Room-temperature ALD of metal oxide thin films by energy-enhanced ALD

Chemical Vapor Deposition

Volumn 19, Issue 4-6, 2013, Pages 125-133

  Potts, Stephen E ^a   Profijt, Harald B ^a   Roelofs, Robin ^a   Kessels, Wilhelmus M M ^a  

^a EINDHOVEN UNIVERSITY OF TECHNOLOGY   (Netherlands)

Author keywords

Energy enhanced ALD; Metal oxides; Ozone ALD; Plasma enhanced ALD; Room temperature ALD

Indexed keywords

ENERGY-ENHANCED ALD; METAL ORGANIC PRECURSORS; METAL OXIDE THIN FILMS; METAL OXIDES; PLASMA-ENHANCED ALD; ROOM TEMPERATURE; TEMPERATURE-SENSITIVE; TETRAISOPROPOXIDE;

ALUMINUM; DEPOSITION; FUNCTIONAL MATERIALS; TITANIUM DIOXIDE;

ATOMIC LAYER DEPOSITION;

EID: 84879245801     PISSN: 09481907     EISSN: 15213862     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/cvde.201207033     Document Type: Article

References (72)

1. M. Ritala, J. Niinistö, in Chemical Vapour Deposition: Precursors, Processes and Applications (Eds:, A. C. Jones, M. L. Hitchman,), The Royal Society of Chemistry, Cambridge, UK 2009.
2. S. M. George, Chem. Rev. 2010, 110, 111.
3. S. E. Potts, W. Keuning, E. Langereis, G. Dingemans, M. C. M. van de Sanden, W. M. M. Kessels, J. Electrochem. Soc. 2010, 157, P66.
4. E. Langereis, M. Creatore, S. B. S. Heil, M. C. M. van de Sanden, W. M. M. Kessels, Appl. Phys. Lett. 2006, 89, 081915.
5. W. Keuning, P. van de Weijer, H. Lifka, W. M. M. Kessels, M. Creatore, J. Vac. Sci. Technol. A 2012, 30, 01A131.
6. D. H. Levy, D. Freeman, S. F. Nelson, P. J. Cowdery-Corvan, L. M. Irving, Appl. Phys. Lett. 2008, 92, 192101.
7. S. Bang, S. Lee, S. Jeon, S. Kwon, W. Jeong, H. Kim, I. Shin, H. J. Chang, H. Park, H. Jeon, Semicond. Sci. Technol. 2009, 24, 025008.
8. T. Murata, Y. Miyagawa, Y. Nishida, Y. Yamamoto, T. Yamashita, M. Matuura, K. Asai, H. Miyatake, Jpn. J. Appl. Phys. 2010, 49, 04DB11.
9. J. Beynet, P. Wong, A. Miller, S. Locorotondo, D. Vangoidsenhoven, T.-H. Yoon, M. Demand, H.-S. Park, T. Vandeweyer, H. Sprey, Y.-M. Yoo, M. Maenhoudt, Proc. SPIE 2009, 7520, 75201J.
10. J. Haisma, M. Verheijen, K. van den Heuvel, J. van den Berg, J. Vac. Sci. Technol. B 1996, 14, 4124.
11. J. Viheriälä, J. Tommila, T. Leinonen, M. Dumitrescu, L. Toikkanen, T. Niemi, M. Pessa, Microelectron. Eng. 2009, 86, 321.
12. L. Sainiemi, J. Viheriälä, T. Sikanen, J. Laukkanen, T. Niemi, J. Micromech. Eng. 2010, 20, 077001.
13. C. Peroz, S. Dhuey, M. Cornet, M. Vogler, D. Olynick, S. Cabrini, Nanotechnology 2012, 23, 015305.
14. S. Krause, J. J. Gormley, N. Roman, J. A. Shetter, W. H. Watanabe, J. Polym. Sci, Part A: Gen. Pap. 1965, 3, 3573.
15. C.-Y. Chang, F.-Y. Tsai, S.-J. Jhuo, M.-J. Cheng, Org. Electron. 2008, 9, 667.
16. M. D. Groner, F. H. Fabreguette, J. W. Elam, S. M. George, Chem. Mater. 2004, 16, 639.
