Interaction of hydrogen with impurities and defects in semiconductors

Solid State Phenomena

Volumn 85-86, Issue , 2002, Pages 203-284

  Chevallier, J ^a   Pajot, B ^b  

^a Centre National de la Recherche Scientifique   (France)

^b CNRS   (France)

Author keywords

Enhanced complex dissociation; Hydrogen complexes; Hydrogen diffusion; Hydrogen passivation; Infrared absorption; Isotope effects; Lattice defects; Proton implantation; Semiconductors; Thermal stability

Indexed keywords

AMORPHOUS SEMICONDUCTORS; CRYSTALS; ELECTRIC CONDUCTIVITY; FLOW INTERACTIONS; HYDROGEN; NONMETALS; OPTICAL PROPERTIES; PHYSICAL PROPERTIES; SEMICONDUCTING CADMIUM TELLURIDE; SEMICONDUCTOR MATERIALS;

(PL) PROPERTIES; DEFECT INTERACTIONS; DEFECTS IN SEMICONDUCTORS; ELECTRICAL AND OPTICAL PROPERTIES; HYDROGEN COMPLEXES; POLY CRYSTALLINE SEMICONDUCTORS; POTENTIAL APPLICATIONS; TECHNOLOGICAL FIELDS;

DEFECT STRUCTURES;

EID: 0141912559     PISSN: 10120394     EISSN: None     Source Type: Book Series    
DOI: None     Document Type: Article

References (400)

1. Hydrogen in Semiconductors: Bulk and Surface Properties, eds. M. Stutzmann and J. Chevallier Physica B 170 (1991).
2. Hydrogen in Semiconductors, eds. J. I. Pankove and N. M. Johnson, Semiconductors and Semimetals, vol. 34 (Academic, San Diego, 1991).
3. S. J. Pearton, J. W. Corbett, and M. Stavola, Hydrogen in Crystalline Semiconductors, Springer Series in Materials Science 16 (Springer, Berlin, 1992).
4. S. K. Estreicher, Mat. Sci. Engin. R14 (1995), p. 319.
5. C. Seager in ref. [2], p. 17.
6. S. J. Pearton, Mater. Sci. Forum 148-149 (1994), p. 393.
7. A. A. Kaplyanskii, Optika Spectrosk. 16 (1964), p. 602
8. [Opt. Spectrosc. 16 (1964), p. 329].
9. E. A. Hughes and W. A. Runciman, Proc. Phys. Soc. 90 (1967), p. 827.
10. E. E. Haller, W. L. Hansen, and F. S. Goulding, Adv. Phys. 30 (1981), p. 93.
11. Th. Wichert, in Identification of Defects in Semiconductors, ed. M. Stavola, Semiconductors and Semimetals, vol. 51B (Academic, San Diego, 1999), p. 297.
12. Yu. V. Gorelkinskii and N. N. Nevinnyi, Pis'ma Zh. Tekh. Fiz. 13 (1987), p. 105
13. [Sov. Tech. Phys. Lett. 13 (1987), p. 45]; in [1], p. 155.
14. R. F. Kiefl ans T. L. Estie, in [2], p. 547.
15. R. H. Cho, B. Hitti, and R. F. Kiefl, in Identification of Defects in Semiconductors, ed. M. Stavola, Semiconductors and Semimetals, vol. 51A (Academic, San Diego, 1999), p. 137.
16. S. K. Estreicher, M. A. Roberson, and Dj. M. Maric, Phys. Rev. B 50 (1994), p. 17018.
17. S. J. Breuer, R. Jones, P. R. Briddon, S. Öberg, Phys. Rev. B 53 (1996), p. 16289.
18. K. Irmscher, H. Klose, and K. Maas, J. Phys. C: Solid State Phys. 17 (1984), p. 6317.
19. B. Holm, K. Bonde Nielsen and B. Bech Nielsen, Phys. Rev. Lett. 66 (1991), p. 2360.
20. B. Bech Nielsen, K. Bonde Nielsen, and J. R. Byberg, Mater. Sci. Forum 143-147 (1994), p. 909.
21. C. G. Van de Walle, P. H. J. Denteneer, Y. Bar-Yam and S. T. Pantelides, Phys. Rev. B 39 (1989), p. 10791.
22. K. J. Chang and D. J. Chadi, Phys. Rev. Lett. 62 (1989), p. 937;
23. Phys. Rev. B 40 (1989), p. 11644.
24. L. Pavesi and P. Giannozzi, Phys. Rev. B 46 (1992), p. 4621.
25. N. M. Johnson, C. Herring and C. G. Van de Walle, Phys. Rev. Lett. 73 (1994), p. 130
26. and 74 (1995), p. 4566.
27. C. H. Seager, R. A. Anderson and S. K. Estreicher, Phys. Rev. Lett. 74 (1995), p. 4565.
28. H. J. Stein, Phys. Rev. Lett. 43 (1979), p. 1030.
29. M. Budde, PhD dissertation, Aarhus, 1998.
30. G. Roos, N. M. Johnson, C. Herring, and J. S. Harris, Appl. Phys. Lett. 59 (1991), p. 461.
31. A. W. R. Leitch, Th. Prescha, and J. Weber, Phys. Rev. B 44 (1991), p. 1375.
32. B. Clerjaud, F. Gendron, M. Krause and W. Ulrici, Phys. Rev. Lett. 65 (1990), p. 1800.
33. B. Clerjaud, D. Côte, W. -S. Hahn, Mater. Sci. Forum 148-149 (1994), p. 281.
34. B. Clerjaud, D. Côte, W.-S. Hahn, A. Lebkiri, W. Ulrici, and D. Wasik, phys. stat. sol. (a) 159 (1997), p. 121.
35. J. Chevallier, B. Machayekhi, C. M. Grattepain, R. Rahbi, and B. Theys, Phys. Rev. B 45 (1992), p. 8803.
36. A. Van Wieringen and N. Warmoltz, Physica 22 (1956), p. 849.
37. P. Briddon, R. Jones, and G. M. S. Lister, J. Phys. C: Solid State Phys. 21 (1988), p. L1027.
38. J. D. Holbech, B. Bech Nielsen, R. Jones, P. Sitch, and S. Öberg, Phys. Rev. Lett. 71 (1993), p. 875.
39. M. Budde, B. Bech Nielsen, R. Jones, J. Goss, and S. Öberg, Phys. Rev. B 54 (1996), p. 5485.
40. H. J. Stein and C. Barbour, Phys. Rev. B 56 (1997), p. 3813.
41. J. Lagowski, M. Kaminska, J. M. Parsey, Jr., H. C. Gatos, and M. Lichtensteiger, Appl. Phys. Lett. 41 (1982), p. 1078.
42. E. M. Omel'yanovskii, A. V. Pakhomov, and A. Ya. Polyakov, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 21 (1987), p. 842
43. [Sov. Phys. Semicond. 21 (1987), p. 514].
44. A. Amore Bonapasta and M. Capizzi, Diff. Defect Data B: Defect Diff. Forum 157-159 (1998), p. 133.
45. J. W. Corbett, S. N. Sahu, T. S. Shi, and L. C. Snyder, Physics Lett. 93A (1983), p. 303.
46. C. G. Van de Walle, Phys. Rev. B 49 (1994), p. 4579;
47. ibid. 58 (1998), p. 1689.
48. K. G. Nakamura, K. Ishioka, M. Kitajima, and K. Murakami, Solid State Commun. 101 (1997), p. 735.
49. L. Meda, G. F. Cerofolini, G. Ottaviani, R. Tonini, F. Corni, R. Balboni, M. Anderle, R. Canteri, and R. Dierckx, in [2], p. 259.
