Semiconductor nanowhiskers: Synthesis, properties, and applications

Semiconductors

Volumn 43, Issue 12, 2009, Pages 1539-1584

  Dubrovskii, V G ^a,b   Cirlin, G E ^a,b,c   Ustinov, V M ^a,b  

^a RUSSIAN ACADEMY OF SCIENCES   (Russian Federation)

^b IOFFE INSTITUTE   (Russian Federation)

^c INSTITUTE FOR ANALYTICAL INSTRUMENTATION   (Russian Federation)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 71949093359     PISSN: 10637826     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1134/S106378260912001X     Document Type: Review

References (176)

1. H. Sakaki, Jpn. Appl. Phys. 19, L735 (1980).
2. R. S. Wagner and W. C. Ellis, Appl. Phys. Lett. 4, 89 (1964).
3. E. I. Givargizov, Growth of Whiskers and Lamellar Crystals from Vapor (Nauka, Moscow, 1977) [in Russian].
4. P. M. Petroff, A. C. Gossard, and W. Wiegmann, Appl. Phys. Lett. 45, 620 (1984).
5. R. Bhat, E. Kapon, S. Simhony, E. Colas, D. M. Hwang, N. G. Stoffel, and M. A. Koza, J. Cryst. Growth 107, 716 (1991).
6. K. Hiruma, M. Yazawa, T. Katsuyama, K. Ogawa, K. Haraguchi, and M. Koguchi, J. Appl. Phys. 77, 447 (1995).
7. Y. Cui and C. M. Lieber, Science 91, 851 (2001).
8. G. Zheng, W. Lu, S. Jin, and C. M. Lieber, Adv. Mater. 16, 1890 (2004).
9. A. B. Greytak, L. J. Lauhon, M. S. Gudiksen, and C. M. Lieber, Appl. Phys. Lett. 84, 4176 (2004).
10. Y. Huang and C. M. Lieber, Pure Appl. Chem. 76, 2051 (2004).
11. E. Patolsky, G. Zheng, O. Hayden, M. Lakadamyali, X. Zhuang, and C. M. Lieber, Proc. Natl. Acad. Sci. USA 101, 14017 (2004).
12. R. S. Friedman, M. C. McAlpine, D. S. Ricketts, D. Ham, and C. M. Lieber, Nature 434, 1085 (2005).
13. Y. Li, J. Xiang, F. Qian, S. Gradecak, Y. Wu, H. Yan, D. A. Blom, and C. M. Lieber, Nano Lett. 6, 1468 (2006).
14. S. Gradecak, F. Qian, Y. Li, H. G. Park, and C. M. Lieber, Appl. Phys. Lett. 87, 173111 (2005).
15. F. Patolsky, G. F. Zheng, and C. M. Lieber, Anal. Chem. 78, 4260 (2006).
16. O. Hayden, G. F. Zheng, P. Agarwal, and C. M. Lieber, Small 3, 2048 (2007).
17. J. Xiang, W. Lu, Y. J. Hu, Y. Wu, H. Yan, and C. M. Lieber, Nature 441, 489 (2006).
18. F. Patolsky, G. Zheng, and C. M. Lieber, Nanomedicine 1, 51 (2006).
19. G. C. Liang, J. Xiang, N. Kharche, G. Klimeck, C. M. Lieber, and M. Lundstrom, Nano Lett. 7, 642 (2007).
20. W. Lu and C. M. Lieber, Nature Mater. 6, 841 (2007).
21. B. J. Ohlsson, M. T. Björk, M. H. Magnusson, K. Deppert, and L. Samuelson, Appl. Phys. Lett. 79, 3335 (2001).
22. M. T. Bjork, B. J. Ohlsson, T. Sass, A. I. Persson, C. Thelander, M. H. Magnusson, K. Deppert, L. R. Wallenberg, and L. Samuelson, Appl. Phys. Lett. 80, 1058 (2002).
23. M. T. Bjork, B. J. Ohlsson, C. Thelander, A. I. Persson, K. Deppert, L. R. Wallenberg, and L. Samuelson, Appl. Phys. Lett. 81, 4458 (2002).
24. B. J. Ohlsson, M. T. Bjork, A. I. Persson, C. Thelander, L. R. Wallenberg, M. H. Magnusson, K. Deppert, and L. Samuelson, Physica E 13, 1126 (2002).
