SCOPUS 정보 검색 플랫폼

Japanese Journal of Applied Physics

Volumn 52, Issue 4 PART 1, 2013, Pages

Review of emerging new solid-state non-volatile memories

(1) Fujisaki, Yoshihisa a

a HITACHI LTD (Japan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

FERRO-ELECTRIC RAMS; INDUSTRIAL EQUIPMENT; LOW-POWER CONSUMPTION; NAND FLASH MEMORY; NON-VOLATILE MEMORY; RANDOM ACCESS MEMORY; SEMICONDUCTOR MEMORY; ULTRAHIGH DENSITY;

FLASH MEMORY; MRAM DEVICES; NONVOLATILE STORAGE; SEMICONDUCTOR STORAGE; SMART CARDS;

RANDOM ACCESS STORAGE;

EID: 84880829336 PISSN: 00214922 EISSN: 13474065 Source Type: Journal
DOI: 10.7567/JJAP.52.040001 Document Type: Review

Times cited : (116)

References (130)

1
- 0036575326
- J.-D. Lee, S.-H. Hur, and J.-D. Choi: IEEE Electron Device Lett. 23 (2002) 264.
- (2002) IEEE Electron Device Lett. , vol.23 , pp. 264
- Lee, J.-D.¹ Hur, S.-H.² Choi, J.-D.³

2
- 19744381480
- A. Fazio: MRS Bull. 29 (2004) 814.
- (2004) MRS Bull. , vol.29 , pp. 814
- Fazio, A.¹

3
- 84880786607
- T. Endoh, K. Kinoshita, T. Tanigami, Y. Wada, K. Sato, K. Yamada, T. Yokoyama, N. Takeuchi, K. Tanaka, N. Awaya, K. Sakiyama, and F. Masuoka: IEDM Tech. Dig., 2001, p. 2.3.1.
- (2001) IEDM Tech. Dig. , pp. 231
- Endoh, T.¹ Kinoshita, K.² Tanigami, T.³ Wada, Y.⁴ Sato, K.⁵ Yamada, K.⁶ Yokoyama, T.⁷ Takeuchi, N.⁸ Tanaka, K.⁹ Awaya, N.¹⁰ Sakiyama, K.¹¹ Masuoka, F.¹²

4
- 36448932248
- H. Tanaka, M. Kido, K. Yahashi, M. Oomura, R. Katsumata, M. Kito, Y. Fukuzumi, M. Sato, Y. Nagata, Y. Matsuoka, Y. Iwata, H. Aochi, and A. Nitayama: Proc. Int. Symp. VLSI Technology, 2007, p. 14.
- (2007) Proc. Int. Symp. VLSI Technology , pp. 14
- Tanaka, H.¹ Kido, M.² Yahashi, K.³ Oomura, M.⁴ Katsumata, R.⁵ Kito, M.⁶ Fukuzumi, Y.⁷ Sato, M.⁸ Nagata, Y.⁹ Matsuoka, Y.¹⁰ Iwata, Y.¹¹ Aochi, H.¹² Nitayama, A.¹³

5
- 70349992868
- Y. Komori, M. Kido, M. Kito, R. Katsumata, Y. Fukuzumi, H. Tanaka, Y. Nagata, M. Ishiduki, H. Aochi, and A. Nitayama: IEDM Tech. Dig., 2008, p. 851.
- (2008) IEDM Tech. Dig. , pp. 851
- Komori, Y.¹ Kido, M.² Kito, M.³ Katsumata, R.⁴ Fukuzumi, Y.⁵ Tanaka, H.⁶ Nagata, Y.⁷ Ishiduki, M.⁸ Aochi, H.⁹ Nitayama, A.¹⁰

6
- 71049162177
- R. Katsumata, M. Kito, Y. Fukuzumi, M. Kido, H. Tanaka, Y. Komori, M. Ishiduki, J. Matsunami, T. Fujiwara, Y. Nagata, L. Zhang, Y. Iwata, R. Kirisawa, H. Aochi, and A. Nitayama: Proc. Int. Symp. VLSI Technology, 2009, p. 136.
- (2009) Proc. Int. Symp. VLSI Technology , pp. 136
- Katsumata, R.¹ Kito, M.² Fukuzumi, Y.³ Kido, M.⁴ Tanaka, H.⁵ Komori, Y.⁶ Ishiduki, M.⁷ Matsunami, J.⁸ Fujiwara, T.⁹ Nagata, Y.¹⁰ Zhang, L.¹¹ Iwata, Y.¹² Kirisawa, R.¹³ Aochi, H.¹⁴ Nitayama, A.¹⁵

7
- 77957894900
- M. Ishiduki, Y. Fukuzumi, R. Katsumata, M. Kito, M. Kido, H. Tanaka, Y. Komori, Y. Nagata, T. Fujiwara, T. Maeda, Y. Mikajiri, S. Oota, M. Honda, Y. Iwata, R. Kirisawa, H. Aochi, and A. Nitayama: IEDM Tech. Dig., 2009, p. 625.
- (2009) IEDM Tech. Dig. , pp. 625
- Ishiduki, M.¹ Fukuzumi, Y.² Katsumata, R.³ Kito, M.⁴ Kido, M.⁵ Tanaka, H.⁶ Komori, Y.⁷ Nagata, Y.⁸ Fujiwara, T.⁹ Maeda, T.¹⁰ Mikajiri, Y.¹¹ Oota, S.¹² Honda, M.¹³ Iwata, Y.¹⁴ Kirisawa, R.¹⁵ Aochi, H.¹⁶ Nitayama, A.¹⁷

8
- 71049151625
- Y. C. Jang, H.-S. Kim, W. Cho, H. Cho, J. Kim, S. I. Shim, Y. Jang, J.-H. Jeong, B.-K. Son, D. W. Kim, K. Kim, J.-J. Shim, J. S. Lim, K.-H. Kim, S. Y. Yi, J.-Y. Lim, D. Chung, H.-C. Moon, S. Hwang, J.-W. Lee, Y.-H. Son, U.-I. Chung, and W.-S. Lee: Proc. Int. Symp. VLSI Technology, 2009, p. 192.
- (2009) Proc. Int. Symp. VLSI Technology , pp. 192
- Jang, Y.C.¹ Kim, H.-S.² Cho, W.³ Cho, H.⁴ Kim, J.⁵ Shim, S.I.⁶ Jang, Y.⁷ Jeong, J.-H.⁸ Son, B.-K.⁹ Kim, D.W.¹⁰ Kim, K.¹¹ Shim, J.-J.¹² Lim, J.S.¹³ Kim, K.-H.¹⁴ Yi, S.Y.¹⁵ Lim, J.-Y.¹⁶ Chung, D.¹⁷ Moon, H.-C.¹⁸ Hwang, S.¹⁹ Lee, J.-W.²⁰ more..

9
- 77957859786
- H.-T. T. Lue, T.-H. H. Hsu, Y.-H. H. Hsiao, S. P. Hong, M.-T. T. Wu, F.-H. H. Hsu, N. Z. Lien, S.-Y. Y. Wang, J.-Y. Y. Hsieh, L.-W. W. Yang, T. Z. Yang, K.-C. C. Chen, K.-Y. Y. Hsieh, and C.-Y. Y. Lu: Proc. Int. Symp. VLSI Technology, 2010, p. 131.
- (2010) Proc. Int. Symp. VLSI Technology , pp. 131
- Lue, H.-T.T.¹ Hsu, T.-H.H.² Hsiao, Y.-H.H.³ Hong, S.P.⁴ Wu, M.-T.T.⁵ Hsu, F.-H.H.⁶ Lien, N.Z.⁷ Wang, S.-Y.Y.⁸ Hsieh, J.-Y.Y.⁹ Yang, L.-W.W.¹⁰ Yang, T.Z.¹¹ Chen, K.-C.C.¹² Hsieh, K.-Y.Y.¹³ Lu, C.-Y.Y.¹⁴

10
- 79960010666
- S. Whang, K. Lee, D. Shin, B. Kim, M. Kim, J. Bin, J. Han, S. Kim, B. Lee, Y. Jung, S. Cho, C. Shin, H. Yoo, S. Choi, K. Hong, S. Aritome, S. Park, and S. Hong: IEDM Tech. Dig., 2010, p. 668.
- (2010) IEDM Tech. Dig. , pp. 668
- Whang, S.¹ Lee, K.² Shin, D.³ Kim, B.⁴ Kim, M.⁵ Bin, J.⁶ Han, J.⁷ Kim, S.⁸ Lee, B.⁹ Jung, Y.¹⁰ Cho, S.¹¹ Shin, C.¹² Yoo, H.¹³ Choi, S.¹⁴ Hong, K.¹⁵ Aritome, S.¹⁶ Park, S.¹⁷ Hong, S.¹⁸

11
- 84869138562
- M.-S. Seo, S.-K. Park, and T. Endoh: Proc. Int. Memory Workshop, 2010, p. 1.
- (2010) Proc. Int. Memory Workshop , pp. 1
- Seo, M.-S.¹ Park, S.-K.² Endoh, T.³

12
- 84880849894
- M.-S. Seo, B.-H. Lee, S.-K. Park, and T. Endoh: Proc. Int. Memory Workshop, 2011, p. 1.
- (2011) Proc. Int. Memory Workshop , pp. 1
- Seo, M.-S.¹ Lee, B.-H.² Park, S.-K.³ Endoh, T.⁴

13
- 19744382167
- G. Grynkewich, J. Akerman, P. Brown, B. Butcher, R. W. Dave, M. DeHerrera, M. Durlam, B. N. Engel, J. Janesky, S. Pietambaram, N. D. Rizzo, J. M. Slaughter, K. Smith, J. J. Sun, and S. Tehrani: MRS Bull. 29 (2004) 818.
- (2004) MRS Bull. , vol.29 , pp. 818
- Grynkewich, G.¹ Akerman, J.² Brown, P.³ Butcher, B.⁴ Dave, R.W.⁵ Deherrera, M.⁶ Durlam, M.⁷ Engel, B.N.⁸ Janesky, J.⁹ Pietambaram, S.¹⁰ Rizzo, N.D.¹¹ Slaughter, J.M.¹² Smith, K.¹³ Sun, J.J.¹⁴ Tehrani, S.¹⁵