50. M. J. Binns, S. A. McQuaid, R. C. Newman, and E. C. Lightowlers, Semicond. Sci. Technol. 8 (1993), p. 1908.
51. K. Murakami, N. Fukata, S. Sasaki, K. Ishioka, K. G. Nakamura, M. Kitajima, S. Fujimura, J. Kikuchi, and H. Haneda, Phys. Rev. Lett. 77 (1996), p. 3161.
52. J. N. Heyman, J. W. Ager III, E. E. Haller, N. M. Johnson, J. Walker, and C. M. Doland, Phys. Rev. B 45 (1992), p. 13363.
53. N. Fukata, S. Sasaki, K. Murakami, K. Ishioka, K. G. Nakamura, S. Fujimura, J. Kikuchi, and H. Haneda, Phys. Rev. B 56 (1997), p. 6642.
54. A. W. R. Leitch, V. Alex, and J. Weber, Solid State Commun. 105 (1998), p. 215.
55. R. E. Pritchard, M. J. Ashwin, J. H. Tucker, R. C. Newman, E. C. Lightowlers, M. J. Binns, S. A. McQuaid, and R. Falster, Phys. Rev. B 56 (1997), p. 13118.
56. R. E. Pritchard, M. J. Ashwin, R. C. Newman, and J. H. Tucker, Mater. Sci. Eng. B58 (1999), p. 1.
57. A. W. R. Leitch, V. Alex, and J. Weber, Phys. Rev. Lett. 81 (1998), p. 421.
58. B. Hourahine, R. Jones, S. Öberg, R. C. Newman, P. R. Briddon, and E. Roduner, Phys. Rev. B 57 (1998), p. R12666.
59. Y. Okamoto, M. Sato, and A. Oshiyama, Phys. Rev. B 58 (1998), p. 7701.
60. C. G. Van de Walle, Phys. Rev. Lett. 80 (1998), p. 2177, - and J. Goss in [252], p. 17.
61. J. Vetterhöffer, J. Wagner, and J. Weber, Phys. Rev. Lett. 77 (1996), p. 5409.
62. K. D. Bier, H. J. Jodl, and H. Däufer, Can. J. Phys. 66 (1988), p. 708.
63. G. D. Watkins, J. R. Troxell, and A. P. Chatterjee, Inst. Phys. Conf. Ser. No 46 (1978), p. 16 and references therein.
64. J. W. Corbett and G. D. Watkins, Phys. Rev. 138 (1965), p. A555.
65. C. S. Chen and J. C. Corelli, Phys. Rev. B 5 (1972), p. 1505.
66. Y.-H. Lee and J. W. Corbett, Phys. Rev. B 8 (1973), p. 2810;
67. ibid. 9 (1974), p. 4351.
68. M. Saito and A. Oshiyama, Phys. Rev. B 53 (1996), p. 7810.
69. K. Saarinen, S. Kuisma, P. Hautojärvi, C. Corbel, and C. LeBerre, Phys. Rev. Lett. 70 (1993), p. 2794.
70. D. J. Chadi and K. J. Chang, Phys. Rev. B 38 (1988), p. 1523.
71. S. K. Estreicher, J. L. Hastings, and P. A. Fedders, Appl. Phys. Lett. 70 (1997), p. 432.
72. G. D. Watkins in Materials Science and Technology, Vol. 4, ed. W. Schröter (VCH, Weinheim, 1991).
73. D. J. Chadi, Phys. Rev. B 46 (1992), p. 9400.
74. C. G. Van de Walle and J. Neugebauer, Phys. Rev. B 52 (1995), p. R14320.
75. J. C. Bourgoin, H. J. von Bardeleben, and D. Stiévenard, J. Appl. Phys. 64 (1988), p. R65.
76. B. Clerjaud, in [1], p. 383.
77. B. Bech Nielsen, P. Johannesen, P. Stallinga, K. Bonde Nielsen, and J. R. Byberg, Phys. Rev. Lett. 79 (1997), p. 1507.
78. P. Stallinga, P. Johannesen, S. Herstrøm, K. Bonde Nielsen, and J. R. Byberg, Phys. Rev. B 58 (1998), p. 3842.
79. M. Budde, B. Bech Nielsen, P. Leary, J. Goss, R. Jones, P. R. Briddon, S. Öberg and S. J. Breuer, Phys. Rev. B 57 (1998), p. 4397.
80. B. Bech Nielsen, J. Olajos, and H. G. Grimmeiss, Phys. Rev. B 39 (1989), p. 3330.
81. G. R. Bai, M. W. Xie, and T. S. Shi, Solid State Commun. 56 (1985), p. 277.
82. B. Pajot, B. Clerjaud, and Z-J. Xu, Phys. Rev. B 59 (1999), p. 7500.
83. B. Bech Nielsen, private communication.
84. S. K. Estreicher, J. L. Hastings, and P. A. Fedders, in [252], p. 31.
85. F. A. Reboredo, M. Ferconi, and S. T. Pantelides, Phys. Rev. Lett. 82 (1999), p. 4870.
86. J. Tatarkiewicz, A. Król, A. Breitschwerdt, and M. Cardona, phys. stat. sol. (b) 140 (1987), p. 369.
87. B. Clerjaud, in [1], p. 383.
88. R. Darwich, B. Pajot, B. Rose, D. Robein, B. Theys, R. Rahbi, C. Porte, and F. Gendron, Phys. Rev. B 48 (1993), p. 17776.
89. F. X. Zach, J. Appl. Phys. 75 (1994), p. 7894.
90. C. P. Ewels, S. Öberg, R. Jones, B. Pajot, and P. R. Briddon, Semicond. Sci. Technol. 11 (1996), p. 502.
91. B. Pajot, B. Clerjaud, and J. Chevallier, in [1], p. 371.
92. B. Pajot, J. Chevallier, A. Chaumont, and R. Azoulay, MRS Symp. Proc. 104 (Materials Research Society, Pittsburgh, 1988), p. 345.
93. R. E. Pritchard, S. A. McQuaid, L. Hart, R. C. Newman, J. Mäkinen, H. J. von Bardeleben, and M. Missous, J. Appl. Phys. 78 (1995), p. 2411.
94. L. P. Wang, L. Z. Zhang, W. X. Zhu, X. T. Lu, and G. G. Qin, phys. stat. sol. (b) 158 (1990), p. 113.
95. A. Amore Bonapasta and M. Capizzi, Phys. Rev. B 52 (1995), p. 11044.
96. Ch. Van de Walle, Phys. Rev. B 56 (1997), p. R10020.
97. M. G. Weinstein, C. Y. Song, M. Stavola, S. J. Pearton, R. G. Wilson, R. J. Shul, K. P. Kileen, and M. J. Ludowise, Appl. Phys. Lett. 72 (1998), p. 1703.