25. K. A. Dick, K. Deppert, M. W. Larsson, T. Martensson, W. Seifert, L. R. Wallenberg, and L. Samuelson, Nature Mater. 3, 380 (2004).
26. J. Johansson, L. S. Karlsson, C. P. T. Svensson, T. Martensson, B. A. Wacaser, K. Deppert, L. Samuelson, and W. Seifert, Nature Mater. 5, 574 (2006).
27. T. Bryllert, L. E. Wernersson, T. Lowgren, and L. Samuelson, Nanotechnology 17, S227 (2006).
28. T. Martensson, P. Carlberg, M. Borgstrom, L. Montelius, W. Seifert, and L. Samuelson, Nano Lett. 4, 699 (2004).
29. W. Seifert, M. Borgstrom, K. Deppert, K. A. Dick, J. Johansson, M. W. Larsson, T. Martensson, N. Skold, C. P. T. Svensson, B. A. Wacaser, L. R. Wallenberg, and L. Samuelson, J. Cryst. Growth 272, 211 (2004).
30. A. I. Persson, M. W. Larsson, S. Stengstrom, B. J. Ohlsson, L. Samuelson, and L. R. Wallenberg, Nature Mater. 3, 677 (2004).
31. C. Thelander, H. A. Nilsson, L. E. Jensen, and L. Samuelson, Nano Lett. 5, 635 (2005).
32. H. A. Nilsson, C. Thelander, L. E. Fröberg, J. B. Wagner, and L. Samuelson, Appl. Phys. Lett. 89, 163101 (2006).
33. K. A. Dick, K. Deppert, T. Martensson, S. Mandl, L. Samuelson, and W. Seifert, Nano Lett. 5, 761 (2005).
34. A. I. Persson, L. E. Fröberg, S. Jeppesen, M. T. Bjork, and L. Samuelson, J. Appl. Phys. 101, 034313 (2007).
35. D. Li, Y. Wu, P. Kim, P. Yang, and A. Majumdar, Appl. Phys. Lett. 83, 3186 (2003).
36. D. Li, Y. Wu, P. Kim, L. Shi, P. Yang, and A. Majumdar, Appl. Phys. Lett. 83, 2934 (2003).
37. A. I. Hochbaum, R. Fan, R. He, and P. Yang, Nano Lett. 5, 457 (2005).
38. P. J. Pauzauskie and P. Yang, Mater. Today 9(10), 36 (2006).
39. M. Law, L. E. Greene, A. Radenovic, T. Kuykendall, J. Liphardt, and P. Yang, J. Phys. Chem. B 110, 22652 (2006).
40. R. Fan and P. Yang, Nano. Lett. 6, 973 (2006).
41. P. Pauzauskie, D. Sirbuly, and P. Yang, Phys. Rev. Lett. 96, 143903 (2006).
42. Y. Nakayama, P. J. Pauzauskie, A. Radenovic, R. M. Onorato, R. J. Saykally, J. Liphardt, and P. Yang, Nature 447, 1098 (2007).
43. C. Y. Zhi, X. D. Bai, and E. G. Wang, Appl. Phys. Lett. 86, 213108 (2005).
44. L. C. Chuang, M. Moewe, S. Crankshaw, C. Chase, N. P. Kobayashi, and C. Chang-Hasnain, Appl. Phys. Lett. 90, 043115 (2007).
45. L. E. Fröberg, W. Seifert, and J. Johansson, Phys. Rev. B 76, 153401 (2007).
46. L. Schubert, P. Werner, N. D. Zakharov, G. Gerth, F. M. Kolb, L. Long, U. Gösele, and T. Y. Tan, Appl. Phys. Lett. 84, 4968 (2004).
47. B. Fuhrmann, H. S. Leipner, H.-R. Hoche, L. Shubert, P. Werner, and U. Gösele, Nano Lett. 5, 2524 (2005).
48. A. A. Tonkikh, G. E. Cirlin, Yu. B. Samsonenko, I. P. Soshnikov, and V. M. Ustinov, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 38, 1217 (2004) [Semiconductors 38, 1202 (2004)].
49. V. G. Dubrovskii, G. E. Cirlin, I. P. Soshnikov, A. A. Tonkikh, N. V. Sibirev, Yu. B. Samsonenko, and V. M. Ustinov, Phys. Rev. B 71, 205325 (2005).
