Transport properties of hydrogenated p-GalnAs doped with carbon

Journal of Applied Physics

Volumn 80, Issue 4, 1996, Pages 2300-2304

  Theys, B ^a   Bourgeois, F ^a   Chevallier, J ^a   Svob, L ^a   Miloche, M ^a   Driad, R ^b   Benchimol, J L ^b  

^a CNRS   (France)

^b ORANGE LABS   (France)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0343269811     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.363060     Document Type: Article

References (29)

1. N. Kobayashi, T. Mazkimoto, and Y. Horikoshi, Appl. Phys. Lett. 50, 1435 (1987).
2. T. Yamada, S. Nozaki, R. Miyake, T. Fukamachi, J. I. Shirakashi, M. Konagai, and K. Takahashi, J. Cryst. Growth 111, 584 (1991), and references therein.
3. S. A. Stockman, A. W. Hanson, and G. E. Stillman, Appl. Phys. Lett. 60, 2903 (1992), and references therein.
4. M. Kamp, R. Contini, K. Werner, H. Heineke, M. Weyers, H. Läuth, and P. Balk, J. Cryst. Growth, 95, 154 (1989).
5. S. A. Stockman, A. W. Hanson, S. M. Lichtental, M. T. Fresina, G. E. Höfler, K. C. Hsien, and G. E. Stillman, J. Electron. Mater. 21, 1111 (1992).
6. E. M. Omeljanovski, A. V. Pakhomov, and A. Y. Polyakov, Phys. Lett. A. 141, 75 (1989).
7. E. M. Omeljanovski, A. V. Pakhomov, A. Y. Polyakov, O. M. Borodina, and G. V. Shepekina, Defects Control in Semiconductors, edited by K. Sumino (Elsevier Science, New York, 1990), p 867.
8. B. Theys, A. Jalil, J. Chevallier, A. M. Huber, C. Grattepain, P. Hirtz, and B. Pajot, Physica B 170, 421 (1991).
9. J. L. Benchimol, G. LeRoux, H. Thibierge, C. Daguet. F. Alexandre, and F. Brillouet, J. Cryst. Growth, 107, 978 (1991).
10. J. Chevallier, A. Jalil, B. Theys, J. C. Pesant, M. Aucouturier, B. Rose, and A. Mircea, Semicond. Sci. Technol. 4, 87 (1989).
11. J. Chevallier, B. Pajot, A. Jalil, R. Mostefaoui, R. Rahbi, and M. C. Boissy, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 104, 337 (1988).
12. N. M. Johnson, Phys. Rev. B 31, 5525 (1985).
13. A. Jalil, B. Theys, J. Chevallier, A. M. Huber, C. Grattepain, P. Hirtz, and B. Pajot, Appl. Phys. Lett. 57, 2791 (1990).
14. R. Rahbi, B. Pajot, J. Chevallier, A. Marbeuf, R. C. Logan, and M. Gavand, J. Appl. Phys. 73, 1723 (1993).
15. F. Ermanis and K. Wolfstirn, J. Appl. Phys. 37, 1963 (1966).
16. A. A. Velichko, A. M. Palkin, and A. F. Kravchenko, Sov. Phys. Semicond. 13, 1265 (1979).
17. H. Fukuyama, M. Saitoh, Y. Demura, and H. Shiba, J. Phys. Soc. Jpn. 28, 842 (1970).
18. A. Y. Polyakov, M. Ye, S. J. Pearton, R. G. Wilson, A. G. Milnes, M. Stam, and J. Erickson, J. Appl. Phys 73, 2882 (1993).
19. H. Ito and T. Ishibashi, Jpn. J. Appl Phys. 30. L944 (1991).
20. Y. Takeda and A. Sasaki, Jpn. J. Appl. Phys. 19, 383 (1980).
21. D. Chattopadhyay, S. K. Sutradhar, and B. R. Nag, J. Phys. C 14, 891 (1981).
22. V. W. L Chin, T. Osotchan, and T. L. Tansley, Solid State Electron. 35, 1247 (1992).
23. N. Caglio, E. Constant, J. C. Pesant, and J. Chevallier, J. Appl. Phys. 69, 1345 (1991).
24. R. Mostefaoui, J.Chevallier, A Jalil, and J. C. Pesant, J. Appl. Phys. 64, 207 (1988).
25. S. S. Chandvankar and B. M. Arora, J. Cryst. Growth 94, 270 (1989).
26. S. J. Pearton, C. R. Abernathy, and J. Lopata, Appl. Phys. Lett. 59, 3571 (1991).
27. G. Roos, N. M. Johnson, C. Herring, and J. S. Harris, Appl. Phys. Lett. 59, 461 (1991).
28. H. Y. Cho, S. K. Min, K. J Chang, and C. Lee, Phys. Rev. B 44, 13779 (1991).
29. R. L. Petritz, Phys. Rev. 110, 1254 (1958).