98. N. M. Johnson, F. A. Ponce, R. A. Street, and R. J. Nemanich, Phys. Rev. B 35 (1987), p. 4166.
99. N. M. Johnson, C. Doland, H. H. Ponce, J. Walker and G. Anderson, in [1], p. 3.
100. G. S. Higashi, Y. J. Chabal, G. W. Trucks, and K. Raghavachari, Appl. Phys. Lett. 56 (1990), p. 656.
101. K. Kuhnke, M. Morin, P. Jakob, N. J. Levinos, Y. J. Chabal, and A. L. Harris, J. Chem. Phys. 99 (1993), p. 6114.
102. S. Muto, S. Takeda, and M. Hirata, Phil. Mag. A 72 (1995), p. 1057.
103. J. B. Boyce, N. M. Johnson, S. E. Ready, and J. Walker, Phys. Rev. B 46 (1992), p. 4308.
104. H. J. Stein, J. Electron. Mater. 4 (1975), p. 159.
105. D. Jousse, S. L. Delage, and S. S. Iyer, Phil. Mag. B 63 (1991), p. 443.
106. M. Kohyama and K. Yamamoto, Phys. Rev. B 50 (1994), p. 8502.
107. P. S. Dutta, K. S. Sangunni, H. L. Bhat, and V. Kumar, Phys. Rev. B 51 (1995), p. 2153.
108. N. M. Johnson, D. R. Biegelsen, and M. D. Moyer, Appl. Phys. Lett. 40 (1982), p. 882.
109. D. Ballutaud, M. Aucouturier, and F. Babonneau, Appl. Phys. Lett. 49 (1986), p. 1620.
110. W. B. Jackson, N. M. Johnson, and D. R. Biegelsen, Appl. Phys. Lett. 43 (1983), p. 195.
111. N. H. Nickel, N. M. Johnson, and W. B. Jackson, Appl. Phys. Lett. 62 (1993), p. 3285.
112. N. H. Nickel, W. B. Jackson, and N. M. Johnson, Phys. Rev. Lett. 71 (1993), p. 2733.
113. N. H. Nickel, W. B. Jackson, and J. Walker, Phys. Rev. B 53 (1996), p. 7750.
114. N. H. Nickel and I. Kaiser, MRS Symp. Proc. Vol. 513 (Materials Research Society, Pittsburgh, 1998), p. 165.
115. N. H. Nickel, N. M. Johnson, and J. Walker, Phys. Rev. Lett. 72 (1994), p. 3393.
116. N. H. Nickel, N. M. Johnson, and J. Walker, Phys. Rev. Lett. 75 (1995), p. 3720.
117. J. Koshka, S. Ostapenko, T. Ruf, and J. M. Zhang, Appl. Phys. Lett. 69 (1996), p. 2537.
118. P. J. Caplan, E. Pointdexter, B. Deal, and R. Razouk, J. Appl. Phys. 50 (1979), p. 5847.
119. E. Pointdexter, P. Caplan, B. Deal, and R. Razouk, J. Appl. Phys. 52 (1981), p. 879.
120. A. Stesmans, B. Nouwen, and V. V. Afanas'ev, Phys. Rev. B 58 (1998), p. 15801.
121. K. L. Brower, Phys. Rev. B 42 (1990), p. 3444.
122. J. H. Stathis and E. Cartier, Phys. Rev. Lett. 72 (1994), p. 2745.
123. P. Balk, Electrochem. Soc. Meeting, May 1965, quoted by P. V. Gray and D. M. Brown, Appl. Phys. Lett. 8 (1966), p. 31.
124. N. M. Johnson, D. K. Biegelsen, M. D. Moyer, V. R. Deline, and C. A. Evans, Appl. Phys. Lett. 38 (1981), p. 995.
125. P. Balk and N. Klein, Thin Solid Films 89 (1982), p. 329.
126. A. Stesmans, Appl. Phys. Lett. 68 (1996), p. 2076.
127. E. Cartier, D. A. Buchanan, J. H. Stathis, and D. J. DiMaria, J. Non-Crystal. Sol. 187 (1995), p. 244.
128. V. V. Afanas'ev and A. Stesmans, Phys. Rev. Lett. 80 (1998), p. 5176.
129. Z. Jing, G. Lucovsky, and J. L. Whitten, J. Vac. Sci. Technol. B 13 (1995), p. 1613.
130. D. R. Lee, G. Lucovsky, M. S. Denker, and C. Magee, J. Vac. Sci. Technol. A 13 (1995), p. 1671.
131. G. Lucovsky, Z. Jing, and D. R. Lee, J. Vac. Sci. Technol. B 14 (1996), p. 2832
132. R. M. Chrenko, R. S. McDonald, and E. M. Pell, Phys. Rev. 138 (1965), p. A1775.
133. J. I. Pankove, D. E. Carlson, J. E. Berkeyheiser, and R. O. Wance, Phys. Rev. Lett. 51 (1983), p. 2224.
134. C. T. Sah, J. Y. C. Sun, and J. J. Tzou, Appl. Phys. Lett. 43 (1983), p. 204.
135. M. L. W. Thewalt, E. C. Lightowlers, and J. I. Pankove, Appl. Phys. Lett. 46 (1985), p. 689.
136. J. I. Pankove, P. J. Zanzucchi, C. W. Magee, and G. Lucovsky, Appl. Phys. Lett. 46 (1985), p. 421.
137. N. M. Johnson, Phys. Rev. B 31 (1985), p. 5525.
138. M. Stavola, S. J. Pearton, J. Lopata, and W. C. Dautremont-Smith, Appl. Phys. Lett. 50 (1987), p. 1086;
139. Phys. Rev. B 37 (1988), p. 8313.
140. A. Chari and M. Aucouturier, Solid State Commun. 71 (1989), p. 105.
141. F. Gendron, L. M. Porter, C. Porte, and E. Bringuier, Appl. Phys. Lett. 67 (1995), p. 1253.
142. J. Chevallier, B. Theys, A. Lusson, C. Grattepain, A. Deneuville, and E. Gheeraert, Phys. Rev. B 58 (1998), p. 7966.
143. R. Zeisel, C. E. Nebel, and M. Stutzmann, Appl. Phys. Lett. 74 (1999), p. 1875.
144. S. J. Pearton, J. W. Corbett, ant T. S. Shi, Applied Physics A 43 (1987), p. 153.
145. K. Bergman, M. Stavola, S. J. Pearton, and T. Hayes, Phys. Rev. B 38 (1988), p. 9643.
146. B. Pajot, A. Chari, M. Aucouturier, M. Astier, and A. Chantre, Solid State Commun. 67 (1988), p. 855.
147. S. K. Estreicher, L. Throckmorton, and D. S. Marynick, Phys. Rev. B 39 (1989), p. 13241.
148. A. Amore Bonapasta, P. Giannozzi, and M. Capizzi, Phys. Rev. B 45 (1992), p. 11744.
149. M. Stavola, Y. M. Cheng, and G. Davies, Mater. Sci. Forum 143-147 (1994), p. 885.
150. C. P. Herrero, M. Stutzmann, and A. Breitschwerdt, Phys. Rev. B 43 (1991), p. 1555.
151. S. J. Breuer and P. R. Briddon, Phys. Rev. B 49 (1994), p. 10332.
152. S. P. Mehandru and A. B. Anderson, J. Mater. Res. 9 (1994), p. 383.
153. A. G. Ulyashin, R. B. Gelfand, N. V. Shlopak, A. M. Zaitsev, A. V. Denisenko, and A. A. Melnikov, Diam. Relat Mater. 2 (1993), p. 1516.