50. G. E. Cirlin, V. G. Dubrovskii, N. V. Sibirev, I. P. Soshnikov, Yu. B. Samsonenko, A. A. Tonkikh, and V. M. Ustinov, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 39, 587 (2005) [Semiconductors 39, 557 (2005)].
51. J. C. Harmand, G. Patriarche, N. Péré-Laperne, M.-N. Mérat-Combes, L. Travers, and F. Glas, Appl. Phys. Lett. 87, 203101 (2005).
52. J. C. Harmand, M. Tchernycheva, G. Patriarche, L. Travers, F. Glas, and G. Cirlin, J. Cryst. Growth 301-302, 853 (2007).
53. A. A. Tonkikh, G. E. Cirlin, V. G. Dubrovskii, N. V. Sibirev, I. P. Soshnikov, Yu. B. Samsonenko, N. K. Polyakov, and V. M. Ustinov, Phys. Stat. Solidi A 203, 1365 (2006).
54. M. Tchernycheva, C. Sartel, G. Cirlin, L. Travers, G. Patriarche, J.-C. Harmand, Le Si Dang, J. Renard, B. Gayral, L. Nevou, and F. Julien, Nanotechnology 18, 385306 (2007).
55. R. K. Debnath, R. Meijers, T. Richter, T. Stoica, R. Calarco, and H. Lüth, Appl. Phys. Lett. 90, 123117 (2007).
56. R. Meijers, T. Richter, R. Calarco, T. Stoica, H. P. Bochem, M. Marso, and H. Lüth, J. Cryst. Growth 289, 381 (2006).
57. M. C. Plante and R. R. LaPierre, J. Cryst. Growth 286, 394 (2006).
58. G. E. Cirlin, A. A. Tonkikh, Yu. B. Samsonenko, I. P. Soshnikov, N. K. Polyakov, V. G. Dubrovskii, and V. M. Ustinov, Chechoslovak. J. Phys. 56, 13 (2006).
59. V. G. Dubrovskii, I. P. Soshnikov, N. V. Sibirev, G. E. Cirlin, and V. M. Ustinov, J. Cryst. Growth 289, 31 (2006).
60. I. P. Soshnikov, V. G. Dubrovskii, N. V. Sibirev, B. T. Barchenko, A. V. Vertekha, G. É. Tsyrlin, and V. M. Ustinov, Pis'ma Zh. Tekh. Fiz. 32(12), 28 (2006) [Tech. Phys. Lett. 32, 520 (2006)].
61. H. T. Ng, J. Han, T. Yamada, P. Nguyen, Y. P. Chen, and M. Meyyappan, Nano Lett. 4, 1247 (2004).
62. V. G. Dubrovskii, I. P. Soshnikov, G. E. Cirlin, A. A. Tonkikh, Yu. B. Samsonenko, N. V. Sibirev, and V. M. Ustinov, Phys. Stat. Solidi B 241, R30 (2004).
63. V. G. Dubrovskii and N. V. Sibirev, J. Cryst. Growth 304, 504 (2007).
64. T. Bryllert, L.-E. Wernersson, L. E. Froberg, and L. Samuelson, IEEE Electron. Rev. Lett. 27, 323 (2006).
65. G. E. Cirlin, M. Tchernycheva, C. Sartel, J. Patriarche, L. Vila, and J. C. Harmand, in Proc. of the 10th Intern. Symp. on Nanophysics and Nanoelectronics (IFM RAN, Nizh. Novgorod, 2007), p. 211.
66. M. Tchernycheva, L. Travers, G. Patriarche, J. C. Harmand, G. E. Cirlin, and V. G. Dubrovskii, J. Appl. Phys. 102, 094313 (2007).
