Impact of the morphological and electrical properties of SiO 2/4H-SiC interfaces on the behavior of 4H-SiC MOSFETs

ECS Journal of Solid State Science and Technology

Volumn 2, Issue 8, 2013, Pages

  Roccaforte, Fabrizio ^a   Fiorenza, Patrick ^a   Giannazzo, Filippo ^a  

^a CNR   (Italy)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 84886910165     PISSN: 21628769     EISSN: 21628777     Source Type: Journal    
DOI: 10.1149/2.002308jss     Document Type: Article

References (53)

1. F. Roccaforte, F. Giannazzo, F. Iucolano, J. Eriksson, M. H. Weng, and V. Raineri, Appl. Surf. Sci., 256, 5727 (2010).
2. H. Okumura, Jap. J. Appl. Phys., 45, 7565 (2006).
3. K. Matocha, Solid-State Electronics, 52, 1631 (2008).
4. J. Millán, IET Circuits Devices Syst., 1, 372 (2007).
5. M. K. Das, Mat. Sci. Forum, 457-460, 1275 (2004).
6. S.-H. Ryu, S. Dhar, S. Haney, A. Agarwal, A. Lelis, B. Geil, and C. Scozzie, Mater. Sci. Forum, 615-617, 743 (2009).
7. www.cree.com.
8. www.rohm.com.
9. F. Roccaforte, F. Giannazzo, and V. Raineri, J. Phys. D: Appl. Phys., 43, 223001 (2010).
10. V. V. Afanas'ev, F. Ciobanu, S. Dimitrijev, G. Pensl, and A. Stesmans, J. Phys.: Condens. Matter, 16, S1839 ( 2004).
11. F. Ciobanu, G. Pensl, V. V. Afanas'ev, and A. Schöner, Mater. Sci. Forum, 483-485, 693 (2005).
12. E. Arnold and D. Alok, IEEE Trans. Electron Devices, 48, 1870 (2001).
13. N. S. Saks and A. K. Agarwal, Appl. Phys. Lett., 77, 3281 (2000).
14. H. Li, S. Dimitrijev, H. B. Harrison, and D. Sweatman, Appl. Phys. Lett., 70, 2028 (1997).
15. G. Y. Chung, C. C. Tin, J. R. Williams, K. McDonald, M. Di Ventra, S. T. Pantelides, L. C. Feldman, and R. A. Weller, Appl. Phys. Lett., 76, 1713 (2000).
16. L. A. Lipkin, M. K. Das, and J. W. Palmour, Mat. Sci. Forum, 389-393, 985 (2002).
17. C.-Y. Lu, J. A. Cooper, T. Tsuji, G. Chung, J. R. Williams, K. McDonald, and L. C. Feldman, IEEE Trans. Electron Dev., 50, 1582 (2003).
18. G. Y. Chung, C. C. Tin, J. R. Williams, K. McDonald, R. K. Chanana, R. A. Weller, S. T. Pantelides, and L. C. Feldman, IEEE Electron Device Lett., 22, 176 (2001).
19. J. Rozen, A. C. Ahyi, X. Zhu, J. R. Williams, and L. C. Feldman, IEEE Trans. Electron Dev., 58, 3808 (2011).
20. Y. Wang, T. Khan, M. K. Balasubramanian, H. Naik, W. Wang, and T. Paul Chow, IEEE Trans. Electron Devices, 55, 2046 (2008).
21. S.-H. Ryu, S. Dhar, S. Haney, A. Agarwal, A. Lelis, B. Geil, and C. Scozzie, Mater. Sci. Forum, 615-617, 743 (2009).
22. F. Allerstam, G. Gudjönsson, H. Ö. Ó lafsson, E. Ö. Sveinbjörnsson, T. Rödle, and R. Jos, Semiconductor Sci. Technol., 22, 307 (2007).
23. D. Okamoto, H. Yano, K. Hirata, T. Hatayama, and T. Fuyuki, IEEE Electron Dev. Lett., 31, 710 (2010).
24. H. Yano, T. Araoka, T. Hatayama, and T. Fuyuki, Mat. Sci. Forum, 740-742, 727 (2013).
25. P. Jamet, S. Dimitrijev, and P. Tanner, J. Appl. Phys., 90, 5058 (2001).
26. T. Umeda, K. Esaki, R. Kosugi, K. Fukuda, T. Ohshima, N. Morishita, and J. Isoya, Appl. Phys. Lett., 99, 142105 (2011).
