Wide band gap ferromagnetic semiconductors and oxides

Journal of Applied Physics

Volumn 93, Issue 1, 2003, Pages 1-13

  Pearton, S J ^a   Abernathy, C R ^a   Overberg, M E ^a   Thaler, G T ^a   Norton, D P ^a   Theodoropoulou, N ^b   Hebard, A F ^b   Park, Y D ^c   Ren, F ^a   Kim, J ^a   Boatner, L A ^d  

^a University of Florida   (United States)

^b Seoul National University ^*  (United States)

^c Seoul National University   (South Korea)

^d OAK RIDGE NATIONAL LABORATORY   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ACTUATORS; FERROMAGNETIC MATERIALS; FERROMAGNETISM; MICROELECTRONICS; MODULATORS; MOLECULAR BEAM EPITAXY; OPTICAL PROPERTIES; OPTICAL SWITCHES; PULSED LASER DEPOSITION; SEMICONDUCTING GALLIUM COMPOUNDS; SENSORS; THIN FILMS;

MAGNETIC SENSORS;

MAGNETIC SEMICONDUCTORS;

EID: 0037258011     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1517164     Document Type: Review

References (185)

1. S. Das Sarma, J. Fabian X. Hu and Z. Zutic, IEEE Trans. Magn. 36, 2821 (2000).
2. G. A. Prinz, Science 282, 1660 (1998).
3. P. R. Hammar, B. R. Bennett, M. Y. Yang, and M. Johnson, Phys. Rev. Lett. 83, 203 (1999).
4. D. D. Awschalom and J. M. Kikkawa, Phys. Today 52, 33 (1999).
5. J. M. Kikkawa, I. P. Smorchkova, N. Samarth, and D. D. Awschalom, Science 277, 1284 (1997).
6. J. M. Kikkawa and D. D. Awschalom, Science 287, 473 (2000).
7. S. A. Wolf and D. Treger, IEEE Trans. Magn. 36, 2748 (2000).
8. J. Gregg, J. Magn. Magn. Mater. 175, 1 (1997).
9. M. Johnson, IEEE Spectrum 31, 47 (1994).
10. H. Ohno, Science 281, 951 (1998).
11. H. Ohno, J. Magn. Magn. Mater. 200, 110 (1999).
12. P. Ball, Nature (London) 404, 918 (2000).
13. H. Ohno, J. Vac. Sci. Teehnol. B 18, 2039 (2000); H. Ohno, F. Matsukura, and Y. Ohno, Jap. Soc. Appl. Phys, Int. 5, 4 (2002).
14. H. Ohno, J. Vac. Sci. Teehnol. B 18, 2039 (2000); H. Ohno, F. Matsukura, and Y. Ohno, Jap. Soc. Appl. Phys, Int. 5, 4 (2002).
15. T. M. Pekarek, B. C. Crooker, I. Miotkowski, and A. K. Ramdas, J. Appl. Phys. 83, 6557 (1998).
16. H. Ohno, D. Chibu, F. Matsukura, T. Omiya, E. Abe, T. Died, Y. Ohno, and K. Ohtani, Nature (London) 408, 944 (2000).
17. G. Prinz and K. Hathaway, Phys. Today 48, 24 (1995).
18. M. Tanaka, J. Cryst. Growth 201/202, 660 (1999).
19. T. Dietl, in Handbook on Semiconductors, edited by T. S. Moss (North-Holland, Amsterdam, 1994), Vol. 38, p. 1251.
20. K. Sato and H. Katayama-Yoshida, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 40, 4485 (2001).
21. H. Ohno and F. Matsukura, Solid State Commun. 117, 179 (2001).
22. S. A. Wolf, D. D. Awschalom, R. A. Buhrman, J. M. Daughton, S. von Molnar, M. L. Roukes, A. Y. Chtchelkanova, and D. M. Treger, Science 294, 1488 (2001).
23. H. Ohno, H. Munekata, S. von Molnar, and L. L. Chang, J. Appl. Phys. 69, 6103 (1991).
24. F. Holtzberg, S. von Molnar, and J. M. D. Coey, Handbook on Semicon ductors, edited by T. S. Moss (North-Holland, Amsterdam, 1980), p. 803.