14
- 47249124447
- K. Miura, T. Kawahara, R. Takemura, J. Hayakawa, S. Ikeda, R. Sasaki, H. Takahashi, H. Matsuoka, and H. Ohno: Proc. Int. Symp. VLSI Technology, 2007, p. 234.
- (2007) Proc. Int. Symp. VLSI Technology , pp. 234
- Miura, K.¹ Kawahara, T.² Takemura, R.³ Hayakawa, J.⁴ Ikeda, S.⁵ Sasaki, R.⁶ Takahashi, H.⁷ Matsuoka, H.⁸ Ohno, H.⁹

15
- 77957864471
- T. Ishigaki, T. Kawahara, R. Takemura, K. Ono, K. Ito, H. Matsuoka, and H. Ohno: Proc. Int. Symp. VLSI Technology, 2010, p. 47.
- (2010) Proc. Int. Symp. VLSI Technology , pp. 47
- Ishigaki, T.¹ Kawahara, T.² Takemura, R.³ Ono, K.⁴ Ito, K.⁵ Matsuoka, H.⁶ Ohno, H.⁷

16
- 77957859017
- Y. M. Lee, C. Yoshida, K. Tsunoda, S. Umehara, A. Aoki, and T. Sugii: Proc. Int. Symp. VLSI Technology, 2010, p. 49.
- (2010) Proc. Int. Symp. VLSI Technology , pp. 49
- Lee, Y.M.¹ Yoshida, C.² Tsunoda, K.³ Umehara, S.⁴ Aoki, A.⁵ Sugii, T.⁶

17
- 77957866361
- A. Driskill-Smith, S. Watts, V. Nikitin, D. Apalkov, D. Druist, R. Kawakami, X. Tang, X. Luo, A. Ong, and E. Chen: Proc. Int. Symp. VLSI Technology, 2010, p. 51.
- (2010) Proc. Int. Symp. VLSI Technology , pp. 51
- Driskill-Smith, A.¹ Watts, S.² Nikitin, V.³ Apalkov, D.⁴ Druist, D.⁵ Kawakami, R.⁶ Tang, X.⁷ Luo, X.⁸ Ong, A.⁹ Chen, E.¹⁰

18
- 81555197341
- D. C. Worledge, G. Hu, P. L. Trouilloud, D. W. Abraham, S. L. Brown, M. C. Gaidis, J. Nowark, E. J. O'Sullivan, R. P. Robertazzi, J. Z. Sun, and W. J. Gallagher: IEDM Tech. Dig., 2010, p. 296.
- (2010) IEDM Tech. Dig. , pp. 296
- Worledge, D.C.¹ Hu, G.² Trouilloud, P.L.³ Abraham, D.W.⁴ Brown, S.L.⁵ Gaidis, M.C.⁶ Nowark, J.⁷ O'sullivan, E.J.⁸ Robertazzi, R.P.⁹ Sun, J.Z.¹⁰ Gallagher, W.J.¹¹

19
- 84857482532
- S. C. Oh, J. H. Jeong, W. C. Lim, W. J. Kim, Y. H. Kim, H. J. Shin, J. E. Lee, Y. G. Shin, S. Choi, and C. Chung: IEDM Tech. Dig., 2010, p. 300.
- (2010) IEDM Tech. Dig. , pp. 300
- Oh, S.C.¹ Jeong, J.H.² Lim, W.C.³ Kim, W.J.⁴ Kim, Y.H.⁵ Shin, H.J.⁶ Lee, J.E.⁷ Shin, Y.G.⁸ Choi, S.⁹ Chung, C.¹⁰

20
- 84866063917
- S. Chung, K.-M. Rho, S.-D. Kim, H.-J. Suh, D.-J. Kim, H.-J. Kim, S.-H. Lee, H.-M. Hwang, J.-H. Park, S.-M. Hwang, J.-Y. Lee, Y.-B. An, J.-U. Yi, Y.-H. Seo, D.-H. Jung, M.-S. Lee, S.-H. Cho, J.-N. Kim, G.-J. Park, G. Jin, A. Driskill-Smith, V. Nikitin, A. Ong, X. Tang, Y. Kim, J.-S. Rho, S.-K. Park, S.-W. Chung, J.-G. Jeong, and S.-J. Hong: IEDM Tech. Dig., 2010, p. 304.
- (2010) IEDM Tech. Dig. , pp. 304
- Chung, S.¹ Rho, K.-M.² Kim, S.-D.³ Suh, H.-J.⁴ Kim, D.-J.⁵ Kim, H.-J.⁶ Lee, S.-H.⁷ Hwang, H.-M.⁸ Park, J.-H.⁹ Hwang, S.-M.¹⁰ Lee, J.-Y.¹¹ An, Y.-B.¹² Yi, J.-U.¹³ Seo, Y.-H.¹⁴ Jung, D.-H.¹⁵ Lee, M.-S.¹⁶ Cho, S.-H.¹⁷ Kim, J.-N.¹⁸ Park, G.-J.¹⁹ Jin, G.²⁰ more..

21
- 80052657578
- Y. W. Kim, S.-C. Oh, W. C. Lim, J. H. Kim, W.-J. Kim, J.-H. Jeong, H.-J. Shin, K. W. Kim, K. S. Kim, J.-H. Park, S. H. Park, H. Kwon, K. H. Ah, J.-E. Lee, S. O. Park, S. Choi, H.-K. Kang, and C.-H. Chung: Proc. Int. Symp. VLSI Technology, 2011, p. 210.
- (2011) Proc. Int. Symp. VLSI Technology , pp. 210
- Kim, Y.W.¹ Oh, S.-C.² Lim, W.C.³ Kim, J.H.⁴ Kim, W.-J.⁵ Jeong, J.-H.⁶ Shin, H.-J.⁷ Kim, K.W.⁸ Kim, K.S.⁹ Park, J.-H.¹⁰ Park, S.H.¹¹ Kwon, H.¹² Ah, K.H.¹³ Lee, J.-E.¹⁴ Park, S.O.¹⁵ Choi, S.¹⁶ Kang, H.-K.¹⁷ Chung, C.-H.¹⁸

22
- 80052687993
- Y. Iba, K. Tsunoda, Y. M. Lee, C. Yoshida, H. Noshiro, A. Akahashi, Y. Yamazaki, M. Nakabayashi, A. Hatada, M. Aoki, and T. Sugii: Proc. Int. Symp. VLSI Technology, 2011, p. 212.
- (2011) Proc. Int. Symp. VLSI Technology , pp. 212
- Iba, Y.¹ Tsunoda, K.² Lee, Y.M.³ Yoshida, C.⁴ Noshiro, H.⁵ Akahashi, A.⁶ Yamazaki, Y.⁷ Nakabayashi, M.⁸ Hatada, A.⁹ Aoki, M.¹⁰ Sugii, T.¹¹

23
- 80052679970
- K. Miura, S. Ikeda, M. Yamanouchi, H. Yamamoto, K. Mizunuma, H. D. Gam, J. Hayakawa, R. Koizumi, F. Matsukura, and H. Ohno: Proc. Int. Symp. VLSI Technology, 2011, p. 214.
- (2011) Proc. Int. Symp. VLSI Technology , pp. 214
- Miura, K.¹ Ikeda, S.² Yamanouchi, M.³ Yamamoto, H.⁴ Mizunuma, K.⁵ Gam, H.D.⁶ Hayakawa, J.⁷ Koizumi, R.⁸ Matsukura, F.⁹ Ohno, H.¹⁰

24
- 84876150636
- W. Kim, J. H. Jeong, Y. Kim, W. C. Lim, J. H. Kim, J. H. Park, H. J. Shin, Y. S. Park, K. S. Kim, S. H. Park, Y. J. Lee, K. W. Kim, H. J. Kwon, H. L. Park, H. S. Ahn, S. C. Oh, J. E. Lee, S. O. Park, S. Choi, H. K. Kang, and C. Chung: IEDM Tech. Dig., 2011, p. 531.
- (2011) IEDM Tech. Dig. , pp. 531
- Kim, W.¹ Jeong, J.H.² Kim, Y.³ Lim, W.C.⁴ Kim, J.H.⁵ Park, J.H.⁶ Shin, H.J.⁷ Park, Y.S.⁸ Kim, K.S.⁹ Park, S.H.¹⁰ Lee, Y.J.¹¹ Kim, K.W.¹² Kwon, H.J.¹³ Park, H.L.¹⁴ Ahn, H.S.¹⁵ Oh, S.C.¹⁶ Lee, J.E.¹⁷ Park, S.O.¹⁸ Choi, S.¹⁹ Kang, H.K.²⁰ Chung, C.²¹ more..

25
- 0034906915
- J. Mathon and A. Umerski: Phys. Rev. B 63 (2001) 220403.
- (2001) Phys. Rev. B , vol.63 , pp. 220403
- Mathon, J.¹ Umerski, A.²

26
- 10044257857
- S. Yuasa, T. Nagahama, A. Fukushima, Y. Suzuki, and K. Ando: Nat. Mater. 3 (2004) 868.
- (2004) Nat. Mater. , vol.3 , pp. 868
- Yuasa, S.¹ Nagahama, T.² Fukushima, A.³ Suzuki, Y.⁴ Ando, K.⁵

27
- 84861731122
- H. Kubota, S. Ishibashi, T. Saruya, T. Nozaki, A. Fukushima, K. Yakushiji, K. Ando, Y. Suzuki, and S. Yuasa: J. Appl. Phys. 111 (2012) 07C723.
- (2012) J. Appl. Phys. , vol.111
- Kubota, H.¹ Ishibashi, S.² Saruya, T.³ Nozaki, T.⁴ Fukushima, A.⁵ Yakushiji, K.⁶ Ando, K.⁷ Suzuki, Y.⁸ Yuasa, S.⁹

28
- 84857463383
- H. Ohno, T. Endoh, T. Hanyu, N. Kasai, and S. Ikeda: IEDM Tech. Dig., 2010, p. 218.
- (2010) IEDM Tech. Dig. , pp. 218
- Ohno, H.¹ Endoh, T.² Hanyu, T.³ Kasai, N.⁴ Ikeda, S.⁵

29
- 0035177824
- Spring
- T. M. Kowalick: Vehicular Technology Conf. 2001, Spring, 2001, Vol. 4, p. 3037.
- (2001) Vehicular Technology Conf. 2001 , vol.4 , pp. 3037
- Kowalick, T.M.¹

