Nonalloyed Ti/Al Ohmic contacts to n-type GaN using high-temperature premetallization anneal

Applied Physics Letters

Volumn 69, Issue 18, 1996, Pages 2737-2739

  Lester, L F ^a   Brown, J M ^a   Ramer, J C ^a   Zhang, L ^a   Hersee, S D ^a   Zolper, J C ^b  

^a UNIVERSITY OF NEW MEXICO   (United States)

^b SANDIA NATIONAL LABORATORIES   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0001618585     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.117695     Document Type: Article

References (14)

1. J. S. Foresi and T. D. Moustakas, Appl. Phys. Lett. 62, 2859 (1993).
2. M. E. Lin, Z. Ma, F. Y. Huang, Z. F. Fan, L. H. Allen, and H. Morkoç, Appl. Phys. Lett. 64, 1003 (1994).
3. S. C. Binari, H. B. Dietrich, G. Kelner, L. B. Rowland, K. Doverspike, and D. K. Gaskill, Electron. Lett. 30, 909 (1994).
4. P. Hacke, T. Detchprohm, K. Hiramatsu, and N. Sawaki, Appl. Phys. Lett. 63, 2676 (1993).
5. G. S. Marlow and M. B. Das, Solid-State Electron. 25, 91 (1982).
6. S. D. Hersee, J. Ramer, K. Zheng, C. Kranenberg, K. Malloy, M. Banas, and M. Goorsky, J. Electron. Mater. 24, 1519 (1995).
7. J. C. Zolper, R. G. Wilson, S. J. Pearton, and R. A. Stall, Appl. Phys. Lett. 68, (1996).
8. C. J. Sun, P. Kung, A. Saxler, H. Ohsato, E. Bigan, M. Razeghi, and D. K. Gaskill, J. Appl. Phys. 76, 236 (1994).
9. S. Strite and H. Morkoç, J. Vac. Sci. Technol. B 10, 1237 (1992).
10. D. W. Jenkins and J. D. Dow, Phys. Rev. B 39, 3317 (1989).
11. M. R. Lorenz and B. B. Binkowski, J. Electrochem. Soc. 109, 24 (1962).
12. T. Matsuoka, J. Cryst. Growth 124, 433 (1992).
13. Z. Fan, S. N. Mohammad, W. Kim, O. Aktas, A. E. Botchkarev, and H. Morkoç, Appl. Phys. Lett. 68, 1672 (1996).
14. L. Wang, M. I. Nathan, T.-H. Lim, M. A. Khan, and Q. Chen, Appl. Phys. Lett. 68, 1267 (1996).