67. Binary Alloy Phase Diagrams, 2nd ed., ed. by T. B. Massalski (ASM Int. Metals Park, Ohto, 1990) v. 1, p. 369.
68. V. V. Mamutin, Pis'ma Zh. Tekh. Fiz. 25(18), 55 (1999) [Tech. Phys. Lett. 25, 741 (1999)].
69. J. Noborisaka, J. Motohisa, and T. Fukui, Appl. Phys. Lett. 86, 213102 (2005).
70. P. Mohan, J. Motohisa, and T. Fukui, Nanotechnology 16, 2903 (2005).
71. J. Noborisaka, J. Motohisa, S. Hara, and T. Fukui, Appl. Phys. Lett. 87, 093109 (2005).
72. J. Motohisa and T. Fukui, Proc. SPIE 6370, 63700B (2006).
73. M. Akabori, J. Takeda, J. Motohisa, and T. Fukui, Nanotechnology 14, 1071 (2003).
74. M. Inari, J. Takeda, J. Motohisa, and T. Fukui, Physica E 21, 620 (2004).
75. E. I. Givargizov and A. A. Chernov, Kristallografiya 18, 147 (1973) [Sov. Phys. Crystallogr. 18, 89 (1973)].
76. V. G. Dubrovskii, N. V. Sibirev, and G. E. Cirlin, Pis'ma Zh. Tekh. Fiz. 30(16), 41 (2004) [Tech. Phys. Lett. 30, 682 (2004)].
77. V. G. Dubrovskii and N. V. Sibirev, Phys. Rev. E 70, 031604 (2004).
78. A. Zangwill, Physics at Surfaces (Cambridge Univ., Cambridge, 1988).
79. Landolt-Börnstein, New Series, Group III, v. 41, pt. A (Springer, Berlin, 2006); Group IV Elements, IVD{stroke}IV and IIID{stroke}V Compounds, Ed. by U. Rössler.
80. D. Kashchiev, Nucleation: Basic Theory with Applications (Butterworth Heinemann, Oxford, 2000).
81. D. Kashchiev, Cryst. Growth Design 6, 1154 (2006).
82. A. A. Chernov, E. I. Givargizov, and Kh. S. Bagdasarov, Modern Crystallography, vol. 3: Crystal Growth (Nauka, Moscow, 1980) [in Russian].
83. N. V. Sibirev and V. G. Dubrovskii, Pis'ma Zh. Tekh. Fiz. 30(18), 79 (2004) [Tech. Phys. Lett. 30, 791 (2004)].
84. V. G. Dubrovskii, N. V. Sibirev, J. C. Harmand, and F. Glas, Phys. Rev. B 78, 235301 (2008).
85. F. Glas, J. C. Harmand, and J. Patriarche, Phys. Rev. Lett. 99, 146101 (2007).
86. S. Koshiba, Y. Nakamura, M. Tsuchiya, H. Noge, H. Kano, Y. Nagamune, T. Noda, and H. Sakaki, J. Appl. Phys. 76, 4138 (1994).
87. T. Takebe, M. Fujii, T. Yamamoto, K. Fujita, and T. Watanabe, J. Appl. Phys. 81, 7273 (1997).
88. W. Dittmar and K. Neumann, in Growth and Perfection of Crystals, Ed. by R. H. Doremus, B. W. Roberts, and E. Turnball (Wiley, New York, 1958), p. 121.
89. J. M. Blakely and K. A. Jackson, J. Chem. Phys. 37, 428 (1962).
90. V. Ruth and J. R. Hirth, J. Chem. Phys. 41, 31 (1964).
91. V. G. Dubrovskii, N. V. Sibirev, R. A. Suris, G. E. Cirlin, V. M. Ustinov, M. Tchernycheva, and J. C. Harmand, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 40, 1103 (2006) [Semiconductors 40, 1075 (2006)].
92. V. G. Dubrovskii, N. V. Sibirev, R. A. Suris, G. E. Cirlin, J. C. Harmand, and V. M. Ustinov, Surf. Sci. 601, 4395 (2007).
93. V. G. Dubrovskii, N. V. Sibirev, G. E. Cirlin, I. P. Soshnikov, W. H. Chen, R. Larde, E. Cadel, P. Pareige, T. Xu, B. Grandidier, J.-P. Nys, D. Stievenard, M. Moewe, L. C. Chuang, and C. Chang-Hasnain, Phys. Rev. B 79, 205316 (2009).
94. J. Johansson, C. P. T. Svensson, T. Mårtensson, L. Samuelson, and W. Seifert, J. Phys. Chem. B 109, 13567 (2005).
95. W. Miller and S. Succi, Phys. Rev. E 76, 031601 (2007).
96. V. G. Dubrovskii, N. V. Sibirev, G. E. Cirlin, J. C. Harmand, and V. M. Ustinov, Phys. Rev. E 73, 021603 (2006).
97. M. T. Björk, B. J. Ohlsson, T. Saas, A. I. Persson, C. Thelander, M. H. Magnusson, K. Deppert, L. R. Wallenberg, and L. Samuelson, Nano Lett. 2(2), 87 (2002).