25. A. Fert, P. Grunberg, A. Barthelemy, F. Petroff, and W. Zinn, J. Magn. Magn. Mater. 140-144, 1 (1995).
26. Ultra Thin Magnetic Structures, edited by J. A. C. Bland and B. Heinrich (Springer, Berlin, 1994), Vols. I and II.
27. C. H. Tsang, R. E. Fontana, Jr., T. Lin, D. E. Heim, B. A. Gurney, and M. L. Williams, IBM J. Res. Dev. 42, 103 (1998).
28. J. M. Daughton, P. Bade, M. Jenson, and M. Rahmati, IEEE Trans. Magn. 28, 2488 (1992).
29. S. S. P. Parkin, Phys. Rev. Lett. 71, 1641 (1993).
30. F. Matsukura, H. Ohno, A. Shen, and Y. Sugawara, Phys. Rev. B 57, R2037 (1998).
31. H. Ohno, A. Shen, F. Matsukura, A. Oiwa, A. Endo, S. Katsumoto, and Y. Iye, Appl. Phys, Lett. 69, 363 (1996).
32. R. Shioda, K. Ando, T. Hayashi, and M. Tanaka, Phys. Rev. B 58, 1100 (1998).
33. Y. Satoh, N. Inoue, Y. Nishikawa, and J. Yoshino, Proceedings of the 3rd Symposium on Physics and Applications of Spin-Related Phenomena in Semiconductors, November 1997, Sendai, Japan, edited by H. Ohno, J. Yoshino, and Y. Oka, (Jap. Soc. Appl. Phys., Tokyo) p. 23.
34. T. Hayashi, M. Tanaka, T. Nishinaga, H. Shimoda, H. Tsuchiya, and Y. Otsuka, J. Cryst. Growth 175, 1063 (1997).
35. A. Van Esch et al., Phys. Rev. B 56, 13103 (1997).
36. B. Beschoten, P. A. Crowell, I. Malajovich, D. D. Awschalom, F. Matsukura, A. Shen, and H. Ohno, Phys. Rev. Lett. 83, 3073 (1999).
37. M. Tanaka, J. Vac. Sci. Technol. B 16, 2267 (1998).
38. Y. Nagai, T. Kunimoto, K. Nagasaka, H. Nojiri, M. Motokawa, F. Matsukura, T. Dietl, and H. Ohno, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 40, 6231 (2001).
39. J. Sadowski et al., Appl. Phys. Lett. 78, 3271 (2001).
40. A. Shen. F. Matsukura, S. P. Guo, Y. Sugawara, H. Ohno, M. Tani, A. Abe, and H. C. Liu, J. Cryst. Growth 201/202, 379 (1999).
41. H. Shimizu, T. Hayashi, T. Nishinaga, and M. Tanaka, Appl. Phys. Lett. 74, 398 (1999).
42. B. Grandidier, J. P. Hys, C. Delerue, D. Stievenard, Y. Higo, and M. Tanaka, Appl. Phys. Lett. 77, 4001 (2000).
43. R. K. Kawakami, E. Johnson-Halperin, L. F. Chen, M. Hanson, N. Guebels, J. S. Speck, A. C. Gossard, and D. D. Awschalom, Appl. Phys. Lett. 77, 2379 (2000).
