Low-temperature epitaxy of KTaO3 and KNbO3 films

Journal of the Electrochemical Society

Volumn 155, Issue 1, 2008, Pages

  Goh, Gregory K L ^a   Chan, Kelvin Y S ^a   Tan, Barnabas S K ^b   Zhang, Y W ^b   Kim, J H ^c   Osipowicz, Thomas ^b  

^a INSTITUTE OF MATERIALS RESEARCH AND ENGINEERING   (Singapore)

^b NATIONAL UNIVERSITY OF SINGAPORE   (Singapore)

^c Chonnam National University   (South Korea)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

COMPRESSIVE STRESS; GROWTH TEMPERATURE; LATTICE MISMATCH; LOW TEMPERATURE EFFECTS; POTASSIUM COMPOUNDS; RUTHERFORD BACKSCATTERING SPECTROSCOPY; SINGLE CRYSTALS;

DIFFERENTIAL CONTRACTION; FILM BONDING; ORIENTED SINGLE-CRYSTALS;

EPITAXIAL FILMS;

EID: 36448976953     PISSN: 00134651     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1149/1.2801862     Document Type: Article

References (29)

1. O. G. Vendik, E. K. Hollmann, A. B. Kozyrev, and A. M. Prudan, J. Supercond., 12, 325 (1999).
2. H.-M. Christen, L. A. Boatner, J. D. Budai, M. F. Chisholm, L. A. Gea, P. Marrero, and D. P. Norton, Appl. Phys. Lett., 68, 1488 (1996).
3. H. Odagawa, K. Kotani, Y. Cho, and K. Yamanouchi, Jpn. J. Appl. Phys., 38, 3275 (1999).
4. B. M. Nichols, B. H. Hoerman, J.-H. Hwang, T. O. Mason, and B. W. Wessels, J. Mater. Res., 18, 106 (2003).
5. K. Suzuki, W. Sakamoto, T. Yogo, and S. Hirano, J. Am. Chem. Soc., 82, 1463 (1999).
6. G. K. L. Goh, C. G. Levi, and F. F. Lange, J. Mater. Res., 17, 2852 (2002).
7. C. K. Tan, G. K. L. Goh, and W. L. Cheah, Thin Solid Films, 515, 6577 (2007).
8. L. R. Doolittle, Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B, B9, 334 (1985).
9. G. K. L. Goh and S. K. Donthu, Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 718, D10.13 (2002).
10. Powder Diffraction File, Joint Committee on Powder Diffraction Standards, Swarthmore, PA, card no. 38-1470.
11. P. A. Langjahr, F. F. Lange, T. Wagner, and M. Rühle, Acta Mater., 46, 773 (1998).
12. A. G. Every and A. K. McCurdy, in Crystal and Solid State Physics, D. F. Nelson, Editor, Landolt-Börnstein, Group III, Low Frequency Properties of Dielectric Crystals, p. 29[a], Springer, Berlin (1992).
13. A. F. Chow, D. J. Lichtenwalner, R. R. Woolcott, Jr., T. M. Graettinger, O. Auciello, A. I. Kingon, L. A. Boatner, and N. R. Parikh, Appl. Phys. Lett., 65, 1073 (1994).
14. S. H. Wemple, Phys. Rev., 137, 157 (1965).
15. T. Neumann, G. Borstel, C. Scharfschwerdt, and M. Neumann, Phys. Rev. B, 46, 10623 (1992).
16. M. DiDomenico, Jr., and S. H. Wemple, Phys. Rev., 166, 565 (1968).
17. G. K. L. Goh, S. K. Donthu, and P. K. Pallathadka, Chem. Mater., 16, 2857 (2004).
18. J. S. Speck, A. Seifert, W. Pompe, and R. Ramesh, J. Appl. Phys., 76, 477 (1994).
19. G. K. L. Goh, S. M. Haile, C. G. Levi, and F. F. Lange, J. Mater. Res., 17, 3168 (2002).
20. G. K. L. Goh, F. F. Lange, S. M. Haile, and C. G. Levi, J. Mater. Res., 18, 338 (2003).
21. G. K. L. Goh, X. Q. Han, C. P. K. Liew, and C. S. S. Tay, J. Electrochem. Soc., 152, C532 (2005).
22. G. K. L. Goh, C. G. Levi, J. H. Choi, and F. F. Lange, J. Cryst. Growth, 286, 457 (2006).
23. R. W. Hoffman, Thin Solid Films, 34, 185 (1976).
24. L. B. Freund and E. Chason, J. Appl. Phys., 89, 4866 (2001).
25. F. Bottin, F. Finocchi, and C. Noguera, Surf. Sci., 574, 65 (2005).
26. S. Hutt, S. Köstlmeier, and C. Elsässer, J. Phys.: Condens. Matter, 13, 3949 (2001).
27. G. A. Samara and B. Morosin, Phys. Rev. B, 8, 1256 (1973).
28. D. de Ligny and P. Rischet, Phys. Rev. B, 53, 3013 (1996).
29. A. G. Evans and J. W. Hutchinson, Int. J. Solids Struct., 20, 455 (1984).