98. L. C. Chuang, M. Moewe, S. Crankshaw, and C. Chang-Hasnain, Appl. Phys. Lett. 92, 013121 (2008).
99. V. M. Ustinov, A. E. Zhukov, A. Yu. Egorov, and N. A. Maleev, Quantum Dot Lasers (Oxford Univ., New York, 2003).
100. F. Glas, Phys. Rev. B 74, 121302 (2006).
101. M. V. Barton, J. Appl. Mech. 8, A97 (1941).
102. E. A. Fitzgerald, Mater. Sci. Rep. 7, 87 (1991).
103. I. A. Ovid'ko, Phys. Rev. Lett. 88, 046103 (2002).
104. B. J. Spencer and J. Tersoff, Appl. Phys. Lett. 77, 2633 (2000).
105. C. P. T. Swensson, W. Seifert, M. W. Larsson, L. R. Wallenberg, J. Strangl, G. Bauer, and L. Samuelson, Nanotechnology 16, 936 (2005).
106. M. A. Verheijen, G. Immink, T. de Smet, M. T. Borgstrom, and E. P. A. M. Bakkers, J. Am. Chem. Soc. 128, 1353 (2006).
107. E. Ertekin, P. A. Greaney, and D. C. Chrzan, J. Appl. Phys. 97, 114325 (2005).
108. M. I. McMahon and R. J. Nelmes, Phys. Rev. Lett. 95, 215505 (2005).
109. T. Akiyama, K. Sano, K. Nakamura, and T. Ito, Jpn. J. Appl. Phys. 45, L275 (2006).
110. C.-Y. Yeh, Z. W. Lu, S. Froyen, and A. Zunger, Phys. Rev. B 46, 10086 (1992).
111. I. P. Soshnikov, G. E. Cirlin, A. A. Tonkikh, Yu. B. Samsonenko, V. G. Dubrovskii, V. M. Ustinov, O. M. Gorbenko, D. Litvinov, and D. Gerthsen, Fiz. Tverd. Tela 47, 2121 (2005) [Phys. Solid State 47, 2213 (2005)].
112. S.-G. Ihn, J.-I. Song, Y.-H. Kim, and J. Y. Lee, Appl. Phys. Lett. 89, 053106 (2006).
113. L. D. Landau and E. M. Lifshitz, Course of Theoretical Physics, Vol. 5: Statistical Physics (Nauka, Moscow, 1995; Pergamon, Oxford, 1980).
114. A. Fontcuberta i Morral, J. Arbiol, J. D. Prades, A. Cirera, and J. R. Morante, Adv. Mater. 19, 1347 (2007).
115. I. P. Soshnikov, G. E. Cirlin, N. V. Sibirev, V. G. Dubrovskii, Yu. B. Samsonenko, D. Litvinov, and D. Gerthsen, Pis'ma Zh. Tekh. Fiz. 34(12), 88 (2008) [Tech. Phys. Lett. 34, 538 (2008)].
116. T. Akiyama, K. Nakamura, and T. Ito, Phys. Rev. B 73, 235308 (2006).
117. R. Leitsmann and F. Bechstedt, J. Appl. Phys. 102, 063528 (2007).
118. V. G. Dubrovskii and N. V. Sibirev, Phys. Rev. B 77, 035414 (2008).
119. I. T. Steinberger, Progr. Cryst. Growth Charact. 7, 7 (1983).
120. C. Colombo, D. Spirkoska, M. Frimmer, G. Abstreiter, and A. Fontcuberta i Morral, Phys. Rev. B 77, 155326 (2008).
121. D. J. Eaglesham, A. E. White, L. C. Feldman, N. Moriya, and D. C. Jacobson, Phys. Rev. Lett. 70, 1643 (1993).
122. A. A. Stekolnikov and F. Bechstedt, Phys. Rev. B 72, 125326 (2005).
123. V. G. Dubrovskii and N. V. Sibirev, Pis'ma Zh. Tekh. Fiz. 32(5), 1 (2006) [Tech. Phys. Lett. 32, 185 (2006)].
124. S. A. Kukushkin and A. V. Osipov, Usp. Fiz. Nauk 168, 1083 (1998) [Phys. Usp. 41, 983 (1998)].
125. V. G. Dubrovskii and G. E. Cirlin, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 39, 1312 (2005) [Semiconductors 39, 1267 (2005)].
