Inversion domains in GaN layers grown on (111) silicon by molecular-beam epitaxy

Applied Physics Letters

Volumn 78, Issue 18, 2001, Pages 2688-2690

  Sanchez A M ^a   Pacheco, F J ^a   Molina, S I ^a   Garcia, R ^a   Ruterana, P ^b   Sanchez Garcia M A ^c   Calleja, E ^c  

^a UNIVERSITY OF CÁDIZ   (Spain)

^b LABORATOIRE CRISMAT   (France)

^c UNIVERSIDAD POLITÉCNICA DE MADRID   (Spain)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0035971686     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1368373     Document Type: Article

References (21)

1. T. Sasaki and S. Zembatsu, J. Appl. Phys. 61, 2533 (1987).
2. C.-J. Sun and M. Razeghi, Appl. Phys. Lett. 63, 973 (1993).
3. B. N. Sverdlov, G. A. Martin, H. Morkoç, and D. J. Smith, Appl. Phys. Lett. 67, 2063 (1995).
4. S. Fujieda and Y. Matsumoto, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 30, L1665 (1991).
5. T. Lei, T. D. Moustakas, R. J. Graham, Y. He, and S. J. Berkowitz, J. Appl. Phys. 71, 4933 (1992).
6. S. D. Lester, F. A. Ponce, M. G. Craford, and D. A. Steigerwald, Appl. Phys. Lett. 66, 1249 (1995).
7. P. Vermaut, P. Ruterana, and G. Nouet, Philos. Mag. A 76, 1215 (1997).
8. V. Potin, P. Ruterana, and G. Nouet, J. Appl. Phys. 82, 2176 (1997).
9. Z. Liliental-Weber, H. Sohn, N. Newman, and J. Washburn, J. Vac. Sci. Technol. B 13, 1578 (1995).
10. P. Kung, A. Saxler, X. Zhang, D. Walker, T. C. Wang, I. Ferguson, and M. Razeghi, Appl. Phys. Lett. 66, 2958 (1995).
11. M. A. Sanchez-Garcia, E. Calleja, F. J. Sanchez, F. Calle, E. Monroy, D. Basak, E. Muñoz, C. Villar, A. Sanz-Hervas, M. Aguilar, J. J. Serrano, and J. M. Blanco, J. Electron. Mater. 27, 276 (1998).
12. T. Takeuchi, H. Amano, K. Hiramatsu, N. Sawaki, and I. Akasaki, J. Cryst. Growth 115, 634 (1991).
13. D. M. Follstaedt, J. Han, P. Provencio, and J. G. Fleming, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 4S1, G3.72 (1999).
14. S. I. Molina, A. M. Sanchez, F. J. Pacheco, R. Garcia, M. A. Sanchez-Garcia, F. J. Sanchez, and E. Calleja, Appl. Phys. Lett. 74, 3362 (1999).
15. L. T. Romano, J. E. Northrup, and M. A. O'Keefe, Appl. Phys. Lett. 69, 2394 (1996).
16. F. A. Ponce, D. Cherns, W. T. Young, J. W. Steeds, and S. Nakamura, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 449, 405 (1997).
17. D. Cherns, W. T Young, M. Saunders, J. W. Steeds, F. A. Ponce, and S. Nakamura, Philos. Mag. A 77, 273 (1998).
18. T. Palacios, F. Calle, M. Varela, C. Ballesteros, E. Monroy, F. B. Naranjo, M. A. Sanchez-Garcia, E. Calleja, and E. Munoz, Semicond. Sci. Technol. 15, 996 (2000).
19. R. Serneels, M. Snykers, P. Delavignette, R. Gevers, and S. Amelinckx, Phys. Status Solidi B 58, 277 (1973).
20. V. Potin, G. Nouet, and P. Ruterana, Philos. Mag. A 79, 2899 (1999).
21. P. Ruterana, V. Potin, B. Barbaray, and G. Nouet, Philos. Mag. A 80, 937 (2000).