Using doping superlattices to study transient-enhanced diffusion of boron in regrown silicon

Applied Physics Letters

Volumn 68, Issue 22, 1996, Pages 3111-3113

  Jones, K S ^a   Elliman, R G ^b   Petravic M M ^b   Kringhoj P ^c  

^a J Crayton Pruitt Family Department of Biomedical Engineering   (United States)

^b AUSTRALIAN NATIONAL UNIVERSITY   (Australia)

^c AARHUS UNIVERSITY   (Denmark)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0000879118     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.116439     Document Type: Article

References (22)

1. T. O. Sedgwick, A. E. Michel, V. R. Deline, S. A. Cohen, and J. B. Lasky, J. Appl. Phys. AIP 63, 1452 (1988).
2. Y. M. Kim, G. Q. Lo, D. L. Kwong, H. H. Tseng, and R. Hance, Appl. Phys. Lett. AIP 55, 2316 (1989).
3. R. G. Wilson, J. Appl. Phys. AIP 54, 6879 (1983).
4. R. B. Fair, J. Electrochem. Soc. INS 137, 667 (1990).
5. S. Solmi, R. Angelucci, F. Cembali, M Servidori, and M. Anderle, Appl. Phys. Lett. AIP 51, 331 (1987).
6. S. Peterstrom and B. G. Svensson, J. Appl. Phys. AIP 71, 1215 (1992).
7. R. Angelucci, P. Negrini, and S. Solmi, Appl. Phys. Lett. AIP 49, 1468 (1986).
8. M. Servidori, R. Angelucci, F. Cembali, P. Negrini, S. Solmi, P. Zaumseil, and U. Winter, J. Appl. Phys. AIP 61, 1834 (1987).
9. A. C. Ajmera, G. A. Rozgonyi, and R. B. Fair, Appl. Phys. Lett. AIP 52, 813 (1988).
10. M. Servidori, Z. Sourek, and S. Solmi, J. Appl. Phys. AIP 62, 1723 (1987).
11. A. Claverie, C. Bonafos, A. Martinez, and D. Alquier, Solid State Phenomena 47-48, 195 (1996).
12. Y. Kim, H. Z. Massoud, and R. B. Fair, J. Electron. Mater. INS 18, 143 (1989).
13. S. Nishikawa, A. Tanaka, and T. Yamaji, Appl. Phys. Lett. AIP 60, 2270 (1992).
14. T. E. Seidel, IEEE Electron Device Lett. INS 4, 353 (1983).
15. F. Cembali, M. Servidori, S. Solmi, Z. Sourek, U. Winter, and P. Zaumseil, Phys. Status Solidi A INS 98, 511 (1986).
16. R. B. Fair, in Impurity Doping Processes in Silicon, edited by F. F. Y. Wang (North Holland, New York, 1981), Chap. 7.
17. P. A. Stolk, H. J. Gossmann, D. J. Eaglesham, D. C. Jacobson, J. M. Poate, and H. S. Luftman, Appl. Phys. Lett. AIP 66, 568 (1995).
18. J. K. Listebarger, H. G. Robinson, K. S. Jones, M. E. Law, D. D. Sieloff, J. A. Slinkman, and T. O. Sedgwick, J. Appl. Phys. AIP 78, 2298 (1995).
19. K. S. Jones, L. Zhang, M. Law, D. S. Simons, L. Rubin, and R. G. Elliman, Appl. Phys. Lett. (submitted).
20. D. J. Eaglesham, P. A. Stolk, H.-J. Gossman, and J. M. Poate, Appl. Phys. Lett. AIP 65, 2305 (1994).
21. L. H. Zhang, K. S. Jones, P. H. Chi, and D. S. Simons, Appl. Phys. Lett. AIP 67, 2025 (1995).
22. J. Liu, M. E. Law, and K. S. Jones, Solid State Electron. INS 38, 1305 (1995).