Photoluminescence and intrinsic properties of MBE-Grown InN nanowires

Nano Letters

Volumn 6, Issue 7, 2006, Pages 1541-1547

  Stoica, Toma ^a   Meijers, Ralph J ^a   Calarco, Raffaella ^a   Richter, Thomas ^a   Sutler, Eli ^b   Lüth, Hans ^a  

^a FORSCHUNGSZENTRUM JÜLICH   (Germany)

^b BROOKHAVEN NATIONAL LABORATORY   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

COLUMNAR MORPHOLOGY; CRYSTALLINE QUALITY; INTRINSIC PROPERTIES; OPTICAL BAND GAPS;

CARRIER CONCENTRATION; INDIUM COMPOUNDS; MOLECULAR BEAM EPITAXY; PHOTOLUMINESCENCE; SUBSTRATES; TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY;

NANOSTRUCTURED MATERIALS;

INDIUM; INDIUM NITRIDE; NANOMATERIAL; NITROGEN;

ARTICLE; CHEMISTRY; ELECTRON MICROSCOPY; LUMINESCENCE; METHODOLOGY; PHOTOCHEMISTRY;

INDIUM; LUMINESCENCE; MICROSCOPY, ELECTRON; NANOSTRUCTURES; NITROGEN; PHOTOCHEMISTRY;

EID: 33746910200     PISSN: 15306984     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1021/nl060547x     Document Type: Article

References (35)