126. V. G. Dubrovskii, N. V. Sibirev, G. E. Cirlin, M. Tchernycheva, J. C. Harmand, and V. M. Ustinov, Phys. Rev. E 77, 031606 (2008).
127. N. V. Sibirev, I. P. Soshnikov, and V. G. Dubrovskii, E. Arshanskii, Pis'ma Zh. Tekh. Fiz. 32(7), 28 (2006) [Tech. Phys. Lett. 32, 520 (2006)].
128. F. Glas and J. C. Harmand, Phys. Rev. B 73, 155320 (2006).
129. A. T. Galisultanov, I. A. Fedorov, I. P. Soshnikov, N. V. Sibirev, and V. G. Dubrovskii, Pis'ma Zh. Tekh. Fiz. 34(12), 34 (2008) [Tech. Phys. Lett. 34, 512 (2008)].
130. M. Borgström, K. Deppert, L. Samuelson, and W. Seifert, J. Cryst. Growth 260, 18 (2004).
131. F. M. Ross, J. Tersoff, and M. C. Reuter, Phys. Rev. Lett. 95, 146104 (2005).
132. E. I. Givargizov, J. Cryst. Growth 31, 20 (1975).
133. H. Z. Zhang, D. P. Yu, Y. Ding, Z. G. Bai, Q. L. Hang, and S. Q. Feng, Appl. Phys. Lett. 73, 3396 (1998).
134. F. M. Kolb, H. Hofmeister, R. Scholz, M. Zacharias, U. Gosele, D. D. Ma, and S.-T. Lee, J. Electrochem. Soc. 151, G472 (2004).
135. J. B. Hannon, S. Kodambaka, F. M. Ross, and R. M. Tromp, Nature 440(2), 69 (2006).
136. H. Y. Peng, N. Wang, W. S. Shi, Y. F. Zhang, C. S. Lee, and S. T. Lee, J. Appl. Phys. 89, 727 (2001).
137. M. Moewe, L. C. Chuang, V. G. Dubrovskii, and C. Chang-Hasnain, J. Appl. Phys. 104, 044313 (2008).
138. K. Haraguchi, T. Katsuyama, and K. Hiruma, J. Appl. Phys. 75, 4220 (1994).
139. Z. H. Wu, M. Sun, X. Y. Mei, and H. E. Ruda, Appl. Phys. Lett. 85, 657 (2004).
140. S. Reitzenstain, S. Muench, C. Hoffmann, A. Forchel, S. Crankshow, L. C. Chuang, M. Moewe, and C. Chang-Hasnain, Appl. Phys. Lett. 91, 091103 (2007).
141. M. S. Gudiksen, J. Wang, and C. Lieber, J. Phys. Chem. B 106, 4036 (2002).
142. M. Mattila, T. Hakkarainen, H. Lipsanen, H. Jiang, and E. I. Kauppinen, Appl. Phys. Lett. 89, 063119 (2006).
143. Yu. B. Samsonenko, G. E. Cirlin, V. A. Egorov, N. K. Polyakov, V. P. Ulin, and V. G. Dubrovskii, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 42, 1478 (2008) [Semiconductors 42, 1445 (2008)].
144. M. Tchernycheva, G. E. Cirlin, G. Patriarche, L. Travers, V. Zwiller, U. Perinetti, and J.-C. Harmand, Nano Lett. 7, 1500 (2007).
145. T. Stoica, R. J. Meijers, R. Calarco, T. Richter, E. Suttr, and H. Lüth, Nano Lett. 6, 1541 (2007).
146. Y. S. Park, S.-H. Lee, J.-E. Ob, C.-M. Park, and T.-W. Kang, J. Cryst. Growth 282, 313 (2005).
147. B. Peichal, J. Yoo, A. Elshaer, A. Che Mofor, G.-C. Yi, A. Bakin, A. Waag, F. Donatini, and Le Si Dang, Phys. Stat. Solidi B 244, 1458 (2007).
148. O. A. Neucheva, A. A. Evstrapov, Yu. B. Samsonenko, and G. E. Cirlin, Pis'ma Zh. Tekh. Fiz. 33(21), 56 (2007) [Tech. Phys. Lett. 33, 923 (2007)].