44. K. Ando, T. Hayasbi, M. Tanaka, and A. Twardowski, J. Appl. Phys. 83, 6548 (1998).
45. D. Chiba, N. Akiba, F. Matsukura, Y. Ohno, and H. Ohno, Appl. Phys. Lett. 77, 1873 (2000).
46. H. Ohno, F. Matsukura, T. Owiya, and N. Akiba, J. Appl. Phys. 85, 4277 (1999).
47. T. Hayashi, M. Tanaka, T. Nishinaga, and H. Shimada, J. Appl. Phys. 81, 4865 (1997).
48. T. Hayashi, M. Tanaka, K. Seto, T. Nishinaga, and K. Ando, Appl. Phys. Lett. 71, 1825 (1997).
49. A. Twardowski, Mater. Sci. Eng., B 63, 96 (1999).
50. T. Hayashi, M. Tanaka, and A. Asamitsu, J. Appl. Phys. 87, 4673 (2000).
51. N. Akiba, D. Chiba, K. Natata, F. Matsukura, Y. Ohno, and H. Ohno, J. Appl. Phys. 87, 6436 (2000).
52. S. J. Potashnik, K. C. Ku, S. H. Chun, J. J. Berry, N. Samarth, and P. Schiffer, Appl. Phys. Lett. 79, 1495 (2001).
53. G. M. Schott, W. Faschinger, and L. W. Molenkanp, Appl. Phys. Lett. 79, 1807 (2001).
54. H. Munekata, H. Ohno, S. von Molnar, A. Segmuller, L. L. Chang, and L. Esaki, Phys. Rev. Lett. 63, 1849 (1989).
55. H. Akai, Phys. Rev. Lett. 81, 3002 (1998).
56. H. Ohno, H. Munekata, T. Penney, S. von Molnar, and L. L. Chang, Phys. Rev. Lett. 68, 2664 (1992).
57. H. Munekata, A. Zaslevsky, P. Fumagalli, and R. J. Gambino, Appl. Phys. Lett. 63, 2929 (1993).
58. S. Koshihara, A. Oiwa, M. Hirasawa, S. Katsumoto, Y. Iye, C. Urano, H. Takagi, and H. Munekata, Phys. Rev. Lett. 78, 4617 (1997).
59. Y. L. Soo, S. W. Huang, Z. H. Ming, Y. H. Kao, and H. Munekata, Phys. Rev. B 53, 4905 (1996).
60. A. Oiwa, T. Slupinski, and H. Munekata, Appl. Phys. Lett. 78, 518 (2001).
61. Y. Nishikawa, A. Tackeuchi, M. Yamaguchi, S. Muto, and O. Wada, IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron. 2, 661 (1996).
62. T. Slupinski, H. Munekata, and A. Oiwa, Appl. Phys. Lett. 80, 1592 (2002).
63. I. Malajovich, J. M. Kikkawa, D. D. Awschalom, J. J. Berry, and N. Samarth, Phys. Rev. Lett. 84, 1015 (2000).
64. P. R. Hammar, B. R. Bennett, M. Y. Yang, and M. Johnson, J. Appl. Phys. 87, 4665 (2000).
65. A. Hirohata, Y. B. Xu, C. M. Guetler, and J. A. C. Bland, J. Appl. Phys. 87, 4670 (2000).
66. M. Johnson, J. Vac. Sci. Technol. A 16, 1806 (1998).
67. C. Gould, G. Schmidt, G. Richler, R. Fiederling, P. Grabs, and L. W. Molenkamp, Appl. Surf. Sci. 190, 395 (2002).
68. R. Fiederling, M. Kein, G. Rerescher, W. Ossan, G. Schmidt, A. Wang, and L. W. Molenkamp, Nature (London) 402, 787 (1999).
69. G. Burghs and J. De Boeck, Mater. Sci. Eng., B 84, 75 (2001).
70. Y. Ohno, D. K. Young, B. Bescholen, F. Matsukura, H. Ohno, and D. D. Awschalom, Nature (London) 402, 790 (1999).
71. B. T. Jonker, Y. D. Park, B. R. Bennett, H. D. Cheong, G. Kiseoglou, and A. Petrou, Phys. Rev. B 62, 8180 (2000).
72. Y. D. Park, B. T. Jonker, B. R. Bennett, G. Itskos, M. Furis, G. Kioseoglou, and A. Petrou, Appl. Phys. Lett. 77, 3989 (2000).
73. G. Schmidt, D. Ferrand, L. W. Molenkamp, A. T. Filip, and B. J. van Wees, Phys. Rev. B 62, R4790 (2000).
74. Y. Q. Jin, R. C. Shi, and S. J. Chou, IEEE Trans. Magn. 32, 4707 (1996).
75. C. M. Hu, J. Nitta, A. Jensen, J. B. Hansen, and H. Takayanagai, Phys. Rev. B 63, 125333 (2001).
76. F. G. Monzon, H. X. Tang, and M. L. Roukes, Phys. Rev. Lett. 84, 5022 (2000).
77. S. Gardelis, C. G. Smith, C. H. W. Barnes, E. H. Linfield, and J. Ritchie, Phys. Rev. B 60, 7764 (1999).
78. H. J. Zhu, M. Ramsteiner, H. Kostial, M. Wassermeier, H. P. Schononherr, and K. H. Ploog, Phys. Rev. Lett. 87, 016601 (2001).