154. E. E. Haller, in [1], p. 351.
155. P. C. Jobe Prabakar, R. E. M. Vickers, and P. Fisher, phys. stat. sol. (b) 210 (1998), p. 283.
156. R. E. Peale, K. Muro, and A. J. Sievers, Phys. Rev. B 41 (1990), p. 5881.
157. P. J. H. Denteneer, C. G. Van de Walle, and S. T. Pantelides, Phys. Rev. Lett. 62 (1989), p. 1884.
158. S. J. Pearton, Appl. Phys. Lett. 40 (1982), p. 253.
159. J. M. Kahn, L. M Falicov, and E. E. Haller, Phys. Rev. Lett. 57 (1986), p. 2077.
160. A. Boudoukha, R. Legros, L. Svob, and Y. Marfaing, J. Cryst. Growth 72 (1985), p. 226.
161. N. M. Johnson, R. D. Burnham, R. A. Street, and R. L. Thornton, Phys. Rev. B 33 (1986), p. 1102.
162. J. Chevallier and B. Pajot, Mater. Sci. Forum 83-87 (1992), p. 539.
163. E. M. Omelyanovski, A. V. Pakhomov, and A. Y. Polyakov, Phys. Lett. A 141 (1989), p. 75.
164. B. Theys, F. Bourgeois, J. Chevallier, L. Svob, M. Miloche, R. Driad, and J. L. Benchimol, J. Appl. Phys. 80 (1996), p. 2300.
165. B. R. Davidson, R. C. Newman, and C. C. Button, Phys. Rev. B 58 (1998), p. 15609.
166. P. S. Nandhra, R. C. Newman, R. Murray, B. Pajot, J. Chevallier, R. B. Beall, and J. J. Harris, Semicond. Sei. Technol, 3 (1988), p. 356.
167. J. Wagner, K. H. Bachern, B. R. Davidson, R. C. Newman, T. J. Bullough, and T. B. Joyce, Phys. Rev. B 51 (1995), p. 4150.
168. R. E. Pritchard, B. R. Davidson, R. C. Newman, T. J. Bullough, T. B. Joyce, R. Jones, and S. Öberg, Semicond. Sci. Technol. 9 (1994), p. 140.
169. R. Jones, J. Goss, C. Ewels, and S. Öberg, Phys. Rev. B 50 (1994), p. 8378.
170. M. Stavola, Mater. Sci. Forum Vols.148-149 (1994), p. 251.
171. R. Zeisel, C. E. Nebel, and M. Stutzmann, Appl. Phys. Lett. 74 (1999), p. 1875.
172. S. J. Pearton, J. W. Corbett, ant T. S. Shi, Applied Physics A 43 (1987), p. 153.
173. K. Bergman, M. Stavola, S. J. Pearton, and T. Hayes, Phys. Rev. B 38 (1988), p. 9643.
174. B. Pajot, A. Chari, M. Aucouturier, M. Astier, and A. Chantre, Solid State Commun. 67 (1988), p. 855.
175. S. K. Estreicher, L. Throckmorton, and D. S. Marynick, Phys. Rev. B 39 (1989), p. 13241.
176. A. Amore Bonapasta, P. Giannozzi, and M. Capizzi, Phys. Rev. B 45 (1992), p. 11744.
177. M. Stavola, Y. M. Cheng, and G. Davies, Mater. Sci. Forum 143-147 (1994), p. 885.
178. C. P. Herrero, M. Stutzmann, and A. Breitschwerdt, Phys. Rev. B 43 (1991), p. 1555.
179. S. J. Breuer and P. R. Briddon, Phys. Rev. B 49 (1994), p. 10332.
180. S. P. Mehandru and A. B. Anderson, J. Mater. Res. 9 (1994), p. 383.
181. A. G. Ulyashin, R. B. Gelfand, N. V. Shlopak, A. M. Zaitsev, A. V. Denisenko, and A. A. Melnikov, Diam. Relat Mater. 2 (1993), p. 1516.
182. E. E. Haller, in [1], p. 351.
183. P. C. Jobe Prabakar, R. E. M. Vickers, and P. Fisher, phys. stat. sol. (b) 210 (1998), p. 283.
184. R. E. Peale, K. Muro, and A. J. Sievers, Phys. Rev. B 41 (1990), p. 5881.
185. P. J. H. Denteneer, C. G. Van de Walle, and S. T. Pantelides, Phys. Rev. Lett. 62 (1989), p. 1884.
186. S. J. Pearton, Appl. Phys. Lett. 40 (1982), p. 253.
187. J. M. Kahn, L. M Falicov, and E. E. Haller, Phys. Rev. Lett. 57 (1986), p. 2077.
188. A. Boudoukha, R. Legros, L. Svob, and Y. Marfaing, J. Cryst. Growth 72 (1985), p. 226.
189. N. M. Johnson, R. D. Burnham, R. A. Street, and R. L. Thornton, Phys. Rev. B 33 (1986), p. 1102.
190. J. Chevallier and B. Pajot, Mater. Sci. Forum 83-87 (1992), p. 539.
191. E. M. Omelyanovski, A. V. Pakhomov, and A. Y. Polyakov, Phys. Lett. A 141 (1989), p. 75.
192. B. Theys, F. Bourgeois, J. Chevallier, L. Svob, M. Miloche, R. Driad, and J. L. Benchimol, J. Appl. Phys. 80 (1996), p. 2300.
193. B. R. Davidson, R. C. Newman, and C. C. Button, Phys. Rev. B 58 (1998), p. 15609.
194. P. S. Nandhra, R. C. Newman, R. Murray, B. Pajot, J. Chevallier, R. B. Beall, and J. J. Harris, Semicond. Sei. Technol, 3 (1988), p. 356.
195. J. Wagner, K. H. Bachern, B. R. Davidson, R. C. Newman, T. J. Bullough, and T. B. Joyce, Phys. Rev. B 51 (1995), p. 4150.
196. R. E. Pritchard, B. R. Davidson, R. C. Newman, T. J. Bullough, T. B. Joyce, R. Jones, and S. Öberg, Semicond. Sci. Technol. 9 (1994), p. 140.
197. R. Jones, J. Goss, C. Ewels, and S. Öberg, Phys. Rev. B 50 (1994), p. 8378.
198. M. Stavola, Mater. Sci. Forum Vols.148-149 (1994), p. 251.
199. J. A. Wölk, J. W. Ager III, K. J. Duxtad, E. E. Haller, N. R. Taskar, D. R. Dorman, and D. J. Olego, Appl. Phys. Lett. 63 (1993), p. 2756.
200. R. E. Pritchard, R. C. Newman, J. Wagner, F. Fuchs, R. Jones, and S. Öberg, Phys. Rev. B 50 (1994), p. 10628.
201. W. Götz, N. M. Johnson, D. P. Bour, M. D. McCluskey, and E. E. Haller, Appl. Phys. Lett. 69 (1996), p. 3725.
202. B. Clerjaud, D. Côte, and A. Lebkiri, phys. stat. sol (b) 210 (1998), p. 497.
203. J. Neugebauer and C. G. Van de Walle, Phys. Rev. Lett. 75 (1995), p. 4452.
204. A. Bosin, V. Fiorentini, D. Vanderbilt, MRS Symp. Proc. Vol. 395 (Materials Research Society, Pittsburgh, 1996), p. 503.
205. A. Burchard, M. Deicher, D. Forkel-Wirth, E. E. Haller, R. Magerte, A. Prospero, and A. Stötzler, Mater. Sci. Forum 258-263 (1997), p. 1099.
206. M. S. Brandt, J. W. Ager III, W. Götz, N. M. Johnson, J. S. Harris, R. J. Molnar, and T. D. Moustakas, Phys. Rev. B 49 (1994), p. 14758.
207. A. Kaschner, H. Siegle, G. Kaczmarczyk, M. Straßburg, A. Hoffmann, C. Thomsen, U. Birkle, S. Einfeldt, and D. Hommel, Appl. Phys. Lett. 74 (1999), p. 3281.
208. Y. Cheng, M. Stavola, C. R. Abernathy, S. J. Pearton, and W. S. Hobson, Phys. Rev. B 49 (1994), p. 2469, and references therein.
