Barrier heights of real Schottky contacts explained by metal-induced gap states and lateral inhomogeneities

Journal of Vacuum Science and Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures

Volumn 17, Issue 4, 1999, Pages 1867-1876

  Mönch, Winfried ^a  

^a UNIVERSITY OF DUISBURG ESSEN   (Germany)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 22644451116     PISSN: 10711023     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1116/1.590839     Document Type: Article

References (79)

1. F. Braun, Pogg. Ann. Phys. 153, 556 (1874).
2. W. Schottky, Naturwissenschaften 26, 843 (1938).
3. I. Ohdomari, T. S. Kuan, and K. N. Tu, J. Appl. Phys. 50, 7020 (1979).
4. V. W. L. Chin, J. W. V. Storey, and M. A. Green, Solid-State Electron. 32, 475 (1989).
5. P. Werner, W. Jäger, and A. Schüppen, J. Appl. Phys. 74, 3846 (1993).
6. R. F. Schmitsdorf, T. U. Kampen, and W. Mönch, Surf. Sci. 324, 249 (1995).
7. R. F. Schmitsdorf, T. U. Kampen, and W. Mönch, J. Vac. Sci. Technol. B 15, 1221 (1997).
8. J. L. Freeouf, T. N. Jackson, S. E. Laux, and J. M. Woodall, J. Vac. Sci. Technol. 21, 570 (1982);
9. Appl. Phys. Lett. 40, 634 (1982).
10. A. I. Bastys, V. B. Bikbaev, J. J. Vaitkus, and S. C. Karpinskas, Litov. Fiz. Sb. 28, 191 (1998).
11. R. T. Tung, Phys. Rev. B 45, 13509 (1992).
12. U. Rau, H. H. Güttler, and J. H. Werner, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 260, 245 (1992).
13. R. Tung, Phys. Rev. Lett. 52, 461 (1984).
14. W. Mönch, Phys. Rev. Lett. 58, 1260 (1987).
15. V. Heine, Phys. Rev. 138, A1689 (1965).
16. E. H. Rhoderick and R. H. Williams, Metal-Semiconductor Contacts, 2nd ed. (Clarendon, Oxford, 1988).
17. W. Schottky, Phys. Z. 15, 872 (1914).
18. I. Landmann and D. Jäger, Thesis, Universität Münster (1975) (unpublished).
19. D. Jäger and R. Kassing, J. Appl. Phys. 48, 4413 (1977).
20. Y. Miura, F. Fujieda, and K. Hirose, Phys. Rev. B 50, 4893 (1994).
21. O. Nur, M. R. Sardela, Jr., M. Willander, and R. Turan, Semicond. Sci. Technol. 10, 551 (1991).
22. T. P. Chen, T. C. Lee, C. C. Ling, C. D. Beling, and S. Fung, Solid-State Electron. 36, 949 (1993).
23. K. Maeda and E. Kitahara, Appl. Surf. Sci. 130, 925 (1998).
24. T. U. Kampen and W. Mönch, Surf. Sci. 331, 490 (1995).
25. R. F. Schmitsdorf and W. Mönch, Eur. Phys. J. B 7, 457 (1999).
26. R. T. Tung, J. Vac. Sci. Technol. B 2, 465 (1984).
27. S. Chand and J. Kumar, Appl. Phys. A: Mater. Sci. Process. 63A, 171 (1996).
28. P. G. McCafferty, A. Sellai, P. Dawson, and E. Elabd, Solid-State Electron. 39, 583 (1996).
29. J. H. Werner and H. H. Güttler, J. Appl. Phys. 69, 1522 (1991).
30. A. S. Bhuiyan, A. Martinez, and D. Esteve, Thin Solid Films 161, 93 (1988).
31. S. Hardikar, M. K. Hudait, P. Modak, S. B. Krupanidhi, and N. Padha (unpublished).
32. M. Di Dio, A. Cola, M. G. Lupo, and L. Vasanelli, Solid-State Electron. 38, 1923 (1995).
33. S. Arulkumaran, J. Arokiaraj, N. Dharmarasu, and J. Kumar, Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B 119, 519 (1996).
34. R. Hackham and P. Hardrop, IEEE Trans. Electron Devices ED-19, 1231 (1972).
35. M. Nathan, Z. Soshani, G. Ashkinazi, B. Meyler, and O. Zolotarevski, Solid-State Electron. 39, 1457 (1996).
36. N. Dharmarsu, S. Arulkumaran, R. R. Sumathi, P. Jayavel, J. Kumar, P. Magudapathy, and K. G. M. Nair, Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B 140, 119 (1998).
37. W. O. Barnard, G. Myburg, F. D. Auret, S. A. Goodman, and W. E. Meyer, J. Electron. Mater. 25, 1695 (1996).
38. H.-W. Hübers and H. P. Röser, J. Appl. Phys. 84, 5326 (1998).
39. T. U. Kampen and W. Mönch, Appl. Surf. Sci. 117, 388 (1997).