30
- 70349302046
- H. Shiga, D. Takashima, S. Shiratake, K. Hoya, T. Miyakawa, R. Ogiwara, R. Fukuda, R. Takizawa, K. Matsuda, F. Matsuoka, Y. Nagadomi, D. Hashimoto, H. Nishimura, T. Hioka, S. M. Doumae, S. Shimizu, M. Kawano, T. Taguchi, Y. Watanabe, S. Fujii, T. Ozaki, H. Kanaya, Y. Kumura, Y. Shimojo, Y. Yamada, Y. Minami, S. Shuto, K. Yamakawa, S. Yamazaki, I. Kunishima, T. Hamamoto, A. Nitayama, and A. Furuyama: Dig. Tech. Pap. IEEE Int. Solid State Circuit Conf., 2009, p. 464.
- (2009) Dig. Tech. Pap. IEEE Int. Solid State Circuit Conf. , pp. 464
- Shiga, H.¹ Takashima, D.² Shiratake, S.³ Hoya, K.⁴ Miyakawa, T.⁵ Ogiwara, R.⁶ Fukuda, R.⁷ Takizawa, R.⁸ Matsuda, K.⁹ Matsuoka, F.¹⁰ Nagadomi, Y.¹¹ Hashimoto, D.¹² Nishimura, H.¹³ Hioka, T.¹⁴ Doumae, S.M.¹⁵ Shimizu, S.¹⁶ Kawano, M.¹⁷ Taguchi, T.¹⁸ Watanabe, Y.¹⁹ Fujii, S.²⁰ more..

31
- 4544302440
- N. Nagel, R. Bruchhaus, K. Hornik, U. Egger, H. Zhuang, H.-O. Joachim, T. Röhr, G. Beitel, T. Ozaki, and I. Kunishima: Proc. Int. Symp. VLSI Technology, 2004, p. 146.
- (2004) Proc. Int. Symp. VLSI Technology , pp. 146
- Nagel, N.¹ Bruchhaus, R.² Hornik, K.³ Egger, U.⁴ Zhuang, H.⁵ Joachim, H.-O.⁶ Röhr, T.⁷ Beitel, G.⁸ Ozaki, T.⁹ Kunishima, I.¹⁰

32
- 84861915586
- X. Zhang, M. Takahashi, K. Takeuchi, and S. Sakai: Ext. Abstr. Int. Conf. Solid State Devices and Materials (SSDM), 2011, p. 975.
- (2011) Ext. Abstr. Int. Conf. Solid State Devices and Materials (SSDM) , pp. 975
- Zhang, X.¹ Takahashi, M.² Takeuchi, K.³ Sakai, S.⁴

33
- 19744381777
- Y. Arimoto and H. Ishiwara: MRS Bull. 29 (2004) 823.
- (2004) MRS Bull. , vol.29 , pp. 823
- Arimoto, Y.¹ Ishiwara, H.²

34
- 84863269142
- D. Zhou, J. Müller, J. Xu, S. Knebel, D. Bräuhaus, and U. Schröder: Appl. Phys. Lett. 100 (2012) 082905.
- (2012) Appl. Phys. Lett. , vol.100 , pp. 082905
- Zhou, D.¹ Müller, J.² Xu, J.³ Knebel, S.⁴ Bräuhaus, D.⁵ Schröder, U.⁶

35
- 80052804532
- T. S. Böscke, J. Müller, D. Bräuhaus, U. Schröder, and U. Böttger: Appl. Phys. Lett. 99 (2011) 102903.
- (2011) Appl. Phys. Lett. , vol.99 , pp. 102903
- Böscke, T.S.¹ Müller, J.² Bräuhaus, D.³ Schröder, U.⁴ Böttger, U.⁵

36
- 80053193219
- T. S. Böscke, St. Teichert, D. Bräuhaus, J. Müller, U. Schröder, U. Böttger, and T. Mikolajick: Appl. Phys. Lett. 99 (2011) 112904.
- (2011) Appl. Phys. Lett. , vol.99 , pp. 112904
- Böscke, T.S.¹ St. Teichert² Bräuhaus, D.³ Müller, J.⁴ Schröder, U.⁵ Böttger, U.⁶ Mikolajick, T.⁷

37
- 0033554712
- B. H. Park, B. S. Kang, S. D. Bu, T. W. Noh, J. Lee, and W. Jo: Nature 401 (1999) 682.
- (1999) Nature , vol.401 , pp. 682
- Park, B.H.¹ Kang, B.S.² Bu, S.D.³ Noh, T.W.⁴ Lee, J.⁵ Jo, W.⁶

38
- 0037684935
- Y. Fujisaki, K. Iseki, and H. Ishiwara: Jpn. J. Appl. Phys. 42 (2003) L267.
- (2003) Jpn. J. Appl. Phys. , vol.42
- Fujisaki, Y.¹ Iseki, K.² Ishiwara, H.³

39
- 0037436499
- J. Wang, J. B. Neaton, H. Zheng, V. Nagarajan, S. B. Ogale, B. Liu, D. Viehland, V. Vaithyanathan, D. G. Schlom, U. V. Waghmare, N. A. Spaldin, K. M. Rabe, M. Wuttig, and R. Ramesh: Science 299 (2003) 1719.
- (2003) Science , vol.299 , pp. 1719
- Wang, J.¹ Neaton, J.B.² Zheng, H.³ Nagarajan, V.⁴ Ogale, S.B.⁵ Liu, B.⁶ Viehland, D.⁷ Vaithyanathan, V.⁸ Schlom, D.G.⁹ Waghmare, U.V.¹⁰ Spaldin, N.A.¹¹ Rabe, K.M.¹² Wuttig, M.¹³ Ramesh, R.¹⁴

40
- 36248930886
- S. K. Singh, H. Ishiwara, K. Sato, and K. Maruyama: J. Appl. Phys. 102 (2007) 094109.
- (2007) J. Appl. Phys. , vol.102 , pp. 094109
- Singh, S.K.¹ Ishiwara, H.² Sato, K.³ Maruyama, K.⁴

41
- 19744381777
- Y. Arimoto and H. Ishiwara: MRS Bull. 29 (2004) 823.
- (2004) MRS Bull. , vol.29 , pp. 823
- Arimoto, Y.¹ Ishiwara, H.²

42
- 84880799989
- Y. Fujisaki and H. Ishiwara: MRS Proc. 830 (2005) 64.
- (2005) MRS Proc. , vol.830 , pp. 64
- Fujisaki, Y.¹ Ishiwara, H.²

43
- 71049148092
- Y. Huai: AAPPS Bull. 18 [6] (2008) 33.
- (2008) AAPPS Bull. , vol.18 , Issue.6 , pp. 33
- Huai, Y.¹

44
- 0141830841
- H. Horii, J. H. Yi, J. H. Park, Y. H. Ha, I. G. Beak, S. O. Park, Y. N. Hwang, S. H. Lee, Y. T. Kim, K. H. Lee, U.-I. Chung, and J. T. Moon: Proc. Int. Symp. VLSI Technology, 2003, p. 177.
- (2003) Proc. Int. Symp. VLSI Technology , pp. 177
- Horii, H.¹ Yi, J.H.² Park, J.H.³ Ha, Y.H.⁴ Beak, I.G.⁵ Park, S.O.⁶ Hwang, Y.N.⁷ Lee, S.H.⁸ Kim, Y.T.⁹ Lee, K.H.¹⁰ Chung, U.-I.¹¹ Moon, J.T.¹²

45
- 33749515584
- N. Matsuzaki, K. Kurotsuchi, Y. Matsui, O. Tonomura, N. Yamamoto, Y. Fujisaki, N. Kitai, R. Takemura, K. Osada, S. Hanzawa, H. Moriya, T. Iwasaki, T. Kawahara, N. Takaura, M. Terao, M. Matsuoka, and M. Moniwa: IEDM Tech. Dig., 2005, p. 738.
- (2005) IEDM Tech. Dig. , pp. 738
- Matsuzaki, N.¹ Kurotsuchi, K.² Matsui, Y.³ Tonomura, O.⁴ Yamamoto, N.⁵ Fujisaki, Y.⁶ Kitai, N.⁷ Takemura, R.⁸ Osada, K.⁹ Hanzawa, S.¹⁰ Moriya, H.¹¹ Iwasaki, T.¹² Kawahara, T.¹³ Takaura, N.¹⁴ Terao, M.¹⁵ Matsuoka, M.¹⁶ Moniwa, M.¹⁷

46
- 50249088057
- T. Morikawa, K. Kurotsuchi, M. Kinoshita, N. Matsuzaki, Y. Matsui, Y. Fujisaki, S. Hanzawa, A. Kotabe, M. Terao, H. Moriya, T. Iwasaki, M. Matsuoka, F. Nitta, M. Moniwa, T. Koga, and N. Takaura: IEDM Tech. Dig., 2007, p. 307.
- (2007) IEDM Tech. Dig. , pp. 307
- Morikawa, T.¹ Kurotsuchi, K.² Kinoshita, M.³ Matsuzaki, N.⁴ Matsui, Y.⁵ Fujisaki, Y.⁶ Hanzawa, S.⁷ Kotabe, A.⁸ Terao, M.⁹ Moriya, H.¹⁰ Iwasaki, T.¹¹ Matsuoka, M.¹² Nitta, F.¹³ Moniwa, M.¹⁴ Koga, T.¹⁵ Takaura, N.¹⁶

47
- 35748985544
- M. Wuttig and N. Yamada: Nat. Mater. 6 (2007) 824.
- (2007) Nat. Mater. , vol.6 , pp. 824
- Wuttig, M.¹ Yamada, N.²

48
- 38549181844
- Y. Fujisaki, N. Matsuzaki, K. Kurotsuchi, T. Morikawa, M. Kinoshita, N. Kitai, S. Hanzawa, H. Moriya, N. Takaura, M. Terao, M. Matsuoka, T. Koga, and M. Moniwa: MRS Proc. 997 (2007) 293.
- (2007) MRS Proc. , vol.997 , pp. 293
- Fujisaki, Y.¹ Matsuzaki, N.² Kurotsuchi, K.³ Morikawa, T.⁴ Kinoshita, M.⁵ Kitai, N.⁶ Hanzawa, S.⁷ Moriya, H.⁸ Takaura, N.⁹ Terao, M.¹⁰ Matsuoka, M.¹¹ Koga, T.¹² Moniwa, M.¹³