209. J. H. Neave, B. A. Joyce, P. J. Dobson, and N. Norton, Applied Phys. A 31 (1983), p. 1.
210. B. R. Davidson, R. C. Newman, H. Fushimi, K. Wada, H. Yokoyama, and N. Inoue, J. Appl. Phys. 81 (1997), p. 7255.
211. B. Clerjaud, D. Côte, W.-S. Hahn, and W. Ulrici, Appl. Phys. Lett. 58 (1991), p. 1860.
212. M. D. McCluskey, E. E. Haller, J. Walker, and N. M. Johnson, Phys. Rev. B 52 (1995), p. 11859.
213. R. Bouanani-Rahbi, B. Pajot, C. P. Ewels, S. Öberg, J. Goss, R. Jones, Y. Nissim, B. Theys, and C. Blaauw, Shallow-Level Centers in Semiconductors, eds.: C. A. J. Ammerlaan & B. Pajot (World Scientific, Singapore, 1997), p. 171.
214. M. D. McCluskey, E. E. Haller, F. X. Zach, and E. D. Bourret-Courchesne, Appl. Phys. Lett. 68 (1996), p. 3476.
215. H. Pelletier, A. Lusson, B. Theys, J. Chevallier, and N. Magnea, Appl. Phys. Lett. 73 (1998), p. 28.
216. L. Svob, Y. Marfaing, B. Clerjaud, D. Côte, D. Ballutaud, B. Theys, R. Druilhe, W. Kuhn, H. Stanzl, and W. Gebhardt, Mater. Sci. Forum 143-147 (1994), p. 447.
217. Z. Yu, S. L. Buczkowski, M. C. Petcu, N. C. Giles, and T. H. Myers, Appl. Phys. Lett. 68 (1996), p. 529.
218. L. S. Hirsch, S. D. Setzler, A. J. Ptak, N. C. Giles, and T. H. Myers, Mater. Res. Soc. Conf. Proc. Vol. 513 (Materials Research Society, Pittsburgh, 1998), p. 263.
219. S. A. Ringel and B. Bhatterjee, J. Appl. Phys. 83 (1998), p. 5904.
220. A. Kamata, H. Mitsuhashi, and H. Fujita, Appl. Phys. Lett. 63 (1993), p. 3353.
221. W. Götz, N. M. Johnson, J. Walker, D. P. Bour, and R. A. Street, Appl. Phys. Lett. 68 (1996), p. 667.
222. B. Clerjaud, D. Côte, L. Svob, Y. Marfaing, and R. Druilhe, Solid State Commun. 85 (1993), p. 167.
223. H. Amano, M. Kito, K. Hiramatsu, and I. Akasaki, Jpn. J. Appl. Phys. 28 (1989), p. L2112.
224. J. Chevallier, W. C. Dautremont-Smith, C. W. Tu, and S. J. Pearton, Appl. Phys. Lett. 47 (1985), p. 108.
225. A. Jalil, J. Chevallier, J. C. Pesant, R. Mostefaoui, B. Pajot, P. Murawala, and R. Azoulay, Appl. Phys. Lett. 50 (1987), p. 439.
226. B. Pajot, R. C. Newman, R. Murray, A. Jalil, J. Chevallier, and R. Azoulay, Phys. Rev. B 37 (1988), p. 4188.
227. E. Tuncel, H. Sigg, E. Meier, L. Pavesi, P. Giannozzi, D. Martin, F. Morier-Genoud, and F. K. Reinhart, Mater. Sci. Forum Vols. 83-87 (1992), p. 635.
228. S. J. Pearton, Mater. Sci. Eng. B23 (1994), p. 130.
229. J. Chevallier, Defect Diff. Data A: Defect Diff. Forum 131-132 (1996), p. 9.
230. B. Theys, J. L. Benchimol, E. V. K. Rao, J. Chevallier, and M. Juhel, Appl. Phys. Lett. 72 (1998), p. 2568.
231. E. V. K. Rao, B. Theys, J. L. Benchimol, and J. Chevallier, Semicond. Sci. Technol. 13 (1997), p. 641.
232. P. R. Briddon and R. Jones, Phys. Rev. Lett. 64 (1990), p. 2535.
233. D. M. Kozuch, M. Stavola, S. J. Pearton, C. R. Abemathy, and J. Lopata, MRS Symp. Proc. Vol. 163 (Materials Research Society, Pittsburgh, 1990), p. 477.
234. B. Pajot, Inst. Phys. Conf. Ser. No 95 (1988), p. 437.
235. J. Vetterhöfer, J. H. Svensson, J. Weber, A. W. R. Leitch, and J. R. Botha, Phys. Rev. B 50 (1994), p. 2708.
236. R. Rahbi, B. Theys, R. Jones, B. Pajot, S. Öberg, K. Somogyi, M. L. Fille, and J. Chevallier, Solid State Commun. 91 (1994), p. 187.
237. K. J. Chang, Solid State Commun. 78 (1991), p. 273.
238. J. Vetterhöffer and J. Weber, Phys. Rev. B 53 (1996), p. 12835.
239. W.-S. Hahn, Thesis, Université Pierre et Marie Curie, Paris, 1994.
240. N. M. Johnson, C. Herring, and D. J. Chadi, Phys. Rev. Lett. 56 (1986), p. 769.
241. N. M. Johnson in [2], p. 112.
242. J.-F. Zheng and M. Stavola, Phys. Rev. Lett. 76 (1996), p. 1154.
243. R. H. Luchsinger, P. F. Meier, and Y. Zhou, Phys. Rev. B 57 (1998), p. 4413.
244. H. G. Grimmeiss and E. Janzén in Handbook of Semiconductors., ed.: T. S. Moss (North Holland, Amsterdam, 1994), p. 1755.
245. J. L. Lindström and T. Hallberg in Early Stages of Oxygen Precipitation in Silicon, ed.: R. Jones, NATO ASI Series High Technology Vol. 17 (Kluwer, Dordrecht, 1996), p. 41, and references therein.
246. G. Roos, G. Pensl, N. M. Johnson, and C. Holm, J. Appl. Phys. 67 (1990), p. 1897.
247. R. A. Peale, K. Muro, and A. J. Sievers, Mater. Sci. Forum 65-66 (1990), p. 151.
248. I. S. Zevenbergen, T. Gregorkiewicz, and C. A. J. Ammerlaan, Phys. Rev. B 51 (1995), p. 16746.
249. V. J. B. Torres, S. Öberg, and R. Jones, Shallow-Level Centers in Semiconductors, eds.: C. A. J. Ammerlaan & B. Pajot (World Scientific, Singapore, 1997), p. 501.
250. A. K. Yapsir, P. Deák, R. K. Singh, L. C. Snyder, J. W. Corbett, and T.-M. Lu, Phys. Rev. B 38 (1988), p. 9936.
251. A. Chantre, S. J. Pearton, L. C. Kimerling, K. D. Cummings, and W. C. Dautremont-Smith, Appl. Phys. Lett. 50 (1987), p. 513.
