GaAs:Mn nanowires grown by molecular beam epitaxy of (Ga,Mn)As at MnAs segregation conditions

Nano Letters

Volumn 7, Issue 9, 2007, Pages 2724-2728

  Sadowski, Janusz ^a,b,c   Dłuzewski, Piotr ^b   Kret, Sławomir ^b   Janik, Elzbieta ^b   ŁUsakowska, Elzbieta ^b   Kanski, Janusz ^d   Presz, Adam ^e   Terki, Ferial ^a   Charar, Salam ^a   Tang, Dong ^f  

^a UNIVERSITÉ MONTPELLIER 2   (France)

^b INSTITUTE OF PHYSICS   (Poland)

^c LUND UNIVERSITY   (Sweden)

^d CHALMERS UNIVERSITY OF TECHNOLOGY   (Sweden)

^e INSTITUTE OF HIGH PRESSURE PHYSICS   (Poland)

^f Thermo Fisher Scientific   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CATALYSIS; MOLECULAR BEAM EPITAXY; SEMICONDUCTING GALLIUM ARSENIDE; SEMICONDUCTOR GROWTH; SEPARATION;

FERROMAGNETIC SEMICONDUCTORS; NANOSPINTRONICS; SUBSTRATE TEMPERATURE;

NANOWIRES;

GALLIUM; GALLIUM ARSENIDE; HEAVY ION; MANGANESE; NANOMATERIAL; ORGANOARSENIC DERIVATIVE;

ARTICLE; CHEMISTRY; CONFORMATION; CRYSTALLIZATION; MACROMOLECULE; MATERIALS TESTING; METHODOLOGY; NANOTECHNOLOGY; PARTICLE SIZE; RADIATION EXPOSURE; SURFACE PROPERTY; ULTRASTRUCTURE;

ARSENICALS; CRYSTALLIZATION; GALLIUM; HEAVY IONS; MACROMOLECULAR SUBSTANCES; MANGANESE; MATERIALS TESTING; MOLECULAR CONFORMATION; NANOSTRUCTURES; NANOTECHNOLOGY; PARTICLE SIZE; SURFACE PROPERTIES;

EID: 34948897628     PISSN: 15306984     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1021/nl071190f     Document Type: Article

References (31)

