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Materials Science and Engineering: R: Reports

Volumn 35, Issue 1-3, 2001, Pages 1-138

Recent advances in Schottky barrier concepts

(1) Tung, Raymond T a

a TOKYO INSTITUTE OF TECHNOLOGY (Japan)

Author keywords

Heterojunction band offsets; Interface dipole; Interface states; Schottky barrier height

Indexed keywords

CHEMICAL BONDS; ELECTRIC RESISTANCE; ELECTROLYTES; ELECTRONS; ENERGY GAP; GATES (TRANSISTOR); HETEROJUNCTIONS; INTERFACES (MATERIALS); IONIZATION; MISFET DEVICES; MOSFET DEVICES; OPTOELECTRONIC DEVICES;

ELECTRON AFFINITY; INTERFACE DIPOLES;

SCHOTTKY BARRIER DIODES;

EID: 0035834318 PISSN: 0927796X EISSN: None Source Type: Journal
DOI: 10.1016/S0927-796X(01)00037-7 Document Type: Article

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* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.