252. D. I. Bohne and J. Weber, Phys. Rev. B 47 (1993), p. 4037.
253. Yu. V. Martynov, T. Gregorkiewicz, and C. A. J. Ammerlaan, Phys. Rev. Lett. 74 (1995), p. 2030.
254. R. C. Newman, M. J. Ashwin, R. E. Pritchard, and J. H. Tucker, phys. stat. sol. (b) 210 (1998), p. 519.
255. S. A. McQuaid, R. C. Newman, and E. C. Lightowlers, Semicond. Sci. Technol. 9 (1994), p. 1736.
256. V. P. Markevich, T. Mchedlidze, M. Suezawa, and L. I. Murin, phys. stat. sol. (b) 210 (1998), p. 545.
257. J. Hartung and J. Weber, Phys. Rev. B 48 (1993), p. 14161.
258. D. G. Thomas and J. J. Hopfield, Phys. Rev. 150 (1966), p. 680.
259. E. E. Haller, B. Joós, and L M. Falicov, Phys. Rev. B 21 (1980), p. 4729.
260. A. Endrös, Phys. Rev. Lett. 63 (1989), p. 70.
261. Y. Kamiura, M. Tsutsue, M. Hayashi, Y. Yamashita, and F. Hashimoto, Mater. Sci. Forum, 196-201 (1995), p. 903.
262. Y. Kamiura, M. Hayashi, Y. Nishiyama, S. Ohyama, and Y. Yamashita, Jpn. J. Appl. Phys. 36 (1997), p. 6579.
263. Y. Kamiura, N. Ishiga, and Y. Yamashita, Jpn. J. Appl. Phys. 36 (1997), p. L1419.
264. P. Leary, R. Jones, and S. Öberg, Phys. Rev. B 57 (1998), p. 3887.
265. L. W. Song, X. D. Zhan, B. W. Benson, and G. D. Watkins, Phys. Rev. B 42 (1990), p. 5765.
266. E. C. Lightowlers, R. C. Newman, and J. H. Tucker, Semicond. Sci. Technol. 9 (1994), p. 1370.
267. A. N. Safonov, E. C. Lightowlers, G. Davies, P. Leary, R. Jones, and S. Öberg, Phys. Rev. Lett. 77 (1996), p. 4812.
268. A. N. Safonov and E. C. Lightowlers, Mater. Sci. Forum 258-263 (1997), p. 259.
269. J. Gower, G. Davies, E. C. Lightowlers, and A. N. Safonov, Mater. Sci. Forum 258-263, (1997), p. 289.
270. B. Pajot, Early Stages of Oxygen Precipitation in Silicon, ed.: R. Jones, NATO ASI Series High Technology Vol. 17 (Kluwer, Dordrecht, 1996), p. 283.
271. R. Jones and S. Öberg, Phys. Rev. Lett. 69 (1992), p. 136.
272. S. K. Estreicher, Phys. Rev. B 41 (1990), p. 9886.
273. B. Bech Nielsen, K. Tanderup, M. Budde, K. Bonde Bielsen, J. L. Lindström, R. Jones, S. Öberg, B. Hourahine, and P. Briddon, Mater. Sci. Forum 258-263 (1997), p. 391.
274. B. Pajot and C. Song, Phys. Rev. B 45 (1992), p. 6484.
275. W. Ulrici, M. Czupalla, and M. Scifert, phys. stat. sol. (b) 210 (1998), p. 551.
276. V. P. Markevich, L. I. Murin, J. L. Lindström, and M. Suezawa, Workshop on Hydrogen in Semiconductors, April 15-16, Exeter, UK, 1999.
277. B. Clerjaud, D. Côte, W.-S. Hahn, A. Lebkiri, W. Ulrici, and D. Wasik, Phys. Rev. Lett. 77 (1996), p. 4930.
278. P. Dixon, D. Richardson, R. Jones, C. D. Latham, S. Öberg, V. J. B. Torres, and P. R. Briddon, phys. stat. sol. (b) 210 (1998), p. 321.
279. M. D. McCluskey, E. E. Haller, W. Walukiewicz, and P. Becla, Phys. Rev. B 53 (1996), p. 16297.
280. J. -U. Sachse, E. Ö. Sveinbjörnsson, W. Jost, J. Weber, and H. Lemke, Phys. Rev. B 55 (1997), p. 16176.
281. J. -U. Sachse, E. Ö. Sveinbjörnsson, N. Yarikin, and J. Weber, in [252], p. 134.
282. J. -U. Sachse, E. Ö. Sveinbjörnsson, W. Jost, J. Weber, and H. Lemke, Appl. Phys. Lett. 70 (1997), p. 1584.
283. S. J. Uftring, M. Stavola, P. M. Williams, and G. D. Watkins, Phys. Rev. B 51 (1995), p. 9612.
284. R. Jones, S. Öberg, J. Goss, P. R. Briddon, and A. Resende, Phys. Rev. Lett. 75 (1995), p. 2734.
285. M. J. Evans, M. Stavola, M. G. Weinstein, and S. J. Uftring, in [252], p. 118.
286. A. Resende, R. Jones, S. Öberg, and P. R. Briddon, Phys. Rev. Lett. 82 (1999), p. 2111.
287. R. Jones, A. Resende, S. Öberg, and P. R. Briddon, in [252], p. 113.
288. Mater. Sci. Eng. B58 (1999), pp. 113-146.
289. G. Hofmann, J. Madok, N. M. Haegel, G. Roos, N. M. Johnson, and E. E. Haller, Appl. Phys. Lett. 61 (1992), p. 2914.
290. C. Radue, A. B. Conibear, and C. A. B. Ball, J. Appl. Phys. 84 (1998), p. 2030.
291. E. M. Omeljanovsky, A. V. Pakhomov, and A. Y. Polyakov, Mater. Sci. Forum Vol. 38-41 (1989), p. 1063.
292. B. Clerjaud, D. Côte, and C. Naud, Phys. Rev. Letters 58 (1987), p. 1755.
293. AS,H) in GaAs and it is ∼10 meV/GPa (I. A. Veloarisoa et al., Phys. Rev. B 47 (1993), p. 16237).
294. A. S. Nowick and B. S. Berry, Anelastic Relaxation in Crystalline Solids (Academic, New York, 1972).
295. M. Cheng, M. Stavola, Phys. Rev. Lett. 73 (1994), p. 3419 and references therein.
296. C. Cannelli, R. Cantelli, M. Capizzi, C. Coluzza, F. Cordero, A. Frova, and A. Lo Presti, Phys. Rev. B 44 (1991), p. 11486.
297. C. P. Flynn and A. M. Stoneham, Phys. Rev. B 1 (1970), p. 3966.
298. M. Stavola, Mater. Sci. Forum, 148-149 (1994), p. 251.
299. th Internat. Conf. Phys. Semicond., ed.: E. M. Anastassakis & J. D. Joannopoulos (World Scientific, Singapore, 1990), p. 791.
300. G. Canneli, R. Cantelli, F. Cordero, E. Giovine, F. Trequattrini, M. Capizzi, and A. Frova, Solid State Commun. 98 (1996), p. 873.
301. A. Burchard, M. Deicher, D. Forkel-Wirth, M. Knopf, R. Magerle, A. Stötzler, V. N. Fedoseyev, V. I. Mishin, and the ISOLDE Collaboration, MRS Symp. Proc. Vol. 513 (Materials Research Society, Pittsburgh, 1998), p. 171.
302. C. H. Seager, R. A Anderson, and D. K. Brice, J. Appl. Phys 68 (1990), p. 3268.
303. Y. Kamiura, M. Yoneta, and F. Hashimoto, Appl. Phys. Lett 59 (1991), p. 3165.
304. th EC Photovoltaic Solar Energy Conf. Seville, CEC, Paris (1986), p. 995.
305. A. J. Tavendale, A. A. Williams, and S. J. Pearton, MRS Symp. Proc. Vol. 104 (Materials Research Society, Pittsburgh, 1988), p. 285.