1. Duan, X.; Huang, Y.; Cui, Y.; Wang, J.; Lieber, C. M. Nature 2001, 409, 66.
2. Bjork, M. T.; Ohlsson, B. J.; Sass, T. A.; Persson, I.; Thelander, C.; Magnussen, M. H.; Deppert, K.; Wallenberg, L. R.; Samuelson, L. Nano Lett. 2002, 2, 87.
3. Thelander, C.; Nilsson, H. A.; Jensen, L. E.; Samuelson, L. Nano Lett. 2005, 5, 635.
4. Liao, L.; Lu, H. B.; Li, J. C.; He, H.; Wang, D. F.; Fu, D. J.; Liu, C.; Zhang, W. F. J. Phys. Chem. C. 2007, 111, 1900.
5. Chen, W.; Yao, H.; Tzang, C. H.; Zhu, J.; Yang, M.; Lee, S.-T. Appl. Phys. Lett. 2006, 88, 213104.
6. Nie, L.; Gao, L.; Yan X.; Wang, T. Nanotechnology 2007, 18, 015101.
7. Wagner, R. S.; Ellis, W. C. Appl. Phys. Lett. 1964, 4, 89.
8. Kodambaka, S.; Tersoff, J.; Reuter, M. C.; Ross, F. M. Science 2007, 316, 729.
9. Leitsmann, R.; Bechstedt, F. www.arxiv.org/cond-mat/061521, 2006 (unpublished).
10. Kamins, T. I.; Li, X.; Williams, R. S.; Liu, X. Nano Lett. 2004, 4, 503.
11. Dubrovskii, V. G.; Cirlin, G. E.; Soshnikov, I. P.; Tonkikh, A. A.; Sibirev, N. V.; Samsonenko, Yu. B.; Ustinov, V. M. Phys Rev. B 2005, 71, 205325.
12. Janik, E.; Sadowski, J.; Dłużewski, P.; Kret, S.; Baczewski, L. T.; Petroutchik, A.; Łusakowska, E.; Wróbel, J.; Zaleszczyk, W.; Karczewski, G.; Wojtowicz, T. Appl. Phys. Lett. 2006, 89, 133114.
13. Cerutti, L.; Ristić, J.; Fernández-Garrido, S.; Calleja, E.; Trampert, A.; Ploog, K. H.; Lazic S.; Calleja, J. M. Appl. Phys. Lett. 2006, 88, 213114.
14. Park, W. I.; Jun, Y. H.; Jung, S. W.; Yi, Gyu-Chul Appl. Phys. Lett. 2003, 82. 964.
15. Dick, K. A.; Deppert, K.; Mårtensson, T.; Mandl, B.; Samuelson, L.; Seifert, W. Nano Lett. 2005, 5, 761.
16. Died, T.; Ohno, H.; Matsukura, F. Phys. Rev. B 2001, 63, 195205.
17. Hayashi, T.; Tanaka, M.; Nishinaga, T.; Shimada, H.; Tsuchiya, H.; Otuka, Y. J. Cryst. Growth 1997, 175-176, 1063.
18. Ohno, H.; Shen, A.; Matsukura, F.; Oiwa, A.; Endo, A.; Katsumoto S.; Iye, Y. Appl. Phys. Lett. 1996, 69, 363.
19. Holub, M.; Shin, J.; Chakrabarti, S.; Bhattacharya, P. Appl. Phys. Lett. 2005, 87, 091108.
20. Gould, C.; Rüster, C.; Jungwirth, T.; Girgis, E.; Schott, G. M.; Giraud, R.; Brunner, K.; Schmidt, G.; Molenkamp, L. W. Phys. Rev. Lett. 2004, 93, 117203.
21. Ham, Moon-Ho; Myoung, Jae-Min Appl. Phys. Lett. 2006, 89, 173117.
22. Philipose, U.; Naira, S. V.; de Souza, C. F.; Aouba, S.; Hill, R. H.; Ruda, H. E. Appl. Phys. Lett. 2006, 88, 263101.
23. Garcia, M. A.; Ruiz-Gonzalez, M. L.; Quesada, A.; Costa-Krämer, J. L.; Fernandez, J. F.; Khatib, S. J.; Wennberg, A.; Caballero, A. C.; Martin-Gonzalez, M. S.; Villegas, M.; Briones, F.; Gonzalez-Calbet, J. M.; Hernando, A. Phys. Rev. Lett. 2005, 94, 217206.
24. Hynninen, T.; Raebiger, H.; von Boehm, J.; Ayuela, A. Appl. Phys. Lett. 2006, 88, 122501.
25. Jungwirth, T.; Sinova, J.; Mašek, J.; Kučera, J.; MacDonald, A. H. Rev. Mod. Phys. 2006, 78, 809.
26. Wunderlich, J.; Jungwirth, T.; Kaestner, B.; Irvine, A. C.; Shick, A. B.; Stone, N.; Wang, K.-Y.; Rana, U.; Giddings, A. D.; Foxon, C. T.; Campion, R. P.; Williams, D. A.; Gallagher, B. L. Phys. Rev. Lett. 2006, 97, 077201.
27. Martelli, F.; Rubini, S.; Piccin, M.; Bais, G.; Jabeen, F.; De Franceschi, S.; Grillo, V.; Carlino, E.; D'Acapito, F.; Boscherini, F.; Cabrini, S.; Lazzarino, M.; Businaro, L.; Romanato, F.; Franciosi, A. Nano Lett. 2006, 6, 2130.
28. Jeon, H. C.; Kang, T. W.; Kim, T. W.; Yu, Y.-J.; Jhe, W.; Song, S. A. J. Appl. Phys. 2007, 101, 023508.
29. Sadowski, J.; Mathieu, R.; Svedlindh, P.; Domagala, J. Z.; Bak-Misiuk, J.; Swiatek, K.; Karlsteen, M.; Kanski, J.; Ilver, L.; Åsklund H.; Södervall, U. Appl. Phys. Lett. 2001, 78, 3271.
30. Ohno, H. Science 1998, 281, 951.
31. Moreno, M.; Trampert, A.; Jenichen, B.; Däweritz, L.; Ploog, K. H. J. Appl. Phys. 2002, 92, 4672.