49
- 0141538290
- Y. H. Ha, J. H. Yi, H. Horii, J. H. Park, S. H. Joo, S. O. Park, U.-I. Chung, and J. T. Moon: Proc. Int. Symp. VLSI Technology, 2003, p. 175.
- (2003) Proc. Int. Symp. VLSI Technology , pp. 175
- Ha, Y.H.¹ Yi, J.H.² Horii, H.³ Park, J.H.⁴ Joo, S.H.⁵ Park, S.O.⁶ Chung, U.-I.⁷ Moon, J.T.⁸

50
- 34948875674
- Y. C. Chen, C. T. Rettner, S. Raoux, G. W. Burr, S. H. Chen, R. M. Shelby, M. Salinga, W. P. Risk, T. D. Happ, G. M. McClelland, M. J. Breitwisch, A. G. Schrott, J. B. Philipp, M. H. Lee, R. W. Cheek, T. Nirschl, M. C. Lamorey, C. F. Chen, E. A. Joseph, S. Zaidi, B. Yee, H. L. Lung, R. Bergmann, and C. Lam: IEDM Tech. Dig., 2006, p. 777.
- (2006) IEDM Tech. Dig. , pp. 777
- Chen, Y.C.¹ Rettner, C.T.² Raoux, S.³ Burr, G.W.⁴ Chen, S.H.⁵ Shelby, R.M.⁶ Salinga, M.⁷ Risk, W.P.⁸ Happ, T.D.⁹ McClelland, G.M.¹⁰ Breitwisch, M.J.¹¹ Schrott, A.G.¹² Philipp, J.B.¹³ Lee, M.H.¹⁴ Cheek, R.W.¹⁵ Nirschl, T.¹⁶ Lamorey, M.C.¹⁷ Chen, C.F.¹⁸ Joseph, E.A.¹⁹ Zaidi, S.²⁰ more..

51
- 4544229593
- F. Pellizzer, A. Pirovano, F. Ottogalli, M. Magistretti, M. Scaravaggi, P. Zuliani, M. Tosi, A. Benvenuti, P. Besana, S. Cadeo, T. Marangon, R. Morandi, R. Piva, A. Spandre, R. Zonca, A. Modelli, E. Varesi, T. Lowrey, A. Lacaita, G. Casagrande, P. Cappelletti, and R. Bez: Proc. Int. Symp. VLSI Technology, 2004, p. 18.
- (2004) Proc. Int. Symp. VLSI Technology , pp. 18
- Pellizzer, F.¹ Pirovano, A.² Ottogalli, F.³ Magistretti, M.⁴ Scaravaggi, M.⁵ Zuliani, P.⁶ Tosi, M.⁷ Benvenuti, A.⁸ Besana, P.⁹ Cadeo, S.¹⁰ Marangon, T.¹¹ Morandi, R.¹² Piva, R.¹³ Spandre, A.¹⁴ Zonca, R.¹⁵ Modelli, A.¹⁶ Varesi, E.¹⁷ Lowrey, T.¹⁸ Lacaita, A.¹⁹ Casagrande, G.²⁰ Cappelletti, P.²¹ Bez, R.²² more..

52
- 41149134446
- F. Pellizzer, A. Benvenuti, B. Gleixner, Y. Kim, B. Johnson, M. Magistretti, T. Marangon, A. Pirovano, R. Bez, and G. E. Atwood: Proc. Int. Symp. VLSI Technology, 2006, p. 122.
- (2006) Proc. Int. Symp. VLSI Technology , pp. 122
- Pellizzer, F.¹ Benvenuti, A.² Gleixner, B.³ Kim, Y.⁴ Johnson, B.⁵ Magistretti, M.⁶ Marangon, T.⁷ Pirovano, A.⁸ Bez, R.⁹ Atwood, G.E.¹⁰

53
- 33751103904
- F. Merget, D. H. Kim, P. Haring Bolivar, and H. Kurz: Microsyst. Technol. 13 (2007) 169.
- (2007) Microsyst. Technol. , vol.13 , pp. 169
- Merget, F.¹ Kim, D.H.² Haring Bolivar, P.³ Kurz, H.⁴

54
- 37549012274
- T. D. Happ, M. J. Breitwisch, A. G. Schrott, J. B. Philipp, M. H. Lee, R. W. Cheek, T. Nirschl, M. C. Lamorey, C. H. Ho, S. H. Chen, C. F. Chen, E. A. Joseph, S. Zaidi, G. W. Burr, B. Yee, Y. C. Chen, S. Raoux, H. L. Lung, R. Bergmann, and C. Lam: Proc. Int. Symp. VLSI Technology, 2006, p. 120.
- (2006) Proc. Int. Symp. VLSI Technology , pp. 120
- Happ, T.D.¹ Breitwisch, M.J.² Schrott, A.G.³ Philipp, J.B.⁴ Lee, M.H.⁵ Cheek, R.W.⁶ Nirschl, T.⁷ Lamorey, M.C.⁸ Ho, C.H.⁹ Chen, S.H.¹⁰ Chen, C.F.¹¹ Joseph, E.A.¹² Zaidi, S.¹³ Burr, G.W.¹⁴ Yee, B.¹⁵ Chen, Y.C.¹⁶ Raoux, S.¹⁷ Lung, H.L.¹⁸ Bergmann, R.¹⁹ Lam, C.²⁰ more..

55
- 49049114149
- W. S. Chen, C. M. Lee, D. S. Chao, Y. C. Chen, F. Chen, C. W. Chen, P. H. Yen, M. J. Chen, W. H. Wang, T. C. Hsiao, J. T. Yeh, S. H. Chiou, M. Y. Liu, T. C. Wang, L. L. Chein, C. M. Huang, N. T. Shih, L. S. Tu, D. Huang, T. H. Yu, M. J. Kao, and M.-J. Tsai: IEDM Tech. Dig., 2007, p. 319.
- (2007) IEDM Tech. Dig. , pp. 319
- Chen, W.S.¹ Lee, C.M.² Chao, D.S.³ Chen, Y.C.⁴ Chen, F.⁵ Chen, C.W.⁶ Yen, P.H.⁷ Chen, M.J.⁸ Wang, W.H.⁹ Hsiao, T.C.¹⁰ Yeh, J.T.¹¹ Chiou, S.H.¹² Liu, M.Y.¹³ Wang, T.C.¹⁴ Chein, L.L.¹⁵ Huang, C.M.¹⁶ Shih, N.T.¹⁷ Tu, L.S.¹⁸ Huang, D.¹⁹ Yu, T.H.²⁰ Kao, M.J.²¹ Tsai, M.-J.²² more..

56
- 47249119179
- M. J. Breitwish, T. Nirschl, C. F. Chen, Y. Zu, M. H. Lee, M. C. Lamorey, G. W. Burr, E. A. Joseph, A. G. Schrott, J. B. Philipp, R. W. Cheek, T. D. Happ, S. H. Chen, S. Zaidi, P. L. Flaitz, J. Bruley, R. Dasaka, B. Rajendran, S. M. Rossnagel, M. Yang, Y. C. Chen, R. Bergmann, H. L. Lung, and C. Lam: Proc. Int. Symp. VLSI Technology, 2007, p. 100.
- (2007) Proc. Int. Symp. VLSI Technology , pp. 100
- Breitwish, M.J.¹ Nirschl, T.² Chen, C.F.³ Zu, Y.⁴ Lee, M.H.⁵ Lamorey, M.C.⁶ Burr, G.W.⁷ Joseph, E.A.⁸ Schrott, A.G.⁹ Philipp, J.B.¹⁰ Cheek, R.W.¹¹ Happ, T.D.¹² Chen, S.H.¹³ Zaidi, S.¹⁴ Flaitz, P.L.¹⁵ Bruley, J.¹⁶ Dasaka, R.¹⁷ Rajendran, B.¹⁸ Rossnagel, S.M.¹⁹ Yang, M.²⁰ more..

57
- 79951837905
- D. H. Im, J. I. Lee, S. L. Cho, H. G. An, D. H. Kim, I. S. Kim, H. Park, D. H. Ahn, H. Horii, S. O. Park, U.-I. Chung, and J. T. Moon: IEDM Tech. Dig., 2008, p. 211.
- (2008) IEDM Tech. Dig. , pp. 211
- Im, D.H.¹ Lee, J.I.² Cho, S.L.³ An, H.G.⁴ Kim, D.H.⁵ Kim, I.S.⁶ Park, H.⁷ Ahn, D.H.⁸ Horii, H.⁹ Park, S.O.¹⁰ Chung, U.-I.¹¹ Moon, J.T.¹²

58
- 77957886054
- I. S. Kim, S. L. Cho, D. H. Im, E. H. Cho, D. H. Kim, G. H. Oh, D. H. Ahn, S. O. Park, S. W. Nam, J. T. Moon, and C. H. Chung: Proc. Int. Symp. VLSI Technology, 2010, p. 203.
- (2010) Proc. Int. Symp. VLSI Technology , pp. 203
- Kim, I.S.¹ Cho, S.L.² Im, D.H.³ Cho, E.H.⁴ Kim, D.H.⁵ Oh, G.H.⁶ Ahn, D.H.⁷ Park, S.O.⁸ Nam, S.W.⁹ Moon, J.T.¹⁰ Chung, C.H.¹¹

59
- 84864133905
- M. J. Kang, T. J. Park, Y. W. Kwon, D.-H. Ahn, Y. S. Kang, H.-S. Jeong, S.-J. Ahn, Y. J. Song, B. C. Kim, S.-W. Nam, H.-K. Kang, G.-T. Jeong, and C.-H. Chung: IEDM Tech. Dig., 2011, p. 39.
- (2011) IEDM Tech. Dig. , pp. 39
- Kang, M.J.¹ Park, T.J.² Kwon, Y.W.³ Ahn, D.-H.⁴ Kang, Y.S.⁵ Jeong, H.-S.⁶ Ahn, S.-J.⁷ Song, Y.J.⁸ Kim, B.C.⁹ Nam, S.-W.¹⁰ Kang, H.-K.¹¹ Jeong, G.-T.¹² Chung, C.-H.¹³