306. Ch. Langpape, S. Fabian, Ch. Klatt, and S. Kalbitzer, Appl. Phys. A 64 (1997), p. 207.
307. F. Buda, G. L. Chlarotti, R. Car, and M. Parrinello, Phys. Rev. Lett. 63 (1989), p. 294.
308. D. E. Boucher and G. DeLeo, Phys. Rev. B 50 (1994), p. 5247.
309. G. Panzarini and L. Colombo, Phys. Rev. Lett. 73 (1994), p. 1636.
310. P. E. Blöchl, C. G. Van de Walle, and S. T. Pantelides, Phys. Rev. Lett. 64 (1990), p. 1401.
311. S. Fabian, S. Kalbitzer, Ch. Klatt, M. Behar, and Ch. Langpape, Phys. Rev. B 58 (1998), p. 16144.
312. M. Capizzi and A. Mittiga, Appl. Phys. Lett. 50 (1987), p. 918.
313. C. P. Herrero, M. Stutzmann, A. Breitschwerdt, and P. V. Santos, Phys. Rev. B 41 (1990), p. 1054.
314. T. Ichimiya and A. Furuichi, Internat. J. Appl. Radiat. Isot. 19 (1968), p. 573.
315. N. M. Johnson and M. D. Moyer, Appl. Phys. Lett. 46 (1985), p. 787.
316. R. Rizk, P. de Mierry, D. Ballutaud, M. Aucouturier, and D. Mathiot, Phys. Rev. B 44 (1991), p. 6141.
317. J. T. Borenstein, J. W. Corbett, and S. J. Pearton, J. Appl. Phys. 73 (1993), p. 2751.
318. L. Korpas, J. W. C. Corbett, and S. K. Estreicher, Phys. Rev. B 46 (1992), p. 12365.
319. A. Amore Bonapasta, Phys. Rev. B 46 (1992), p. 10119.
320. J. W. Corbett, J. L. Lindström, and S. J. Pearton, MRS Symp. Proc. Vol. 104 (Materials Research Society, Pittsburgh, 1988), p. 229.
321. X. Deng and B. L. Sopori, MRS Symp. Proc. Vol. 378 (Materials Research Society, Pittsburgh, 1995), p. 359.
322. B. L. Sopori, X. Deng, J. P. Benner, A. Rohatgi, D. Sana, S. K. Estreicher, Y. K. Park, and M. A. Roberson, Sol. Energy Mater. Sol. Cells, 41-42 (1996), p. 159.
323. S. K. Estreicher, J. L. Hastings, and F. A. Fedders, Phys. Rev. B 57 (1998), p. R12663.;
324. Phys. Rev. Lett. 82 (1999), p. 815.
325. C. Herring and N. M. Johnson, in [2], p. 225.
326. Z. N. Liang, C. Haas, and L. Niesen, Phys. Rev. Lett. 72 (1994), p. 1846.
327. J. Chevallier, D. Ballutaud, B. Theys, F. Jomard, A. Deneuville, E. Gheeraert, and F. Pruvost, phys. stat. sol. (a) 174 (1999), p. 73.
328. J. Chevallier, B. Pajot, A. Jalil, R. Mostefaoui, R. Rahbi, and M. C. Boissy, MRS Symp. Proc. Vol. 104 (Materials Research Society, Pittsburgh, 1988), p. 337.
329. R. Rahbi, B. Pajot, J. Chevallier, A. Marbeuf, R. C. Logan, and M. Gavand, J. Appl. Phys. 73 (1993), p. 1723 and references therein.
330. B. Machayekhi, R. Rahbi, B. Theys, M. Miloche, and J. Chevallier, Mater. Sci. Forum 143-147 (1994), p. 951.
331. H. Pelletier, B. Theys, A. Lusson, E. Tournié, J. Chevallier, Y. Marfaing, and J. P. Faurie, J. Appl. Phys. 86 (1999), p. 1393, and references therein.
332. E. Ho, P. A. Fisher, J. L. House, G. S. Petrich, L. A. Kolodziejski, J. Walker, and N. M. Johnson, Appl. Phys. Lett. 66 (1995), p. 1062.
333. R. C. Newman, J. H. Tucker, A. R. Brown, and S. A. McQuaid, J. Appl. Phys., 70 (1991), p. 3061.
334. H. J. Stein and S. Hahn, J. Appl. Phys. 75 (1994), p. 3477.
335. R. Jones, S. Öberg, and A. Umerski, Mater. Sci. Forum 83-87 (1992), p. 551.
336. M. Ramamoorty and S. T. Pantelides, Solid State Commun. 106 (1998), p. 243.
337. R. B. Capaz, L. V. C. Assali, L. C. Kimerling, K. Cho, and J. D. Joannopoulos, Phys. Rev. B 59 (1999), p. 4898.
338. Kh. A. Abdullin, B. N. Mukashev, and Yu. V. Gorelkinskii, Appl. Phys. Lett. 71 (1997), p. 1703.
339. T. Zundel and J. Weber, Phys. Rev. B 39 (1989), p. 13549.
340. H. Y. Cho, S. -K. Min, K. J. Chang, and C. Lee, Phys. Rev. B 44 (1991), p. 13779.
341. H. Y. Cho, W. C. Choi, and S. -K. Min, Appl. Phys. Lett. 63 (1993), p. 1558.
342. S. Nakamura, T. Mukai, M. Senoh, and N. Iwasa, Jpn. J. Appl. Phys. 31 (1992), p. L139.
343. O. Ambacher, H. Angerer, R. Dimitrov, W. Rieger, M. Stutzmann, G. Dollinger, and A. Bergmaier, phys. stat. sol. (a) 159 (1997), p. 105.
344. L. Svob, Y. Marfaing, B. Clerjaud, D. Côte, A. Lebkiri, R. Druilhe, A. Lusson, and C. Grattepain, Semicond. Sci. Technol. 13 (1998), p. 79.
345. L. Svob, Y. Marfaing, B. Clerjaud, D. Côte, A. Lebkiri and R. Druilhe, J. Cryst. Growth 159 (1996), p. 72.
346. S. K. Ghandi, N. R. Taskar, and I. B. Bhat, Appl. Phys. Lett. 50 (1987), p. 900.
347. T. Zundel and J. Weber, Phys. Rev. B 43 (1991), p. 4361.
348. H. Fushimi and K. Wada, IEEE Trans. Electron. Dev. 44 (1996), p. 214.
349. I. Akasaki and H. Amano, Jpn. J. Appl. Phys. 36 (1997), p. 5393.
350. Y. Li and J. J. Coleman, Appl. Phys. Lett. 69 (1996), p. 1605.
351. J. A. Van Vechten, J. D. Zook, R. D. Horning, and B. Goldenberg, Jpn. J. Appl. Phys. 31 (1992), p. 3662.
352. D. Loridant-Bernard, S. Mezière, M. Constant, N. Dupuy, B. Sombret, and J. Chevallier, Appl. Phys. Lett. 73 (1998), p. 644.
353. J. Chevallier, M. Barbé, E. Constant, D. Loridant-Bernard, and M. Constant, Appl. Phys. Lett. 75 (1999), p. 112.
354. E. Constant, D. Bernard-Loridant, S. Mezière, M. Constant, and J. Chevallier, J. Appl. Phys. 85 (1999), p. 6526.
355. E. Takeda, C. Y. Yang, and A. Miyuka-Hamada, Hot Carriers Effects In MOS Devices, (Academic, San Diego, 1995), p. 66.