149. C. J. Novotny, E. T. Yu, and P. K. L. Yu, Nano Lett. 8, 775 (2008).
150. S. H. Park, S.-H. Kim, and S.-W. Han, Nanotechnology 18, 055608 (2007).
151. E. D. Minot, F. Kelkensberg, M. van Kouwen, J. A. van Dam, L. P. Kouwenhoven, V. Zwiller, M. T. Borgstrom, O. Wunnicke, M. A. Verheijen, and E. P. A. M. Bakkers, Nano Lett. 7, 367 (2007).
152. M. H. Huang, S. Mao, H. Feick, H. Yan, Y. Wu, H. Kind, E. Wever, R. Russo, and P. Yang, Science 292, 1897 (2001).
153. X. Duan, Y. Huang, R. Agarwal, and C. M. Lieber, Nature (London) 421, 17 (2003).
154. C. Ellstrom, W. Seifert, C. Pryor, L. Samuelson, and M.-E. Pistol, J. Phys.: Condens. Matter 19, 295211 (2007).
155. H.-J. Kim, C.-H. Lee, D.-W. Kim, and G. Chul, Nanotechnology 17, S327 (2006).
156. A. D. Bouravleuv, K. Minami, T. Ishibashi, and K. Sato, Phys. Stat. Solidi A 203, 2793 (2006).
157. A. D. Bouravleuv, S. Mitani, Re. M. Rubinger, M. C. do Carmo, N. A. Sobolev, T. Ishibashi, A. Koukitu, K. Takanashi, and K. Sato, Physica E 40, 2037 (2008).
158. J. Sadowski, P. Dluzewski, S. Kret, E. Janik, E. Lusakowska, J. Kanski, A. Presz, F. Terki, S. Charar, and D. Tang, Nano Lett. 7, 2724 (2007).
159. Q. Wan, P. Feng, and T. H. Wang, Appl. Phys. Lett. 89, 123102 (2006).
160. C.-Y. Lee, M.-P. Lu, K.-F. Liao, W.-W. Wu, and L.-J. Chen, Appl. Phys. Lett. 93, 113109 (2008).
161. B. Zeng, G. Xiong, S. Chen, W. Wang, D. Z. Wang, and Z. F. Ren, Appl. Phys. Lett. 90, 033112 (2007).
162. L. Tsakalakos, J. Balch, J. Fronheiser, B. A. Korevaar, O. Sulima, and J. Rand, Appl. Phys. Lett. 91, 233117 (2007).
163. W. U. Huynh, J. J. Dittmer, and A. P. Alivisatos, Science 295, 2425 (2002).
164. M. Law, L. E. Greene, J. C. Johnson, R. Saykally, and P. Yang, Nature Mater. 4, 455 (2005).
165. J. B. Baxter and E. S. Aydil, Appl. Phys. Lett. 86, 053114 (2005).
166. J. B. Baxter, A. M. Walker, K. van Ommering, and E. S. Aydil, Nanotechnology 17, S304 (2006).
167. J. A. Czaban, D. A. Thompson, and R. R. LaPierre, Nano Lett. 9, 148 (2009).
168. A. Shah, P. Torres, R. Tscharner, N. Wyrsch, and H. Keppner, Science 285, 692 (1999).
169. M. A. Green, in Proc. of the 4th World Conf. Photovoltaic Energy Conversion (2006), v. 1, p. 15.
170. A. Luque, A. Marti, and A. J. Nozik, MRS Bull. 32, 236 (2007).
171. R. D. Schaller, V. M. Agranovich, and V. I. Klimov, Nature Phys. 1, 189 (2005).
172. L. Hu and G. Chen, Nano Lett. 7, 3249 (2007).
173. E. Strauss, J. Strauss, and E. G. Strauss, in Viruses and Human Disease, Ed. by J. Strauss and E. Strauss (Academic, San Diego, 2001), p. 1.
174. Essentials of Diagnostic Virology, ed. by G. A. Storch (ChurchillDLivingstone, New York, 1999), p. 1.
175. E. M. Elnifro, A. M. Ashshi, R. J. Cooper, and P. E. Klapper, Clin. Microbiol. Rev. 13, 559 (2000).
176. I. M. Mackay, K. E. Arden, and A. Nitsche, Nucleic Acids Res. 30, 1292 (2002).