60
- 84880823083
- J. Y. Wu, M. J. Breitwisch, S. Kim, T. H. Hsu, R. W. Cheek, P. Y. Du, J. Li, E. K. Lai, Y. Zhu, T. Y. Wang, H. Y. Cheng, A. G. Schrott, E. A. Josehp, R. Dasaka, S. Raoux, M. H. Lee, H. L. Lung, and C. Lam: IEDM Tech. Dig., 2011, p. 43.
- (2011) IEDM Tech. Dig. , pp. 43
- Wu, J.Y.¹ Breitwisch, M.J.² Kim, S.³ Hsu, T.H.⁴ Cheek, R.W.⁵ Du, P.Y.⁶ Li, J.⁷ Lai, E.K.⁸ Zhu, Y.⁹ Wang, T.Y.¹⁰ Cheng, H.Y.¹¹ Schrott, A.G.¹² Josehp, E.A.¹³ Dasaka, R.¹⁴ Raoux, S.¹⁵ Lee, M.H.¹⁶ Lung, H.L.¹⁷ Lam, C.¹⁸

61
- 80052664968
- J. Liang, R. G. D. Jeyasingh, H.-Y. Chen, and H.-S. S. P. Wong: Proc. Int. Symp. VLSI Technology, 2011, p. 100.
- (2011) Proc. Int. Symp. VLSI Technology , pp. 100
- Liang, J.¹ Jeyasingh, R.G.D.² Chen, H.-Y.³ Wong, H.-S.S.P.⁴

62
- 71049151621
- Y. Sasago, M. Kinoshita, T. Morikawa, K. Kurotsuchi, S. Hanzawa, T. Mine, A. Shima, Y. Fujisaki, H. Kume, H. Moriya, N. Takaura, and K. Torii: Proc. Int. Symp. VLSI Technology, 2009, p. 24.
- (2009) Proc. Int. Symp. VLSI Technology , pp. 24
- Sasago, Y.¹ Kinoshita, M.² Morikawa, T.³ Kurotsuchi, K.⁴ Hanzawa, S.⁵ Mine, T.⁶ Shima, A.⁷ Fujisaki, Y.⁸ Kume, H.⁹ Moriya, H.¹⁰ Takaura, N.¹¹ Torii, K.¹²

63
- 77956173306
- R. Bez: IEDM Tech. Dig., 2009, p. 89.
- (2009) IEDM Tech. Dig. , pp. 89
- Bez, R.¹

64
- 35748974883
- R. Waser and M. Aono: Nat. Mater. 6 (2007) 833.
- (2007) Nat. Mater. , vol.6 , pp. 833
- Waser, R.¹ Aono, M.²

65
- 43549126477
- A. Sawa: Mater. Today 11 [6] (2008) 28.
- (2008) Mater. Today , vol.11 , Issue.6 , pp. 28
- Sawa, A.¹

66
- 67649494447
- Z. L. Liao, Z. Z. Wang, Y. Meng, Z. Y. Liu, P. Gao, J. L. Gang, H. W. Zhao, X. J. Liang, X. D. Bai, and D. M. Chena: Appl. Phys. Lett. 94 (2009) 253503.
- (2009) Appl. Phys. Lett. , vol.94 , pp. 253503
- Liao, Z.L.¹ Wang, Z.Z.² Meng, Y.³ Liu, Z.Y.⁴ Gao, P.⁵ Gang, J.L.⁶ Zhao, H.W.⁷ Liang, X.J.⁸ Bai, X.D.⁹ Chena, D.M.¹⁰

67
- 84873056435
- S.-J. Jung, M. Siddik, W. Lee, J.-B. H. Park, X. Liu, J. Woo, G. Choi, J.-M. E. Lee, N. Lee, Y. H. Jang, and H.-S. Hwang: IEDM Tech. Dig., 2011, p. 59.
- (2011) IEDM Tech. Dig. , pp. 59
- Jung, S.-J.¹ Siddik, M.² Lee, W.³ Park, J.-B.H.⁴ Liu, X.⁵ Woo, J.⁶ Choi, G.⁷ Lee, J.-M.E.⁸ Lee, N.⁹ Jang, Y.H.¹⁰ Hwang, H.-S.¹¹

68
- 10044237971
- A. Sawa, R. Fujii, M. Kawasaki, and Y. Tokura: Appl. Phys. Lett. 85 (2004) 4073.
- (2004) Appl. Phys. Lett. , vol.85 , pp. 4073
- Sawa, A.¹ Fujii, R.² Kawasaki, M.³ Tokura, Y.⁴

69
- 32344451102
- I. G. Baek, D. C. Kim, M. J. Lee, H.-J. Kim, E. K. Yim, M. S. Lee, J. E. Lee, S. E. Ahn, S. Seo, J. H. Lee, J. C. Park, Y. K. Cha, S. O. Park, H. S. Kim, I. K. Yoo, U.-I. Chung, J. T. Moon, and B. I. Ryu: IEDM Tech. Dig., 2004, p. 587.
- (2004) IEDM Tech. Dig. , pp. 587
- Baek, I.G.¹ Kim, D.C.² Lee, M.J.³ Kim, H.-J.⁴ Yim, E.K.⁵ Lee, M.S.⁶ Lee, J.E.⁷ Ahn, S.E.⁸ Seo, S.⁹ Lee, J.H.¹⁰ Park, J.C.¹¹ Cha, Y.K.¹² Park, S.O.¹³ Kim, H.S.¹⁴ Yoo, I.K.¹⁵ Chung, U.-I.¹⁶ Moon, J.T.¹⁷ Ryu, B.I.¹⁸

70
- 33751557951
- Y. You, B. So, J. Hwang, W. Cho, S. Lee, T. Chung, C. Kim, and K. An: Appl. Phys. Lett. 89 (2006) 222105.
- (2006) Appl. Phys. Lett. , vol.89 , pp. 222105
- You, Y.¹ So, B.² Hwang, J.³ Cho, W.⁴ Lee, S.⁵ Chung, T.⁶ Kim, C.⁷ An, K.⁸

71
- 77956175526
- H. S. Yoon, I.-G. Baek, J. Zhao, H. Sim, M. Y. Park, H. Lee, G.-H. Oh, J. C. Shin, I.-S. Yeo, and U.-I. Chung: Proc. Int. Symp. VLSI Technology, 2009, p. 26.
- (2009) Proc. Int. Symp. VLSI Technology , pp. 26
- Yoon, H.S.¹ Baek, I.-G.² Zhao, J.³ Sim, H.⁴ Park, M.Y.⁵ Lee, H.⁶ Oh, G.-H.⁷ Shin, J.C.⁸ Yeo, I.-S.⁹ Chung, U.-I.¹⁰

72
- 71049158037
- B. Lee and H.-S. S. P. Wong: Proc. Int. Symp. VLSI Technology, 2009, p. 28.
- (2009) Proc. Int. Symp. VLSI Technology , pp. 28
- Lee, B.¹ Wong, H.-S.S.P.²

73
- 84861820224
- J. Sullaphen, K. Bogle, X. Cheng, J. M. Gregg, and N. Valanoor: Appl. Phys. Lett. 100 (2012) 203115.
- (2012) Appl. Phys. Lett. , vol.100 , pp. 203115
- Sullaphen, J.¹ Bogle, K.² Cheng, X.³ Gregg, J.M.⁴ Valanoor, N.⁵

74
- 84859540703
- S. W. Ryu, Y. B. Ahn, H. J. Kim, and Y. Nishi: Appl. Phys. Lett. 100 (2012) 133502.
- (2012) Appl. Phys. Lett. , vol.100 , pp. 133502
- Ryu, S.W.¹ Ahn, Y.B.² Kim, H.J.³ Nishi, Y.⁴

75
- 84857765205
- M. Uenuma, B. Zheng, K. Kawano, M. Horita, Y. Ishikawa, I. Yamashita, and Y. Uraoka: Appl. Phys. Lett. 100 (2012) 083105.
- (2012) Appl. Phys. Lett. , vol.100 , pp. 083105
- Uenuma, M.¹ Zheng, B.² Kawano, K.³ Horita, M.⁴ Ishikawa, Y.⁵ Yamashita, I.⁶ Uraoka, Y.⁷

76
- 33745013331
- D. C. Kim, M. J. Lee, S. E. Ahn, S. Seo, J. C. Park, I. K. Yoo, I. G. Baek, H. J. Kim, E. K. Yim, J. E. Lee, S. O. Park, and H. S. Kim, U.-I. Chung, J. T. Moon, and B. I. Ryu: Appl. Phys. Lett. 88 (2006) 232106.
- (2006) Appl. Phys. Lett. , vol.88 , pp. 232106
- Kim, D.C.¹ Lee, M.J.² Ahn, S.E.³ Seo, S.⁴ Park, J.C.⁵ Yoo, I.K.⁶ Baek, I.G.⁷ Kim, H.J.⁸ Yim, E.K.⁹ Lee, J.E.¹⁰ Park, S.O.¹¹ Kim, H.S.¹² Chung, U.-I.¹³ Moon, J.T.¹⁴ Ryu, B.I.¹⁵

77
- 34547890352
- I. Park, K. Kim, S. Lee, and J. Ahn: Jpn. J. Appl. Phys. 46 (2007) 2172.
- (2007) Jpn. J. Appl. Phys. , vol.46 , pp. 2172
- Park, I.¹ Kim, K.² Lee, S.³ Ahn, J.⁴

78
- 71049184870
- B. Gao, H. W. Zhang, S. Yu, B. Sun, L. F. Liu, X. Y. Liu, Y. Wang, R. Q. Han, J. F. Kang, B. Yu, and Y. Y. Wang: Proc. Int. Symp. VLSI Technology, 2009, p. 30.
- (2009) Proc. Int. Symp. VLSI Technology , pp. 30
- Gao, B.¹ Zhang, H.W.² Yu, S.³ Sun, B.⁴ Liu, L.F.⁵ Liu, X.Y.⁶ Wang, Y.⁷ Han, R.Q.⁸ Kang, J.F.⁹ Yu, B.¹⁰ Wang, Y.Y.¹¹