79. M. Kohda, Y. Ohno, K. Takamura, F. Matsukura, and H. Ohno, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 40, L1274 (2001).
80. H. Breve, S. Nemeth, Z. Liu, J. De Boeck, and G. Borghs, J. Magn. Magn. Mater. 226-230, 933 (2001).
81. J. A. Katine, F. J. Albert, R. A. Buhrmnan, E. D. Myers, and D. C. Ralph, Phys. Rev. Lett. 84, 3149 (2000).
82. J. Nitta, T. Ahazaki, H. Takayanngi, and T. Enoki, Phys. Rev. Lett. 78, 1335 (1997).
83. R. Buhrman, WTEC Spin Electronics Workshop, Washington, DC, 2 November 2001 (viewgraphs from the presentation are available at http://www.wtec.org/spin/views/buhrman/index.htm).
84. There are several useful resources available at http://www.wtec.org, from the World Technology (WTEC) study on spin electronics, including "Spin Electronics: Highlights of Recent US Research and Developments Activities in Spin Electronics" (http://www.wtec.org/spin_us summary.pdf) and viewgraphs from the WTEC Workshop on Spin Electronics (http://www.wtec.org/spin/views/index/htm).
85. T. Dietl, H. Ohno, F. Matsukura, J. Cibert, and D. Ferrand, Science 287, 1019 (2000).
86. C. Zener, Phys. Rev. 81, 440 (1950); 83, 299 (1950).
87. C. Zener, Phys. Rev. 81, 440 (1950); 83, 299 (1950).
88. See, for example, Introduction to Nitride Semiconductor Blue Lasers and Light-Emitting Diodes, edited by S. Nakamura and S. F. Chichibu (Taylor and Francis, London, 2000).
89. S. Nakamura, S. J. Pearton, and G. Fasol, The Blue Laser Diode (Springer, Berlin, 2000).
90. H. Morkoç, A. Di Carlo, and R. Cingolani, Solid-State Electron. 46, 157 (2002).
91. See, for example, the special issue of IEEE Trans. Electron. Devices 48, 405 (2001), edited by U. K. Mishra and J. C. Zolper.
92. S. J. Pearton, F. Ren, A. P. Zhang, and K. P. Lee, Mater. Sci. Eng., R. 30, 55 (2000).
93. See, for example, H. Morkoç, Mater. Sci. Eng., R. 33, 135 (2001); Nitride Semiconductors and Devices (Springer, Berlin, 1999).
94. See, for example, H. Morkoç, Mater. Sci. Eng., R. 33, 135 (2001); Nitride Semiconductors and Devices (Springer, Berlin, 1999).
95. S. J. Pearton, J. C. Zolper, R. J. Shul, and F. Ren, J. Appl. Phys. 86, 1 (1999).
96. Some of the data are taken from B. E. Foutz; see http://iiivtn.cornell.edu/www/foutz/nitride.html).
97. O. Brandt, H. Yang, H. Kostial, and K. H. Ploog, Appl. Phys. Lett. 69, 2707 (1996).
98. Y. Zohta, Y. Iwasaki, S. Nakamura, and T. Mukai, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 40, L423 (2001).
99. T. Yamamoto and H. Katayama-Yoshida, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 36, L180 (1997).
100. H. Katayama-Yoshida, R. Kato, and T. Yamamoto, J. Cryst. Growth 231, 438 (2001).
101. P. Kozodoy, M. Hansen, S. P. DenBaars, and U. K. Mishra, Appl. Phys. Lett. 74, 3681 (1999).
102. I. D. Goepfert, E. F. Schubert, A. Osinsky, P. E. Norris, and N. N. Faleev, J. Appl. Phys. 88, 2030 (2000).
103. A. Y. Polyakov, N. B. Smirnov, A. V. Govorkov, A. V. Osinsky, P. E. Norris, S. J. Pearton, J. Van Hove, A. M. Wowchack, and P. P. Chow, J. Appl. Phys. 90, 4032 (2001).