27. R. Kosugi, T. Umeda, and Y. Sakuma, Appl. Phys. Lett., 99, 182111 (2011).
28. D. K. Schroder, Semiconductor Material and Device Characterization, Third Edition, John Wiley & Sons, Hoboken, New Jersey, 2006.
29. P. Eyben, M. Xu, N. Duhayon, T. Clarysse, S. Callewaert, and W. Vandervorst, J. Vac. Sci. Technol. B, 20, 471 (2002).
30. F. Giannazzo, F. Roccaforte, and V. Raineri, Appl. Phys. Lett., 91, 202104 (2007).
31. A. Frazzetto, F. Giannazzo, P. Fiorenza, V. Raineri, and F. Roccaforte, Appl. Phys. Lett., 99, 072117 (2011).
32. P. Fiorenza, F. Giannazzo, A. Frazzetto, and F. Roccaforte, J. Appl. Phys., 112, 084501 (2012).
33. L. K. Swanson, P. Fiorenza, F. Giannazzo, A. Frazzetto, and F. Roccaforte, Appl. Phys. Lett., 101, 193501 (2012).
34. T. Troffer, M. Schadt, T. Frank, H. Itoh, G. Pensl, J. Heindl, H. P. Strunk, and M. Maier, phys. status solidi (a), 162, 277 (1997).
35. Y. Negoro, K. Katsumoto, T. Kimoto, and H. Matsunami, J. Appl. Phys., 96, 224 (2004).
36. F. Giannazzo, F. Roccaforte, and V. Raineri, Appl. Phys. Lett., 91, 202104 (2007).
37. M. Rambach, A. J. Bauer, and H. Ryssel, Phys. Stat. Sol. (b), 245, 1315 (2008).
38. K. V. Vassilevski and N. G. Wright et al., Semicond. Sci. Technol., 20, 271 (2005).
39. R. Nipoti, F. Mancarella, F. Moscatelli, R. Rizzoli, S. Zampolli, and M. Ferri, Elec-trochem. Solid-State Lett., 13, H432 (2010).
40. A. Frazzetto, F. Giannazzo, R. Lo Nigro, V. Raineri, and F. Roccaforte, J. Phys. D: Appl. Physics, 44, 255302 (2011).
41. S. Haney and A. Agarwal, Journal of Electronic Materials, 37(5), 666 (2008).
42. H. Naik, K. Tang, and T. P. Chow, Mater. Sci. Forum, 615-617, 773 (2009).
43. T. Masuda, S. Harada, T. Tsuno, Y. Namikawa, and T. Kimoto, Mater. Sci. Forum, 600-603, 695 (2009).
44. K. K. Lee, T. Ohshima, A. Ohi, H. Itoh, and G. Pensl, Jap. J. Appl. Phys., 45, 6830 (2006).
45. H. Saitoh, A. Seki, A. Manabe, and T. Kimoto, Materials Science Forum, 556-557, 659 (2007).
46. Y. Negoro, N. Miyamoto, T. Kimoto, and H. Matsunami, Appl. Phys. Lett., 80, 240 (2002).
47. G. Liu, A. C. Ahyi, Y. Xu, T. Isaacs-Smith, Y. K. Sharma, J. R. Williams, L. C. Feldman, and S. Dhar, IEEE Electron Device Lett., 34, 181 (2013).
48. K. McDonald, R. A. Weller, S. T. Pantelides, L. C. Feldman, G. Y. Chung, C. C. Tin, and J. R. Williams, J. Appl. Phys., 93, 2719 (2003).
49. M. Losurdo, M. M. Giangregorio, G. Bruno, A. Brown, and T.-H. Kim, Appl. Phys. Lett., 85, 4034 (2004).
50. Y. K. Sharma, A. C. Ahyi, T. Issacs-Smith, X. Shen, S. T. Pantelides, X. Zhu, L. C. Feldman, J. Rozen, and J. R. Williams, Solid-State Electron., 68, 103 (2012).
51. D. Okamoto, H. Yano, T. Hatayama, and T. Fuyuki, Appl. Phys. Lett., 96, 203508 (2010).
52. T. Akagi, H. Yano, T. Hatayama, and T. Fuyuki, Mat. Sci. Forum, 740-742, 695 (2013).
53. Y. K. Sharma, A. C. Ahyi, T. Isaacs-Smith, A. Modic, M. Park, Y. Xu, E. L. Garfunkel, S. Dhar, L. C. Feldman, and J. R. Williams, IEEE Electron Device Lett., 34, 175 (2013).