79
- 78649367980
- Y. S. Chen, H. Y. Lee, P. S. Chen, P. Y. Gu, C. W. Chen, W. P. Lin, W. H. Liu, Y. Y. Hsu, S. S. Sheu, P. C. Chiang, W. S. Chen, F. T. Chen, C. H. Lien, and M.-J. Tsai: IEDM Tech. Dig., 2009, p. 105.
- (2009) IEDM Tech. Dig. , pp. 105
- Chen, Y.S.¹ Lee, H.Y.² Chen, P.S.³ Gu, P.Y.⁴ Chen, C.W.⁵ Lin, W.P.⁶ Liu, W.H.⁷ Hsu, Y.Y.⁸ Sheu, S.S.⁹ Chiang, P.C.¹⁰ Chen, W.S.¹¹ Chen, F.T.¹² Lien, C.H.¹³ Tsai, M.-J.¹⁴

80
- 79958058204
- J. Lee, J. Shin, D. Lee, W. Lee, S. Jung, M. Jo, J. Park, K. P. Biju, S. Kim, S. Park, and H. Hwang: IEDM Tech. Dig., 2010, p. 452.
- (2010) IEDM Tech. Dig. , pp. 452
- Lee, J.¹ Shin, J.² Lee, D.³ Lee, W.⁴ Jung, S.⁵ Jo, M.⁶ Park, J.⁷ Biju, K.P.⁸ Kim, S.⁹ Park, S.¹⁰ Hwang, H.¹¹

81
- 84867559940
- G. Bersuker, D. C. Gilmer, D. Veksler, J. Yum, H. Park, S. Lian, L. Vandelli, A. Padovani, L. Larcher, K. McKenna, A. Shluger, V. Iglesias, M. Porti, M. Nafria, W. Taylor, P. D. Kirsch, and R. Jammy: IEDM Tech. Dig., 2010, p. 456.
- (2010) IEDM Tech. Dig. , pp. 456
- Bersuker, G.¹ Gilmer, D.C.² Veksler, D.³ Yum, J.⁴ Park, H.⁵ Lian, S.⁶ Vandelli, L.⁷ Padovani, A.⁸ Larcher, L.⁹ McKenna, K.¹⁰ Shluger, A.¹¹ Iglesias, V.¹² Porti, M.¹³ Nafria, M.¹⁴ Taylor, W.¹⁵ Kirsch, P.D.¹⁶ Jammy, R.¹⁷

82
- 79955715103
- H. Y. Lee, Y. S. Chen, P. S. Chen, P. Y. Gu, Y. Y. Hsu, S. M. Wang, W. H. Liu, C. H. Tsai, S. S. Sheu, P. C. Chiang, W. P. Lin, C. H. Lin, W. S. Chen, F. T. Chen, C. H. Lien, and M.-J. Tsai: IEDM Tech. Dig., 2010, p. 460.
- (2010) IEDM Tech. Dig. , pp. 460
- Lee, H.Y.¹ Chen, Y.S.² Chen, P.S.³ Gu, P.Y.⁴ Hsu, Y.Y.⁵ Wang, S.M.⁶ Liu, W.H.⁷ Tsai, C.H.⁸ Sheu, S.S.⁹ Chiang, P.C.¹⁰ Lin, W.P.¹¹ Lin, C.H.¹² Chen, W.S.¹³ Chen, F.T.¹⁴ Lien, C.H.¹⁵ Tsai, M.-J.¹⁶

83
- 79961201768
- C.-H. Wang, Y-.H. Tsai, K.-C. Lin, M.-F. Chang, Y.-C. King, C.-J. Lin, S.-S. Sheu, Y.-S. Chen, H.-Y. Lee, F. T. Chen, and M.-J. Tsai: IEDM Tech. Dig., 2010, p. 664.
- (2010) IEDM Tech. Dig. , pp. 664
- Wang, C.-H.¹ Tsai, Y.-H.² Lin, K.-C.³ Chang, M.-F.⁴ King, Y.-C.⁵ Lin, C.-J.⁶ Sheu, S.-S.⁷ Chen, Y.-S.⁸ Lee, H.-Y.⁹ Chen, F.T.¹⁰ Tsai, M.-J.¹¹

84
- 80052662353
- X. A. Tran, B. Gao, J. F. Kang, L. Wu, Z. R. Wang, Z. Fang, K. L. Pey, Y. C. Yeo, A. Y. Du, B. Y. Nguyen, M. F. Li, and H. Y. Yu: Proc. Int. Symp. VLSI Technology, 2011, p. 44.
- (2011) Proc. Int. Symp. VLSI Technology , pp. 44
- Tran, X.A.¹ Gao, B.² Kang, J.F.³ Wu, L.⁴ Wang, Z.R.⁵ Fang, Z.⁶ Pey, K.L.⁷ Yeo, Y.C.⁸ Du, A.Y.⁹ Nguyen, B.Y.¹⁰ Li, M.F.¹¹ Yu, H.Y.¹²

85
- 84874909612
- X. A. Tran, B. Gao, J. F. Kang, X. Wu, L. Wu, Z. Fang, Z. R. Wang, K. L. Pey, Y. C. Yeo, A. Y. Du, M. Liu, B. Y. Nguyen, M. F. Li, and H. Y. Yu: IEDM Tech. Dig., 2011, p. 713.
- (2011) IEDM Tech. Dig. , pp. 713
- Tran, X.A.¹ Gao, B.² Kang, J.F.³ Wu, X.⁴ Wu, L.⁵ Fang, Z.⁶ Wang, Z.R.⁷ Pey, K.L.⁸ Yeo, Y.C.⁹ Du, A.Y.¹⁰ Liu, M.¹¹ Nguyen, B.Y.¹² Li, M.F.¹³ Yu, H.Y.¹⁴

86
- 84871832916
- Y. S. Chen, H. Y. Lee, P. S. Chen, C. H. Tsai, P. Y. Gu, T. Y. Wu, K. H. Tsai, S. S. Sheu, W. P. Lin, C. H. Lim, P. F. Chiu, W. S. Chen, F. T. Chen, C. Lien, and M.-J. Tsai: IEDM Tech. Dig., 2011, p. 717.
- (2011) IEDM Tech. Dig. , pp. 717
- Chen, Y.S.¹ Lee, H.Y.² Chen, P.S.³ Tsai, C.H.⁴ Gu, P.Y.⁵ Wu, T.Y.⁶ Tsai, K.H.⁷ Sheu, S.S.⁸ Lin, W.P.⁹ Lim, C.H.¹⁰ Chiu, P.F.¹¹ Chen, W.S.¹² Chen, F.T.¹³ Lien, C.¹⁴ Tsai, M.-J.¹⁵

87
- 84859214431
- B. Govoreanu, G. S. Kar, Y. Chen, V. Paraschiv, S. Kubicek, A. Fantini, I. P. Radu, L. Goux, S. Clima, R. Degraeve, N. Jossart, O. Richard, T. Vandeweyer, K. Seo, P. Hendrickx, G. Pourtois, H. Bender, L. Altimime, D. J. Wouters, J. A. Kittl, and M. Jurczak: IEDM Tech. Dig., 2011, p. 729.
- (2011) IEDM Tech. Dig. , pp. 729
- Govoreanu, B.¹ Kar, G.S.² Chen, Y.³ Paraschiv, V.⁴ Kubicek, S.⁵ Fantini, A.⁶ Radu, I.P.⁷ Goux, L.⁸ Clima, S.⁹ Degraeve, R.¹⁰ Jossart, N.¹¹ Richard, O.¹² Vandeweyer, T.¹³ Seo, K.¹⁴ Hendrickx, P.¹⁵ Pourtois, G.¹⁶ Bender, H.¹⁷ Altimime, L.¹⁸ Wouters, D.J.¹⁹ Kittl, J.A.²⁰ Jurczak, M.²¹ more..

88
- 84859806557
- F. De Stefano, M. Houssa, J. A. Kittl, M. Jurczak, V. V. Afanas'ev, and A. Stesmans: Appl. Phys. Lett. 100 (2012) 142102.
- (2012) Appl. Phys. Lett. , vol.100 , pp. 142102
- De Stefano, F.¹ Houssa, M.² Kittl, J.A.³ Jurczak, M.⁴ Afanas'ev, V.V.⁵ Stesmans, A.⁶

89
- 37549012277
- K. Kinoshita, C. Yoshida, H. Aso, M. Aoki, and Y. Sugiyama: Ext. Abstr. Int. Conf. Solid State Devices and Materials (SSDM), 2006, p. 570.
- (2006) Ext. Abstr. Int. Conf. Solid State Devices and Materials (SSDM) , pp. 570
- Kinoshita, K.¹ Yoshida, C.² Aso, H.³ Aoki, M.⁴ Sugiyama, Y.⁵

90
- 33751577023
- M. Fujimoto, H. Koyama, M. Konagai, Y. Hosoi, K. Ishihara, S. Ohnishi, and N. Awaya: Appl. Phys. Lett. 89 (2006) 223509.
- (2006) Appl. Phys. Lett. , vol.89 , pp. 223509
- Fujimoto, M.¹ Koyama, H.² Konagai, M.³ Hosoi, Y.⁴ Ishihara, K.⁵ Ohnishi, S.⁶ Awaya, N.⁷

91
- 33747862197
- D. S. Jeong, H. Schroeder, and R. Waser: Appl. Phys. Lett. 89 (2006) 082909.
- (2006) Appl. Phys. Lett. , vol.89 , pp. 082909
- Jeong, D.S.¹ Schroeder, H.² Waser, R.³

92
- 79951816863
- Y. H. Tseng, C.-E. Huang, C.-H. Kuo, Y.-D. Chih, and C. J. Lin: IEDM Tech. Dig., 2009, p. 109.
- (2009) IEDM Tech. Dig. , pp. 109
- Tseng, Y.H.¹ Huang, C.-E.² Kuo, C.-H.³ Chih, Y.-D.⁴ Lin, C.J.⁵

93
- 79960837152
- M. J. Kim, I. G. Baek, Y. H. Ha, S. J. Baik, J. H. Kim, D. J. Seong, S. J. Kim, Y. H. Kwon, C. R. Lim, H. K. Park, D. C. Gilmer, P. D. Kirsch, R. Jammy, Y. G. Shin, S.-W. Choi, and C.-H. Chung: IEDM Tech. Dig., 2010, p. 444.
- (2010) IEDM Tech. Dig. , pp. 444
- Kim, M.J.¹ Baek, I.G.² Ha, Y.H.³ Baik, S.J.⁴ Kim, J.H.⁵ Seong, D.J.⁶ Kim, S.J.⁷ Kwon, Y.H.⁸ Lim, C.R.⁹ Park, H.K.¹⁰ Gilmer, D.C.¹¹ Kirsch, P.D.¹² Jammy, R.¹³ Shin, Y.G.¹⁴ Choi, S.-W.¹⁵ Chung, C.-H.¹⁶