40. A. B. McLean, I. M. Dharmadasa, and R. H. Williams, Semicond. Sci. Technol. 1, 137 (1986).
41. I. M. Dharmadasa, A. B. McLean, M. H. Patterson, and R. H. Williams, Semicond. Sci. Technol. 2, 404 (1987).
42. D. Sands and C. G. Scott, J. Appl. Phys. 77, 3295 (1995).
43. G. Constantinidis, J. Kuzmic, K. Michelakis, and K. Tsagaraki, Solid-State Electron. 42, 253 (1998).
44. K. J. Schoen, J. M. Woodall, J. A. Cooper, Jr., and M. R. Melloch, IEEE Trans. Electron Devices ED-45, 1595 (1998).
45. V. Khemka, T. P. Chow, and R. J. Gutmann, J. Electron. Mater. 27, 1128 (1998).
46. H.-J. Im, B. Kaczer, J. P. Peiz, and W. J. Choyke, Appl. Phys. Lett. 72, 839 (1989); (private communication).
47. M. Tsunoda, K. Fukutani, Y. Murata, H. Yamashita, K. Komaki, and K. Kobayashi, in Formation of Semiconductor Interfaces, edited by B. Lengler, H. Lüth, W. Mönch, and J. Pollmann (World Scientific, Singapore, 1994), p. 162.
48. T. U. Kampen, R. F. Schmitsdorf, and W. Mönch, Appl. Phys. A: Mater. Sci. Process. 60A, 391 (1995).
49. K. Fukutani, H. Iwai, H. Yamashita, Y. Murata, S. Hatori, and K. Kobayashi, Surf. Sci. 377, 1010 (1997).
50. L. N. Pauling, The Nature of the Chemical Bond, 2nd ed. (Cornell University Press, Ithaca, NY, 1960).
51. E. Louis, F. Yndurain, and F. Flores, Phys. Rev. B 13, 4408 (1976).
52. S. G. Louie and M. L. Cohen, Phys. Rev. B 13, 2461 (1976).
53. J. Bardeen, Phys. Rev. 71, 717 (1947).
54. W. Gordy and W. J. O. Thomas, Phys. Rev. 24, 439 (1956).
55. W. Mönch, Appl. Surf. Sci. 92, 367 (1996).
56. A. M. Cowley and S. M. Sze, J. Appl. Phys. 36, 3212 (1965).
57. J. J. Paggel, G. Neuhold, H. Haak, and K. Horn, Surf. Sci. 414, 221 (1998).
58. F. R. de Boer, R. Boom, W. C. M. Mattens, A. R. Miedema, and A. K. Niessen, in Cohesion in Metals, edited by F. R. de Boer and D. G. Pettifor (North-Holland, Amsterdam, 1988), p. 699.
59. R. D. Aburano, H. Hong, J. M. Roesler, K. Chung, D.-S. Lin, P. Zschack, H. Chen, and T.-C. Chiang, Phys. Rev. B 52, 1839 (1995), and articles cited therein.
60. C. A. Lucas and D. Loretto, Surf. Sci. 344, L1219 (1995).
61. P. B. Howes, K. A. Edwards, D. J. Hughes, J. E. Macdonald, T. Hibma, T. Bootsma, and M. A. James, Phys. Rev. B 51, 17740 (1995).
62. W. Mönch, J. Appl. Phys. 80, 5076 (1996).
63. A. Baldereschi, Phys. Rev. B 7, 5212 (1973).
64. D. R. Penn, Phys. Rev. 128, 2093 (1962).
65. J. Tersoff, J. Vac. Sci. Technol. B 4, 1066 (1986), and references cited therein.
66. S. G. Louie, J. R. Chelikowsky, and M. L. Cohen, Phys. Rev. B 15, 2154 (1977).
67. J. Ihm, S. G. Louie, and M. L. Cohen, Phys. Rev. Lett. 40, 1208 (1978).
68. W. E. Spicer, P. E. Gregory, P. W. Chye, J. A. Babaola, and T. Sukegawa, Appl. Phys. Lett. 27, 617 (1975).
69. F. Grunwald, Diploma thesis, Universität Duisburg (1987) (unpublished).
70. T. Sands, V. G. Keramidas, A. J. Yu, K.-M. Yu, R. Gronsky, and J. Washburn, J. Mater. Res. 2, 262 (1987).
71. M. Eyckeler, W. Mönch, T. U. Kampen, R. Dimitrov, O. Ambacher, and M. Stutzmann, J. Vac. Sci. Technol. B 16, 2224 (1998).
72. J. L. Freeouf and J. M. Woodall, Appl. Phys. Lett. 39, 727 (1981).
73. E. R. Weber, H. Ennen, U. Kaufmann, J. Windscheid, and J. Schneider, J. Appl. Phys. 53, 6140 (1982).
74. B. G. Svensson, M. O. Aboelfotoh, and J. L. Lindström, Phys. Rev. Lett. 66, 3028 (1991).
75. W. Mönch, Europhys. Lett. 27, 479 (1994).
76. M. Y. Chou, M. L. Cohen, and S. G. Louie, Phys. Rev. B 32, 7979 (1985).
77. G. P. Das, P. Blöchl, O. K. Anderson, N. E. Christensen, and O. Gunnarsson, Phys. Rev. Lett. 63, 1168 (1989).
78. H. Fujitani and S. Asano, Phys. Rev. B 42, 1696 (1990).
79. S. Ossicini, O. Bisi, and C. M. Bertoni, Phys. Rev. B 42, 5735 (1990).