TiO2 anatase nanolayer on TiN thin film exhibiting high-speed bipolar resistive switching

Applied Physics Letters

Volumn 89, Issue 22, 2006, Pages

  Fujimoto, Masayuki ^a   Koyama, Hiroshi ^a   Konagai, Masashi ^a   Hosoi, Yasunari ^b   Ishihara, Kazuya ^b   Ohnishi, Shigeo ^b   Awaya, Nobuyoshi ^b  

^a SHIZUOKA UNIVERSITY   (Japan)

^b SHARP CORPORATION   (Japan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

BIPOLAR INTEGRATED CIRCUITS; ELECTRIC CONDUCTIVITY; NANOSTRUCTURED MATERIALS; THIN FILMS; TITANIUM NITRIDE; TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY;

HIGH-RESOLUTION SCANNING TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; MOTT TRANSITION; RESISTIVE SWITCHING MATERIALS;

TITANIUM DIOXIDE;

EID: 33751577023     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2397006     Document Type: Article

References (21)

1. W. W. Zhuang, W. Pan, B. D. Ulrich, J. J. Lee, L. Stecker, A. Burnaster, D. R. Evans, S. T. Hsu, M. Tajiri, A. Shimaoka, K. Inoue, T. Naka, N. Awaya, K. Sakiyama, Y. Wang, S. Liu, N. J. Wu, and A. Ignatiev, Tech. Dig. - Int. Electron Devices Meet. 2002, 193.
2. Q. Liu, N. J. Wu, and A. Ignatiev, Appl. Phys. Lett. 76, 2749 (2000).
3. A. Baikalov, Y. Q. Wang, B. Shen, B. Lorenz, S. Tsui, Y. Y. Sun, Y. Y. Xue, and C. W. Chu, Appl. Phys. Lett. 83, 957 (2004).
4. A. Sawa, T. Fujii, M. Kawasaki, and Y. Tokura, Appl. Phys. Lett. 85, 4073 (2004).
5. A. Odagawa, H. Sato, I. H. Inoue, H. Akoh, M. Kawasaki, Y. Tokura, T. Kanno, and H. Adachi, Phys. Rev. B 70, 224403 (2004).
6. M. J. Rozenberg, I. H. Inoue, and M. J. Sanchez, Phys. Rev. Lett. 92, 178302 (2004).
7. R. Fors, S. I. Khartsev, and A. Grishin, Phys. Rev. B 71, 045305 (2005).
8. R. Dong, Q. Wang, L. D. Chen, D. S. Shang, T. L. Chen, X. M. Li, and W. Q. Zhang, Appl. Phys. Lett. 86, 172107 (2005).
9. Y. Watanabe, J. G. Bednorz, A. Bietsh, C. Gerber, D. Widmer, and A. Beck, Appl. Phys. Lett. 78, 3738 (2001).
10. K. Szot, W. Speier, R. Carius, U. Zastrow, and W. Beyer, Phys. Rev. Lett. 88, 075508 (2002).
11. T. Fujii, M. Kawasaki, A. Sawa, H. Akoh, Y. Kawazoe, and Y. Tokura, Appl. Phys. Lett. 86, 012107 (2005).
12. I. G. Baek, M. S. Lee, S. Seo, M. J. Lee, D. H. Seo, D. S. Suh, J. C. Park, S. O. Park, H. S. Kim, I. K. Yoo, U.-In Chung, and J. T. Moon, Tech. Dig. - Int. Electron Devices Meet. 2004, 587.
13. G. Dearnaley, A. M. Stoneham, and D. V. Morgan, Rep. Prog. Phys. 33, 1129 (1970).
14. S. Seo, M. J. Lee, D. H. Seo, E. J. Jeoung, D.-S. Suh, Y. S. Joung, I. K. Yoo, I. R. Hwang, S. H. Kim, I. S. Byun, J.-S. Kim, J. S. Choi, and B. H. Park, Appl. Phys. Lett. 85, 5655 (2004).
15. S. Seo, M. J. Lee, D. H. Seo, E. J. Jeoung, D.-S. Suh, Y. S. Joung, I. K. Yoo, I. R. Hwang, S. H. Kim, I. S. Byun, J.-S. Kim, J. S. Choi, and B. H. Park, Appl. Phys. Lett. 86, 093509 (2005).
16. B. J. Choi, D. S. Jeong, S. K. Kim, C. Rohde, S. Choi, J. H. Oh, H. J. Kim, C. S. Hwang, S. Szot, R. Waser, B. Reichenberg, and S. Tiedke, J. Appl. Phys. 98, 033715 (2005).
17. M. Fujimoto, H. Koyama, Y. Hosoi, K. Ishihara, and S. Kobayashi, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 11, L310 (2006).
18. R. Brydson, H. Sauer, W. Engel, J. M. Thomas, E. Zeiter, N. Kosugi, and H. Kuroda, J. Phys.: Condens. Matter 1, 797 (1989).
19. H. Tang, K. Prasad, R. Sanjines, P. E. Schmid, and F. Levy, J. Appl. Phys. 75, 2042 (1994).
20. N. Kumar, K. Pourrezaei, B. Lee, and E. C. Douglas, Thin Solid Films 164, 417 (1988).
21. M. Mandl, H. Hoffmann, and P. Kucher, J. Appl. Phys. 68, 2127 (1990).