94
- 84862880481
- Y. H. Tseng, W. C. Shen, C.-E. Huang, C. J. Lin, and Y.-C. King: IEDM Tech. Dig., 2010, p. 636.
- (2010) IEDM Tech. Dig. , pp. 636
- Tseng, Y.H.¹ Shen, W.C.² Huang, C.-E.³ Lin, C.J.⁴ King, Y.-C.⁵

95
- 80052675608
- J. Yi, H. J. Choi, S.-H. Lee, J.-Y. Lee, D.-H. Son, S. K. Lee, S.-M. Hwang, S. Song, J.-W. Park, S. J. Kim, W. G. Kim, J.-Y. Kim, S. Lee, J. Moon, J. You, M.-S. Joo, J. S. Roh, S.-K. O. Park, S.-W. H. Chung, J.-H. E. Lee, and S.-J. Hong: Proc. Int. Symp. VLSI Technology, 2011, p. 48.
- (2011) Proc. Int. Symp. VLSI Technology , pp. 48
- Yi, J.¹ Choi, H.J.² Lee, S.-H.³ Lee, J.-Y.⁴ Son, D.-H.⁵ Lee, S.K.⁶ Hwang, S.-M.⁷ Song, S.⁸ Park, J.-W.⁹ Kim, S.J.¹⁰ Kim, W.G.¹¹ Kim, J.-Y.¹² Lee, S.¹³ Moon, J.¹⁴ You, J.¹⁵ Joo, M.-S.¹⁶ Roh, J.S.¹⁷ Park, S.-K.O.¹⁸ Chung, S.-W.H.¹⁹ Lee, J.-H.E.²⁰ Hong, S.-J.²¹ more..

96
- 77957858002
- Y. Sakotsubo, M. Terai, S. Kotsuji, Y. Saito, M. Tada, Y. Yabe, and H. Hada: Proc. Int. Symp. VLSI Technology, 2010, p. 87.
- (2010) Proc. Int. Symp. VLSI Technology , pp. 87
- Sakotsubo, Y.¹ Terai, M.² Kotsuji, S.³ Saito, Y.⁴ Tada, M.⁵ Yabe, Y.⁶ Hada, H.⁷

97
- 80052656638
- M. Terai, M. Saitoh, T. Nagumo, Y. Sakotsubo, Y. Yabe, K. Takeda, and T. Hase: Proc. Int. Symp. VLSI Technology, 2011, p. 50.
- (2011) Proc. Int. Symp. VLSI Technology , pp. 50
- Terai, M.¹ Saitoh, M.² Nagumo, T.³ Sakotsubo, Y.⁴ Yabe, Y.⁵ Takeda, K.⁶ Hase, T.⁷

98
- 80052662808
- Y.-B. Kim, S. R. Lee, D. S. Lee, C. B. Lee, M. Chang, J. H. Hur, M.-J. Lee, G.-S. Park, C. J. Kim, U.-I. C. Chung, I.-K. Yoo, and K.-N. Kim: Proc. Int. Symp. VLSI Technology, 2011, p. 52.
- (2011) Proc. Int. Symp. VLSI Technology , pp. 52
- Kim, Y.-B.¹ Lee, S.R.² Lee, D.S.³ Lee, C.B.⁴ Chang, M.⁵ Hur, J.H.⁶ Lee, M.-J.⁷ Park, G.-S.⁸ Kim, C.J.⁹ Chung, U.-I.C.¹⁰ Yoo, I.-K.¹¹ Kim, K.-N.¹²

99
- 84864124805
- Z. Wei, T. Takagi, Y. Kanazawa, Y. Katoh, T. Ninomiya, K. Kawai, S. Muraoka, S. Mitani, K. Katayama, S. Fujii, R. Miyanaga, Y. Kawashima, T. Mikawa, K. Shimakawa, and K. Aono: IEDM Tech. Dig., 2011, p. 721.
- (2011) IEDM Tech. Dig. , pp. 721
- Wei, Z.¹ Takagi, T.² Kanazawa, Y.³ Katoh, Y.⁴ Ninomiya, T.⁵ Kawai, K.⁶ Muraoka, S.⁷ Mitani, S.⁸ Katayama, K.⁹ Fujii, S.¹⁰ Miyanaga, R.¹¹ Kawashima, Y.¹² Mikawa, T.¹³ Shimakawa, K.¹⁴ Aono, K.¹⁵

100
- 84866544022
- I. G. Baek, C. J. Park, H. Ju, D. J. Seong, H. S. Ahn, J. H. Kim, M. K. Yang, S. H. Song, E. M. Kim, S. O. Park, C. H. Park, C. W. Song, G. T. Jeong, S. Choi, H. K. Kang, and C. Chung: IEDM Tech. Dig., 2011, p. 737.
- (2011) IEDM Tech. Dig. , pp. 737
- Baek, I.G.¹ Park, C.J.² Ju, H.³ Seong, D.J.⁴ Ahn, H.S.⁵ Kim, J.H.⁶ Yang, M.K.⁷ Song, S.H.⁸ Kim, E.M.⁹ Park, S.O.¹⁰ Park, C.H.¹¹ Song, C.W.¹² Jeong, G.T.¹³ Choi, S.¹⁴ Kang, H.K.¹⁵ Chung, C.¹⁶

101
- 84859984075
- J. J. Yang, M.-X. Zhang, M. D. Pickett, F. Miao, J. P. Strachan, W.-D. Li, W. Yi, D. A. A. Ohlberg, B. J. Choi, W. Wu, J. H. Nickel, G. Medeiros- Ribeiro, and R. S. Williams: Appl. Phys. Lett. 100 (2012) 113501.
- (2012) Appl. Phys. Lett. , vol.100 , pp. 113501
- Yang, J.J.¹ Zhang, M.-X.² Pickett, M.D.³ Miao, F.⁴ Strachan, J.P.⁵ Li, W.-D.⁶ Yi, W.⁷ Ohlberg, D.A.A.⁸ Choi, B.J.⁹ Wu, W.¹⁰ Nickel, J.H.¹¹ Medeiros- Ribeiro, G.¹² Williams, R.S.¹³

102
- 79960846879
- C. H. Ho, C.-L. Hsu, C.-C. Chen, J.-T. Liu, C.-S. Wu, C.-C. Huang, C. M. Hu, and F.-L. Yang: IEDM Tech. Dig., 2010, p. 436.
- (2010) IEDM Tech. Dig. , pp. 436
- Ho, C.H.¹ Hsu, C.-L.² Chen, C.-C.³ Liu, J.-T.⁴ Wu, C.-S.⁵ Huang, C.-C.⁶ Hu, C.M.⁷ Yang, F.-L.⁸

103
- 79955442181
- W. C. Chien, Y. R. Chen, Y. C. Chen, A. T. H. Chuang, F. M. Lee, Y. Y. Lin, E. K. Lai, Y. H. Shih, K. Y. Hsieh, and C.-Y. Lu: IEDM Tech. Dig., 2010, p. 440.
- (2010) IEDM Tech. Dig. , pp. 440
- Chien, W.C.¹ Chen, Y.R.² Chen, Y.C.³ Chuang, A.T.H.⁴ Lee, F.M.⁵ Lin, Y.Y.⁶ Lai, E.K.⁷ Shih, Y.H.⁸ Hsieh, K.Y.⁹ Lu, C.-Y.¹⁰

104
- 84860362446
- W.-C. Chien, M.-H. Lee, F.-M. Lee, Y.-Y. Lin, H.-L. Lung, K.-Y. Hsieh, and C.-Y. Lu: IEDM Tech. Dig., 2011, p. 725.
- (2011) IEDM Tech. Dig. , pp. 725
- Chien, W.-C.¹ Lee, M.-H.² Lee, F.-M.³ Lin, Y.-Y.⁴ Lung, H.-L.⁵ Hsieh, K.-Y.⁶ Lu, C.-Y.⁷

105
- 77957863654
- C. H. Cheng, A. F.-D. Chin, and F. S. Yeh: Proc. Int. Symp. VLSI Technology, 2010, p. 85.
- (2010) Proc. Int. Symp. VLSI Technology , pp. 85
- Cheng, C.H.¹ Chin, A.F.-D.² Yeh, F.S.³

106
- 79957942483
- C. H. Cheng, C. Y. Tsai, A. Chin, and F. S. Yeh: IEDM Tech. Dig., 2010, p. 448.
- (2010) IEDM Tech. Dig. , pp. 448
- Cheng, C.H.¹ Tsai, C.Y.² Chin, A.³ Yeh, F.S.⁴

107
- 84863023645
- C. H. Cheng, K. Y. Chou, A. F. Chin, and F. S. Yeh: IEDM Tech. Dig., 2010, p. 512.
- (2010) IEDM Tech. Dig. , pp. 512
- Cheng, C.H.¹ Chou, K.Y.² Chin, A.F.³ Yeh, F.S.⁴

108
- 84863116249
- J. Bae, I. Hwang, Y. Jeong, S.-O. Kang, S. Hong, J. Son, J. Choi, J. Kim, J. Park, M.-J. Seong, Q. Jia, and B. H. Park: Appl. Phys. Lett. 100 (2012) 062902.
- (2012) Appl. Phys. Lett. , vol.100 , pp. 062902
- Bae, J.¹ Hwang, I.² Jeong, Y.³ Kang, S.-O.⁴ Hong, S.⁵ Son, J.⁶ Choi, J.⁷ Kim, J.⁸ Park, J.⁹ Seong, M.-J.¹⁰ Jia, Q.¹¹ Park, B.H.¹²

109
- 68249119187
- M. K. Yang, J.-W. Park, T. K. Ko, and J.-K. Lee: Appl. Phys. Lett. 95 (2009) 042105.
- (2009) Appl. Phys. Lett. , vol.95 , pp. 042105
- Yang, M.K.¹ Park, J.-W.² Ko, T.K.³ Lee, J.-K.⁴