104. R. Zeisel, M. W. Bayerl, S. T. B. Goennenwein, R. Dmitrov, O. Ambacher, M. S. Brandt, and M. Stutzmann, Phys. Rev. B 61, 16283 (2000).
105. T. L. Tansley, E. M. Goldys, M. Godlewsld, B. Zhan, and H. Y. Zou, GaN and Related Materials, edited by S. J. Pearton (Gordon and Breach, Amsterdam, 1997), Chap. 8.
106. C. M. Wolfe, N. Holonyak, Jr., and G. E. Stillman, Physical Properties of Semiconductors (Prentice-Hall, Englewood Cliffs, NJ, 1989).
107. A. R. Hutson, Phys. Rev. 108, 222 (1957).
108. D. C. Look, J. W. Hemsky, and J. R. Sizelove, Phys. Rev. Lett. 82, 2552 (1999).
109. K. Minegishi, 55 Koiwai, Y. Kikuchi, K. Yano, M. Kasuga, and A. Shimizu, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 36, L1453 (1997).
110. C. Rouleau, S. Kang, and D. Lowndes (unpublished).
111. T. Yamamoto and H. Katayama-Yoshida, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 38, L166 (1999).
112. M. Joseph, H. Tabata, and T. Kawai, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 38, L2505 (1999).
113. T. Aoki, Y. Hatanaka, and D. C. Look, Appl. Phys. Lett. 76, 3257 (2000).
114. Y. R. Ryu, S. Zhu, D. C. Look, J. M. Wrobel, H. M. Jeong, and H. W. White, J. Cryst. Growth 216, 330 (2000).
115. J. Blinowski, P. Kacman, and J. A. Majewski, Phys. Rev. B 53, 9524 (1996).
116. T. Dietl, H. Ohno, and F. Matsukura, Phys. Rev. B 63, 195205 (2001).
117. T. Dietl, J. Cibert, D. Ferrand, and Y. Merle d'Aubigne, Mater. Sci. Eng., B 63, 103 (1999).
118. T. Died, J. Cibert, D. Ferrand, and Y. Merle d'Aubigne, Phys. Rev. B 55, 3347 (1997).
119. T. Dietl, J. Appl. Phys. 89, 7437 (2001).
120. K. Nishizawa and O. Sakai, Physica B 281/282, 468 (2000).
121. J. Schliemann, J. Konig, and A. H. MacDonald, Phys. Rev. B 64, 165201 (2001).
122. J. Schliemann, J. Konig, H. H. Lin, and A. H. MacDonald, Appl. Phys. Lett. 78, 1550 (2001).
123. J. Konig, H. H. Lin, and A. H. MacDonald, Phys. Rev. Lett. 84, 5628 (2000).
124. T. Jungwirth, W. A. Atkinson, B. H. Lee, and A. H. MacDonald, Phys. Rev. B 59, 9818 (1999).
125. B. Lee, T. Jungwirth, and A. H. MacDonald, Phys. Rev. B 61, 15606 (2000).
126. T. Dietl, J. Konig, and A. H. MacDonald, Phys. Rev. B 64, 241201 (2001).
127. M. Abolfath, T. Jungwirth, J. Brum, and A. H. MacDonald, Phys. Rev. B 63, 054418 (2001).
128. J. Konig, T. Jungwirth, and A. H. MacDonald, Phys. Rev. B 64, 184423 (2001).
129. V. I. Litvinov and V. K. Dugaev, Phys. Rev. Lett. 86, 5593 (2001).
130. M. Berciu and R. N. Bhatt, Phys. Rev. Lett. 87, 107203 (2001).
131. M. Berciu and R. N. Bhatt, cond-mat/0111045.
132. I. Vurgafturman and J. R. Meyer, Phys. Rev. B 64, 245207 (2001).
133. J. Fernandez-Rossier and L. J. Sham, Phys. Rev. B 64, 235323 (2001).
134. M. von Schilfgaarde and O. N. Myrasov, Phys. Rev. B 63, 233205 (2001).
135. C. Y. Fong, V. A. Gubanov, and C. Boekema, J. Electron. Mater. 29, 1067 (2000).
136. G. A. Medvedkin, T. Ishibashi, T. Nishi, and K. Hiyata, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 39, L949 (2000).
