Boron diffusion in silicon: The anomalies and control by point defect engineering

Materials Science and Engineering R: Reports

Volumn 42, Issue 3-4, 2003, Pages 65-114

  Shao, Lin ^a   Liu, Jiarui ^a   Chen, Quark Y ^a   Chu, Wei Kan ^a  

^a University of Houston   (United States)

Author keywords

Boron diffusion; Point defect engineering; Shallow junction

Indexed keywords

ANNEALING; ELECTRONICS ENGINEERING; INTERDIFFUSION (SOLIDS); POINT DEFECTS; SEMICONDUCTING BORON; SEMICONDUCTOR DOPING; SYNTHESIS (CHEMICAL); ULSI CIRCUITS;

POINT DEFECT ENGINEERING (PDE);

SEMICONDUCTING SILICON;

EID: 0142086826     PISSN: 0927796X     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1016/j.mser.2003.08.002     Document Type: Review

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