110
- 81155144625
- J.-J. Ke, Z.-J. Liu, C.-F. Kang, S.-J. Lin, and J.-H. He: Appl. Phys. Lett. 99 (2011) 192106.
- (2011) Appl. Phys. Lett. , vol.99 , pp. 192106
- Ke, J.-J.¹ Liu, Z.-J.² Kang, C.-F.³ Lin, S.-J.⁴ He, J.-H.⁵

111
- 77951622926
- E. Linn, R. Rosezin, C. Kugeler, and R. Waser: Nat. Mater. 9 (2010) 403.
- (2010) Nat. Mater. , vol.9 , pp. 403
- Linn, E.¹ Rosezin, R.² Kugeler, C.³ Waser, R.⁴

112
- 33745767057
- B. Choi, S. Choi, K. Kim, Y. Shin, C. Hwang, S. Hwang, S. Cho, S. Park, and S. Hong: Appl. Phys. Lett. 89 (2006) 012906.
- (2006) Appl. Phys. Lett. , vol.89 , pp. 012906
- Choi, B.¹ Choi, S.² Kim, K.³ Shin, Y.⁴ Hwang, C.⁵ Hwang, S.⁶ Cho, S.⁷ Park, S.⁸ Hong, S.⁹

113
- 80052667351
- S. G. Park, B. Magyari-Kope, and Y. Nishi: Proc. Int. Symp. VLSI Technology, 2011, p. 46.
- (2011) Proc. Int. Symp. VLSI Technology , pp. 46
- Park, S.G.¹ Magyari-Kope, B.² Nishi, Y.³

114
- 84863170165
- K. Kamiya, M. Y. Yang, S.-G. Park, B. Magyari-Köpe, Y. Nishi, M. Niwa, and K. Shiraishi: Appl. Phys. Lett. 100 (2012) 073502.
- (2012) Appl. Phys. Lett. , vol.100 , pp. 073502
- Kamiya, K.¹ Yang, M.Y.² Park, S.-G.³ Magyari-Köpe, B.⁴ Nishi, Y.⁵ Niwa, M.⁶ Shiraishi, K.⁷

115
- 76649133422
- D.-H. Kwon, K. M. Kim, J. H. Jang, J. M. Jeon, M. H. Lee, G. H. Kim, X.-S. Li, G.-S. Park, B. Lee, S. Han, M. Kim, and C. S. Hwang: Nat. Nanotechnol. 5 (2010) 148.
- (2010) Nat. Nanotechnol. , vol.5 , pp. 148
- Kwon, D.-H.¹ Kim, K.M.² Jang, J.H.³ Jeon, J.M.⁴ Lee, M.H.⁵ Kim, G.H.⁶ Li, X.-S.⁷ Park, G.-S.⁸ Lee, B.⁹ Han, S.¹⁰ Kim, M.¹¹ Hwang, C.S.¹²

116
- 33847759058
- M. Kund, G. Beitel, C.-U. Pinnow, T. Röhr, J. Schumann, R. Symanczyk, K.-D. Ufert, and G. Müller: IEDM Tech. Dig., 2005, p. 754.
- (2005) IEDM Tech. Dig. , pp. 754
- Kund, M.¹ Beitel, G.² Pinnow, C.-U.³ Röhr, T.⁴ Schumann, J.⁵ Symanczyk, R.⁶ Ufert, K.-D.⁷ Müller, G.⁸

117
- 47249166433
- T. Sakamoto, N. Banno, N. Iguchi, H. Kawamura, H. Sunamura, S. Fujieda, K. Terabe, T. Hasegawa, and M. Aono: Proc. Int. Symp. VLSI Technology, 2007, p. 38.
- (2007) Proc. Int. Symp. VLSI Technology , pp. 38
- Sakamoto, T.¹ Banno, N.² Iguchi, N.³ Kawamura, H.⁴ Sunamura, H.⁵ Fujieda, S.⁶ Terabe, K.⁷ Hasegawa, T.⁸ Aono, M.⁹

118
- 77957882846
- M. Wang, W. J. Luo, Y. L. Wang, L. M. Yang, W. Zhu, P. Zhou, J. H. Yang, X. G. Gong, Y. Y. Lin, R. Huang, S. Song, Q. T. Zhou, H. M. Wu, J. G. Wu, and M. H. Chi: Proc. Int. Symp. VLSI Technology, 2010, p. 89.
- (2010) Proc. Int. Symp. VLSI Technology , pp. 89
- Wang, M.¹ Luo, W.J.² Wang, Y.L.³ Yang, L.M.⁴ Zhu, W.⁵ Zhou, P.⁶ Yang, J.H.⁷ Gong, X.G.⁸ Lin, Y.Y.⁹ Huang, R.¹⁰ Song, S.¹¹ Zhou, Q.T.¹² Wu, H.M.¹³ Wu, J.G.¹⁴ Chi, M.H.¹⁵

119
- 77957859016
- Y.-Y. Lin, F.-M. Lee, Y.-C. Chen, W.-C. Chien, C.-W. Yeh, K.-Y. Hsieh, and C.-Y. Lu: Proc. Int. Symp. VLSI Technology, 2010, p. 91.
- (2010) Proc. Int. Symp. VLSI Technology , pp. 91
- Lin, Y.-Y.¹ Lee, F.-M.² Chen, Y.-C.³ Chien, W.-C.⁴ Yeh, C.-W.⁵ Hsieh, K.-Y.⁶ Lu, C.-Y.⁷

120
- 80053018461
- Y.-Y. Lin, F.-M. Lee, W.-C. Chien, Y.-C. Chen, K.-Y. Hsieh, and C.-Y. Lu: IEDM Tech. Dig., 2010, p. 524.
- (2010) IEDM Tech. Dig. , pp. 524
- Lin, Y.-Y.¹ Lee, F.-M.² Chien, W.-C.³ Chen, Y.-C.⁴ Hsieh, K.-Y.⁵ Lu, C.-Y.⁶

121
- 84860380481
- J. Park, W. Lee, M. Choe, S. Jung, M. Son, S. Kim, S. Park, J. Shin, D. Lee, M. Siddik, J. Woo, G. Choi, E. Cha, T. Lee, and H. Hwang: IEDM Tech. Dig., 2011, p. 63.
- (2011) IEDM Tech. Dig. , pp. 63
- Park, J.¹ Lee, W.² Choe, M.³ Jung, S.⁴ Son, M.⁵ Kim, S.⁶ Park, S.⁷ Shin, J.⁸ Lee, D.⁹ Siddik, M.¹⁰ Woo, J.¹¹ Choi, G.¹² Cha, E.¹³ Lee, T.¹⁴ Hwang, H.¹⁵

122
- 84864754722
- F. Nardi, S. Balatti, S. Larentis, and D. Ielmini: IEDM Tech. Dig., 2011, p. 709.
- (2011) IEDM Tech. Dig. , pp. 709
- Nardi, F.¹ Balatti, S.² Larentis, S.³ Ielmini, D.⁴

123
- 79959466855
- T. Fujii, M. Arita, Y. Takahashi, and I. Fujiwara: Appl. Phys. Lett. 98 (2011) 212104.
- (2011) Appl. Phys. Lett. , vol.98 , pp. 212104
- Fujii, T.¹ Arita, M.² Takahashi, Y.³ Fujiwara, I.⁴

124
- 82955213606
- T. Nagata, M. Haemori, Y. Yamashita, H. Yoshikawa, Y. Iwashita, K. Kobayashi, and T. Chikyow: Appl. Phys. Lett. 99 (2011) 223517.
- (2011) Appl. Phys. Lett. , vol.99 , pp. 223517
- Nagata, T.¹ Haemori, M.² Yamashita, Y.³ Yoshikawa, H.⁴ Iwashita, Y.⁵ Kobayashi, K.⁶ Chikyow, T.⁷

125
- 33745219406
- R. Müller, J. Genoe, and P. Heremans: Appl. Phys. Lett. 88 (2006) 242105.
- (2006) Appl. Phys. Lett. , vol.88 , pp. 242105
- Müller, R.¹ Genoe, J.² Heremans, P.³

126
- 34247352481
- S. Fujisaki, H. Ishiwara, and Y. Fujisaki: Appl. Phys. Lett. 90 (2007) 162902.
- (2007) Appl. Phys. Lett. , vol.90 , pp. 162902
- Fujisaki, S.¹ Ishiwara, H.² Fujisaki, Y.³

127
- 42949094824
- S. Fujisaki, Y. Fujisaki, and H. Ishiwara: IEEE Trans. Ultrason. Ferroelectr. Freq. Control 54 (2007) 2592.
- (2007) IEEE Trans. Ultrason. Ferroelectr. Freq. Control , vol.54 , pp. 2592
- Fujisaki, S.¹ Fujisaki, Y.² Ishiwara, H.³

128
- 84880778169
- J. Karasawa, T. Yasuda, T. Saeki, T. Aoki, S. Moriya, E. Hirai, T. Masuda, T. Kawase, T. Shimoda, D. P. Chu, C. J. Newsome, S. W. Tam, and M. Ishida: Proc. Int. Symp. Applications of Ferroelectrics, 2007, 30BFR5- I1.
- (2007) Proc. Int. Symp. Applications of Ferroelectrics
- Karasawa, J.¹ Yasuda, T.² Saeki, T.³ Aoki, T.⁴ Moriya, S.⁵ Hirai, E.⁶ Masuda, T.⁷ Kawase, T.⁸ Shimoda, T.⁹ Chu, D.P.¹⁰ Newsome, C.J.¹¹ Tam, S.W.¹² Ishida, M.¹³

129
- 50249171771
- T. Sekitani, Y. Noguchi, S. Nakano, K. Zaitsu, Y. Kato, M. Takamiya, T. Sakurai, and T. Someya: IEDM Tech. Dig., 2007, p. 221.
- (2007) IEDM Tech. Dig. , pp. 221
- Sekitani, T.¹ Noguchi, Y.² Nakano, S.³ Zaitsu, K.⁴ Kato, Y.⁵ Takamiya, M.⁶ Sakurai, T.⁷ Someya, T.⁸

130
- 84857446986
- Y. Fujisaki: Jpn. J. Appl. Phys. 49 (2010) 100001.
- (2010) Jpn. J. Appl. Phys. , vol.49 , pp. 100001
- Fujisaki, Y.¹

* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.