137. M. L. Reed, M. K. Ritums, H. H. Stadelmaier, M. J. Reed, C. A. Parker, S. M. Bedair, and N. A. El-Masry, Mater. Lett. 51, 500 (2001).
138. M. K. Reed, N. A. El-Masry, H. H. Stadelmaier, M. K. Ritums, M. J. Reed, C. A. Parker, J. C. Roberts, and S. M. Bedair, Appl. Phys. Lett. 79, 3473 (2001).
139. G. T. Thaler et al., Appl. Phys. Lett. 80, 3964 (2002).
140. S. Sonoda, S. Shimizu, T. Sasaki, Y. Yamamoto, and H. Hori, J. Cryst. Growth 237-239, 1358 (2002).
141. K. Ueda, H. Takata, and T. Kawai, Appl. Phys. Lett. 79, 988 (2001).
142. S. A. Chambers et al., Appl. Phys. Lett. 79, 3467 (2001).
143. Y. Matsumoto et al., Science 291, 854 (2001).
144. N. Theodoropoulou, A. F. Hebard, M. E. Overberg, C. R. Abernathy, S. J. Pearton, S. N. G. Chu, and R. G. Wilson, Phys. Rev. Lett. 89, 107203 (2002).
145. M. E. Overberg et al., Materials Research Society Fall Meeting, Boston, 2001 J. Vac. Sci. Technol. B 20, 969 (2002).
146. S. Cho et al. Phys. Rev. Lett. 88, 257203 (2002).
147. G. A. Medvedkin, K. Hirose, T. Ishibashi, T. Nishi, V. G. Voevodin, and K. Sato, J. Cryst. Growth 236, 609 (2002).
148. M. Hashimoto, Y. Z. Zhou, M. Kanamura, and H. Asahi, Solid State Commun. 122, 37 (2002).
149. S. Choi, G. B. Cha, S. C. Hong, S. Cho, Y. Kim, J. B. Ketterson, S. Y. Jeong, and G. C. Yi, Solid State Commun. 122, 165 (2002).
150. S. J. Pearton et al., J. Appl. Phys. 92, 2047 (2002).
151. N. Theodoropoulon, K. P. Lee, M. E. Overberg, S. N. G. Chu, A. F. Hebard, C. R. Abernathy, S. J. Pearton, and R. G. Wilson, J. Nanoscience and Nanotechnol. 1, 1012 (2001).
152. N. Theodoropoulou, A. F. Hebard, M. E. Overberg, C. R. Abernathy, S. J. Pearton, S. N. G. Chu, and R. G. Wilson, Appl. Phys. Lett. 78, 3475 (2001).
153. N. Theodoropoulou, A. F. Hebard, M. E. Overberg, S. J. Pearton, C. R. Abernathy, S. N. G. Chu, and R. G. Wilson, J. Appl. Phys. 91, 7499 (2002).
154. N. Theodoropoulou, M. E. Overberg, S. N. G. Chu, A. F. Hebard, C. R. Abernathy, R. G. Wilson, J. M. Zavada, K. P. Lee, and S. J. Pearton, Phys. Status Solidi B 228, 337 (2001).
155. N. Theodoropoulou, A. F. Hebard, S. N. G. Chu, M. E. Overberg, C. R. Abernathy, S. J. Pearton, R. G. Wilson, and J. M. Zavada, Appl. Phys. Lett. 79, 3452 (2001).
156. S. J. Pearton, N. Theodoropoulou, M. E. Overberg, C. R. Abernathy, A. F. Hebard, S. N. G. Chu, R. G. Wilson, and J. M. Zavada, Mater. Sci. Eng., B 94, 159 (1992).
157. S. J. Pearton et al., J. Vac. Sci. Technol. A 20, 721 (2002).
158. K. P. Lee, S. J. Pearton, M. E. Overberg, C. R. Abernathy, R. G. Wilson, S. N. G. Chu, N. Theodoropoulou, A. F. Hebard, and J. M. Zavada, J. Electron. Mater. 31, 411 (2002).
159. N. Theodoropoulou, A. F. Hebard, S. N. G. Chu, M. E. Overberg, C. R. Abernathy, S. J. Pearton, R. G. Wilson, and J. M. Zavada, Electrochem. Solid-State Lett. 4, G119 (2001).
