Anan, and L. J. Schowalter, J. Cryst. Growth 135, 78 (1994).
32. J.-I. Chyi, S. Kalem, N. S. Kumar, C. W. Litton, and H. Morkoc, Appl. Phys. Lett. 53, 1092 (1988).
33. J. R. Söderström, M. M. Cumming, J.-Y. Yao, and T. G. Andersson, Semicond. Sci. Technol. 7, 337 (1992).
34. G. S. Lee, P. E. Thompson, J. L. Davis, J. P. Omaggio, and W. A. Schmidt, Solid-State Electron. 36, 387 (1993).
35. John L. Davis, Thin Solid Films 192, 111 (1990).
36. G. W. Turner, Semiconductor-based Heterostructures: Interfacial Structure and Stability, edited by M. L. Green, J. E. E. Baglin, G. Y. Chin, H. W. Deckman, W. Mayo, and D. Narasinham (Metallurgical Society, Pennsylvania, 1986).
37. H. Mizukami, K. Tsutsui, and S. Furukawa, Jpn. J. Appl. Phys. 30, 3349 (1991).
38. W. Li, T. Thundat, T. Anan, and L. J. Schowalter, J. Vac. Sci. Technol. B 13, 670 (1995).
39. W. Li, T. Anan, and L. J. Schowalter, J. Vac. Sci. Technol. B 12, 1067 (1994).
40. W. Li, T. Thundat, T. Anan, and L. J. Schowalter, Appl. Phys. Lett. 65, 595 (1994).
41. H. A. Mar, N. Salansky, and K. T. Chee, Appl. Phys. Lett. 44, 898 (1984).
42. J. M. Ballingall, W. J. Takei, and Bernard J. Feldman, Appl. Phys. Lett. 47, 599 (1985).
43. J. P. Faurie, C. Hsu, S. Sivananthan, and X. Chu, Surf. Sci. 168, 473 (1986).