1. Law, M.; Goldberger, J.; Yang, P. Annu. Rev. Mater. Res. 2004, 34, 83.
2. Mahboob, I.; Veal, T. D.; Piper, L. F. J.; McConville, C. F.; Lu, Hai; Schaff, W. J.; Furthmueller, J.; Bechstedt, F. Phys. Rev. B 2004, 69, 201307(R).
3. Bhuiyan, A. G.; Hashimoto, A.; Yamamoto, A. J. Appl. Phys. 2003, 94, 2779.
4. Liang, C. H.; Chen, L. C.; Hwang, J. S.; Chen, K. H.; Hung, Y. T.; Chen, Y. F. Appl. Phys. Lett. 2002, 81, 22.
5. Tang, T.; Han, S.; Jin, W.; Liu, X.; Li, C.; Zhang, D.; Zhou, C.; Chen, B.; Han, J.; Meyyapan, M. J. Mater. Res. 2004, 19, 423.
6. Johnson, M. C.; Lee, C. J.; Bourret-Courchesnea, E. D.; Konsek, S. L.; Aloni, S.; Han, W. Q.; Zettl, A. Appl. Phys. Lett. 2004, 85, 5670.
7. Zhang, J.; Zhang, L.; Penga, X.; Wang, X. J. Mater. Chem. 2002, 12, 802.
8. Zhang, J.; Xu, B.; Jiang, F.; Yang, Y.; Li, J. Phys. Lett. A 2005, 337, 121.
9. Dimakis, E.; Konstantinidis, G.; Tsagaraki, K.; Adikimenakis, A.; Iliopoulos, E.; Georgakilas, A. Superlattices Microstruct. 2004, 36, 497.
10. Grandal, J.; Sanchez-García, M. A.; Calle, F.; Calleja, E. Phys. Status Solidi C 2005, 2, 2289.
11. Stoica, T.; Meijers, R.; Calarco, R.; Richter, T.; Luth, H. J. Cryst. Growth 2006, 290, 241.
12. Lu, H.; Schaff, W. J.; Hwang, J.; Wu, H.; Yeo, W.; Pharkya, A.; Eastman, L. F. Appl. Phys. Lett. 2000, 77, 2548.
13. Inushima, T.; Mamutin, V. V.; Vekshin, V. A.; Ivanov, S. V.; Sakon, T.; Motokawa, M.; Ohoya, S. J. Cryst. Growth 2001, 227-228, 481.
14. Davydov, V. Yu.; Klochikhin, A. A.; Seisyan, R. P.; Emtsev, V. V.; Ivanov, S. V.; Bechstedt, F.; Furthmüller, J.; Harima, H.; Mudryi, A. V.; Aderhold, J.; Semchinova, O.; Graul, J. Phys. Status Solidi B 2002, 229, R1.
15. Tansley, T. L.; Foley, C. P. J. Appl. Phys. 1986, 59, 3241.
16. Davydov, V. Yu.; Klochikhin, A. A. Semiconductors 2004, 38, 897.
17. Bechstedt, F.; Furthmüller, J.; Ferhat, M.; Teles, L. K.; Scolfaro, L. M. R.; Leite, J. R.; Davydov, V. Yu.; Ambacher, O.; Goldhahn, R. Phys. Status Solidi A 2003, 195, 628.
18. Shubina, T. V.; Ivanov, S. V.; Jmerik, V. N.; Solnyshkov, D. D.; Vekshin, V. A.; Kopev, P. S.; Vasson, A.; Leymarie, J.; Kavokin, A.; Amano, H.; Shimono, K.; Kasic, A.; Monemar, B. Phys. Rev. Lett. 2004, 92, 117407.
19. Specht, P.; Ho, J. C.; Xu, X.; Armitage, R.; Weber, E. R.; Erni, R.; Kisielowski, C. Solid State Commun. 2005, 135, 340.
20. Miyajima, T.; Kudo, Y.; Wakahara, A.; Yamaguchi, T.; Araki, T.; Naoi, H.; Nanishi, Y. 6th International Conf. on Nitride Semiconductors, Th-SP3-6, Bremen-Germany 2005.
21. Saito, Y.; Harima, H.; Kurimoto, E.; Yamaguchi, T.; Teraguchi, N.; Suzuki, A.; Araki, T.; Nanish, Y. Phys. Status Solidi B 2002, 234, 796.
22. Matsuoka, T.; Okamoto, H.; Nakao, M.; Harima, H.; Kurimoto, E. Appl. Phys. Lett. 2002, 81, 1246.
23. Wu, J.; Walukiewicz, W.; Shan, W.; Yu, K. M.; Ager, J. W., III; Haller, E. E.; Lu, H.; Schaff, W. J. Phys. Rev. B 2002, 66, 201403.
24. Nanishi, Y.; Saito, Y.; Yamaguchi, T.; Hori, M.; Matsuda, F.; Araki, T.; Suzuki, A.; Miyajima, T. Phys. Status Solidi A 2003, 200, 202.
25. Yu, K. M.; Liliental-Weber, Z.; Walukiewicz, W.; Shan, W.; Ager, J. W., III; Li, S. X.; Jones, R. E.; Haller, E. E.; Lu, H.; Schaff, W. J. Appl. Phys. Lett. 2005, 86, 071910.
26. Klochikhin, A. A.; Davydov, V. Yu.; Emtsev, V. V.; Sakharov, A. V.; Kapitonov, V. A.; Andreev, B. A.; Lu, H.; Schaff, W. J. Phys. Status Solidi B 2005, 242, R33.
27. Sugita, K.; Takatsuka, H.; Hashimoto, A.; Yamamoto, A. Phys. Status Solidi B 2003, 240, 421.
28. Yodo, T.; Yona, H.; Ando, H.; Nosei, D.; Harada, Y. Appl. Phys. Lett. 2002, 80, 968.
29. Yin, L. W.; Bando, Y.; Goldberg, D.; Li, M. S. Adv. Mater. 2004, 16, 1833.
30. Wu, J.; Walukiewicz, W.; Yu, K. M.; Ager, J. W. Haller, E. E.; Lu, H.; Schaff, W. J.; Saito, Y.; Nanishi, Y. Appl. Phys. Lett. 2002, 80, 3967.
31. Walukiewicz, W.; Yu, K. M.; Li, S. X.; Denlinger, J. D.; Hsu, L.; Jones, R. E.; Ager, J. W., III; Haller, E. E.; Lu, H.; Schaff, W. J. 6th International Conf. on Nitride Semiconductors, Mo-OPl-1, Bremen-Germany 2005.
32. Calarco, R.; Marso, M.; Richter, Th.; Aykanat, A.; Meijers, R.; Hart, A. v. d.; Stoica, T.; Lüth, H. Nano Lett. 2005, 5, 981.
33. Landsberg, P. T. Phys. Status Solidi 1966, 15, 623.
34. Calleja, E.; Sanchez-Garcia, M. A.; Basak, D.; Sanchez, F. J.; Calle, F.; Youinou, P.; Munoz, E.; Serrano, J. J.; Blanco, J. M.; Villar, C.; Laine, T.; Oila, J.; Saarinen, K.; Hautojarvi, P.; Molloy, C. H.; Somerford, D. J.; Harrison, I. Phys. Rev. B 1998, 58, 1550.
35. Cavallini, A.; Polenta, L.; Rossi, M.; Richter, T.; Marso, M.; Meijers, R.; Calarco, R.; Lüth, H. Defect distribution along single GaN nanowhiskers. Nano Lett. 2006, 6, DOI 10.1021/nl060332n.