356. J. J. Tzou, C. C. Yao, R. Cheung, and H. W. K. Chan, IEEE Electron. Dev. Lett. EDL7 (1986), p. 5.
357. J. W. Lyding, K. Hess, and I. C. Kizilyalli, Appl. Phys. Lett. 68 (1996), p. 2526.
358. P. Avouris, R. E. Walkup, A. R. Rossi, T. C. Shen, G. C. Abeln, J. R. Tucker, and J. W. Lyding, Chem. Phys. Lett. 257 (1996), p. 148.
359. R. Biswas, Y. -P. Li, and B. C. Pan, Appl. Phys. Lett. 72 (1998), p. 3500.
360. Ch. Van de Walle, J. Vac. Sci. Technol. A 16 (1998), p. 1767.
361. S. Sugiyama, J. Yang, and S. Guha, Appl. Phys. Lett. 70 (1997), p. 378.
362. J. -H. Wei, S. C. Lee, J. Appl. Phys. 85 (1999), p. 543.
363. J. -H. Wei, M. S. Sun, and S. C. Lee, Appl. Phys. Lett. 71 (1997), p. 1498.
364. T. Matsumoto, Y. Masumoto, T. Nakagawa, M. Hashimoto, K. Ueno, and N. Koshida, Jpn. J. Appl. Phys. 36 (1997), p. L1089.
365. C. Abernathy, F. Ren, S. J. Pearton, P. W. Wisk, D. A. Bobling, G. T. Muhr, A. C. Jones, M. Stavola, and D. M. Kozuch, J. Cryst. Growth 136 (1994), p. 11.
366. J. Nijs, S. Sivoththaman, J. Szlufcik, J. Poortmans, and R. Mertens, Defect Diff. Data B: Solid State Phenom. 51-52 (1996), p. 461.
367. th European Photovoltaic Solar Energy Conf. (1994), p. 757.
368. R. Plieninger, H. N. Wanka, J. Kühnle, and J. H. Werner, Appl. Phys. Lett. 71 (1997), p. 2169.
369. R. Lüdeman, in [252], p. 86.
370. R. Einhaus, F. Duerinckx, E. Van Kerschaver, J. Szlufcik, F. Durand, P. J. Ribeyron, J. C. Duby, D. Sarti, G. Goaer, G. N. Le, I. Périchaud, L. Clerc, S. Martinuzzi, in [252], p. 81.
371. R. A. Ditizio, G. Liu, S. P. Fonash, B. C. Hseih, and D. W. Greve, Appl. Phys. Lett. 56 (1990), p. 1140.
372. I. W. Wu, T. Y. Huang, W. B. Jackson, A. G. Lewis, and A. Chiang, IEEE Electron. Dev. Lett. 12 (1991), p. 181.
373. T. I. Kamins and P. J. Marcoux, IEEE Electron. Dev. Lett. EDL-I (1980), p. 159.
374. M. J. Thomson, J. Non-Cryst. Sol. 137-138 (1991), p. 1209.
375. K. Hess, I. C. Kizilyalli, and J. W. Lyding, IEEE Trans. Electron. Dev. 45 (1998), p. 406.
376. R. A. B. Devine, J. -L. Autran, W. L. Warren, K. L. Vanheusdan, and J. -C. Rostaing, Appl. Phys. Lett. 70 (1997), p. 2999.
377. J. Lee, Z. Chen, K. Hess, and J. W. Lyding, MRS Symp. Proc. Vol. 510 (Materials Research Society, Pittsburgh, 1998), p. 301.
378. M. Bruel, Electron. Lett. 31 (1995), p. 1201;
379. MRS Bulletin 23 (1998), p. 35.
380. B. Aspar, C. Lacahe, H. Moriceau, A. Soubie, M. Bruel, A. J. Auberton -Hervé, T. Barge, and C. Maleville, MRS Symp. Proc. Vol. 510 (Materials Research Society, Pittsburgh, 1998), p. 381.
381. L. Di Ciocco, Y. Le Tiec, F. Letertre, C. Jaussaud, and M. Bruel, Electron. Lett. 32 (1996), p. 1144.
382. E. Jalaguier, B. Aspar, S. Pocas, J. -F. Michaud, M. Zussy, A. M. Papon, and M. Bruel, Electron. Lett. 34 (1998), p. 408.
383. L. -J. Huang, Q. -T. Tong, Y. -L. Chao, T. -H. Lee, T. Martini, and U. Gösele, Appl. Phys. Lett. 74 (1999), p. 982.
384. Q. -Y. Tong, R. Scholz, U. Gösele, T. -H. Lee, L. -J. Huang, Y. -L. Chao, and T. Y. Tang, Appl. Phys. Lett. 72 (1998), p. 49.
385. Y. A. Li and R. W. Bower, Jpn. J. Appl. Phys, in press.
386. M. K. Weldon, M. Collot, Y. J. Chabal, V. C. Venezia, A. Agarwal, T. E. Haynes, D. J. Eaglesham, S. B. Christman, and E. E. Chaban, Appl. Phys. Lett. 73 (1998), p. 3721 and references therein.
387. M. Kumar, J. T. Boyd, H. E. Jackson, J. M. Zavada, H. A. Jenkinson, R. G. Wilson, B. Theys, and J. Chevallier, J. Appl. Phys. 82 (1997), p. 3205 and references therein.
388. E. V. K. Rao, Y. Gottesman, H. Allovon, E. Vergnol, D. Sigogne, A. Talneau, H. Sik, S. Slempkes, B. Theys, and J. Chevallier, IEEE Photon. Technol. Lett. 10 (1998), p. 370.
389. E. V. K. Rao, M. Allovon, Y. Rafle, M. Juhel, H. Thibierge, B. Theys, and J. Chevallier, Mater. Sci. Engin. B44 (1997), p. 117.
390. M. Allovon, A. Talneau, E. V. K. Rao, F. Huet, F. Alexandre, A. Ougazzaden, S. Slempkes, B. Theys, and J. Chevallier, Appl. Phys. Lett. (1997), p. 1750.
391. E. Constant, N. Caglio, J. Chevallier, and J. C. Pesant, Electron. Lett. 23 (1987), p. 841.;
392. E. Constant in [1], p. 397.
393. N. Ng Ching Hing, S. Mezière, I. Valin, and E. Constant, Electron. Lett. 31 (1995), p. 1391.
394. G. S. Jackson, N. Pan, M. S. Feng, G. E. Stillman, N. Holonyak, Jr., and R. D. Burnham, Appl. Phys. Lett. 51 (1987), p. 1629.
395. G. S. Jackson, D. C. Hall, L. J. Guido, W. E. Plano, N. Pan, N. Holonyak, Jr., and G. E. Stillman, Appl. Phys. Lett. 52 (1988), p. 691.
396. J. S. Major, Jr., W. E. Piano, A. R. Sugg, D. C. Hall, N. Holonyak, Jr., and K. C. Hsieh, Appl. Phys. Lett. 56 (1990), p. 105.
397. C. Kazmierski, B. Theys, B. Rose, A. Mircea, A. Jalil, and J. Chevallier, Electron. Lett. 25 (1989), p. 1433.
398. M. Van Hove, R. Pereira, W. De Raedt, G. Borghs, R. Jonckheere, C. Sala, W. Magnus, W. Schoemaker, and M. Van Rossum, J. Appl. Phys. 72 (1992), p. 158.
399. M. Constant, D. Loridant, J. C. Camart, S. Mezière, L. Boussekey, and M. Chive, SPIE Conf., Optoelectron. Integr. Circuit Mater., Phys. Dev., 2397 (1995), p. 229.
400. S. K. Min, W. C. Choi, H. Y. Cho, and M. Yamaguchi, Appl. Phys. Lett. 64 (1994), p. 1280.