160. S. J. Pearton, K. P. Lee, M. E. Overberg, C. R. Abernathy, N. Theodoropoulou, A. F. Hebard, R. G. Wilson, S. N. G. Chu, and J. M. Zavada, J. Electron. Mater. 31, 411 (2002).
161. N. Theodoropoulou, A. F. Hebard, S. N. G. Chu, M. E. Overberg, C. R. Abernathy, S. J. Pearton, R. G. Wilson, J. M. Zavada, and Y. D. Park, J. Vac. Sci. Technol. A 20, 579 (2002).
162. M. E. Overberg, N. Theodoropoulou, S. N. G. Chu, S. J. Pearton, C. R. Abernathy, A. F. Hebard, R. G. Wilson, and J. M. Zavada, Mater. Sci. Eng., B 94, 14 (2002).
163. M. E. Overberg, B. P. Gila, C. R. Abernathy, S. J. Pearton, M. A. Theodoropoulou, K. T. McCarthy, S. B. Arnason, and A. F. Hebard, Appl. Phys. Lett. 79, 3128 (2001).
164. W. Gebicki, J. Strzeszewski, G. Kamler, T. Szyszko, and S. Podsiadlo, Appl. Phys. Lett. 76, 3870 (2000).
165. M. Zajac et al., Appl. Phys. Lett. 78, 1276 (2001).
166. M. Zajac, J. Gosk, M. Kaminska, A. Twardowski, T. Szyszko, and S. Podsiadlo, Appl. Phys. Lett. 79, 2432 (2001).
167. T. Szyszko et al., J. Cryst. Growth 253, 631 (2001).
168. S. Kuwabara, T. Kondo, T. Chikyow, R. Ahmet, and H. Munekata, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 40, L724 (2001).
169. M. E. Overberg, C. R. Abernathy, S. J. Pearton, N. A. Theodoropoulou, K. T. McCarthy, and A. F. Hebard, Appl. Phys. Lett. 79, 1312 (2001).
170. Y. L. Soo, G. Kioseogluu, S. Kim, S. Huang, Y. H. Kao, S. Kowabara, S. Owa, T. Kondo, and H. Munekata, Appl. Phys. Lett. 79, 3926 (2001).
171. H. Akinaga, S. Nemeth, J. De Boeck, L. Nistor, H. Bender, G. Borghs, H. Ofuchi, and M. Oshima, Appl. Phys. Lett. 77, 4377 (2000).
172. U. Wahl, A. Vantomme, G. Langouche, J. C. Corriera, and L. Peralta, Appl. Phys. Lett. 78, 3217 (2001).
173. K. Sato and H. Katayama-Yoshida, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 39, L555 (2000).
174. T. Wakano, N. Fujimura, Y. Morinaga, N. Abe, A. Ashida, and T. Ito, Physica C 10, 260 (2001).
175. T. Fukumura, Z. Jin, A. Ohtomo, H. Koinuma, and M. Kawasaki, Appl. Phys. Lett. 75, 3366 (1999).
176. H. Tang, H. Berger, P. E. Schmid, and F. Levy, Solid State Commun. 92, 267 (1994).
177. M. E. Tobar, J. Krupka, E. N. Ivanov, and R. A. Woode, J. Appl. Phys. 83, 1604 (1998).
178. H. Tang, K. Prasad, R. Sanjines, P. E. Schmid, and F. Levy, J. Appl. Phys. 75, 2042 (1994).
179. E. Yagi, R. R. Hasiguti, and M. Aono, Phys. Rev. B 54, 7945 (1996).
180. J. W. DeFord and O. W. Johnson, J. Appl. Phys. 54, 889 (1983).
181. R. Y. Korortiev, J. M. Gregie, and B. W. Wessels, Appl. Phys. Lett. 80, 1731 (2002).
182. R. N. Bhatt, M. Berciu, M. D. Kennett, and X. Wan, J. Supercond. 15, 71 (2002).
183. P. A. Cox, Transition Metal Oxides (Oxford University Press, New York, 1992).
184. D. S. Ginley and C. Bright, MRS Bull. 25, 37 (2000).
185. H. L. Hartnagel, A. L. Dawar, A. K. Jain, and Jagadish, Semiconducting Transparent Thin Films (IOP, London, 1995).