17. E. Guziewicz, I. A. Kowalik, M. Godlewski, K. Kopalko, V. Osinniy, A. Wõjcik, S. Yatsunenko, E. Łusakowska, W. Paszkowicz, M. Guziewicz, J. Appl. Phys. 2008, 103, 033515.
18. D. M. King, X. Liang, P. Li, A. W. Weimer, Thin Solid Films 2008, 516, 8517.
19. K.-E. Elers, T. Blomberg, M. Peussa, B. Aitchison, S. Haukka, S. Marcus, Chem. Vap. Deposition 2006, 12, 13.
20. P. Poodt, R. Knaapen, A. Illiberi, F. Roozeboom, A. van Asten, J. Vac. Sci. Technol. A 2012, 30, 01A142.
21. T. Nam, J.-M. Kim, M.-K. Kim, H. Kim, W.-H. Kim, J. Korean Phys. Soc. 2011, 59, 452.
22. S. K. Kim, S. W. Lee, C. S. Hwang, Y.-S. Min, J. Y. Won, J. Jong, J. Electrochem. Soc. 2006, 153, F69.
23. J. L. van Hemmen, S. B. S. Heil, J. H. Klootwijk, F. Roozeboom, C. J. Hodson, M. C. M. van de Sanden, W. M. M. Kessels, J. Electrochem. Soc. 2007, 154, G165.
24. S. B. S. Heil, J. L. van Hemmen, M. C. M. van de Sanden, W. M. M. Kessels, J. Appl. Phys. 2008, 103, 103302.
25. E. Langereis, M. Bouman, J. Keijmel, S. B. S. Heil, M. C. M. van de Sanden, W. M. M. Kessels, ECS Trans. 2008, 16, 247.
26. E. Langereis, J. Keijmel, M. C. M. van de Sanden, W. M. M. Kessels, Appl. Phys. Lett. 2008, 92, 231904.
27. A. Niskanen, K. Arstila, M. Ritala, M. Leskelä, J. Electrochem. Soc. 2005, 152, F90.
28. X. Tang, L. A. Francis, P. Simonis, M. Haslinger, R. Delamare, O. Deschaume, D. Flandre, P. Defrance, A. M. Jonas, J. P. Vigneron, J. P. Raskin, J. Vac. Sci. Technol. A 2012, 30, 01A146.
29. S. E. Potts, G. Dingemans, C. Lachaud, W. M. M. Kessels, J. Vac. Sci. Technol. A 2012, 30, 021505.
30. M. Putkonen, L. Niinistö, Thin Solid Films 2006, 514, 145.
31. J. W. Klaus, S. M. George, Surf. Sci. 2000, 447, 81.
32. J. D. Ferguson, E. R. Smith, A. W. Weimer, S. M. George, J. Electrochem. Soc. 2004, 151, G528.
33. W. Gasser, Y. Uchida, M. Matsumura, Thin Solid Films 1994, 250, 213.
34. C.-S. Ku, J.-M. Huang, C.-M. Lin, H.-Y. Lee, Thin Solid Films 2009, 518, 1373.
35. Y.-M. Chang, J. Shieh, P.-Y. Chu, H.-S. Lee, C.-M. Lin, J.-Y. Juang, ACS Appl. Mater. Interfaces 2011, 3, 4415.
36. B. H. Lee, S. Cho, J. K. Hwang, S. H. Kim, M. M. Sung, Thin Solid Films 2010, 518, 6432.
37. W. M. M. Kessels, H. B. Profijt, S. E. Potts, M. C. M. van de Sanden, in Atomic Layer Deposition of Nanostructured Materials (Eds:, M. Knez, N. Pinna,), Wiley-VCH, Weinheim 2011.
38. W. M. M. Kessels, M. Putkonen, MRS Bull. 2011, 36, 907.
39. H. B. Profijt, S. E. Potts, M. C. M. van de Sanden, W. M. M. Kessels, J. Vac. Sci. Technol. A 2011, 29, 050801.
40. S. K. Kim, S. Hoffmann-Eifert, R. Waser, Electrochem. Solid-State Lett. 2011, 14, H146.
41. S. Y. No, D. Eom, C. S. Hwang, H. J. Kim, J. Electrochem. Soc. 2006, 153, F87.
42. M. Tsuchiya, S. K. R. S. Sankaranarayanan, S. Ramanathan, Prog. Mater. Sci. 2009, 54, 981.
43. H. Shimizu, K. Sadoka, T. Momose, M. Koshi, Y. Shimogaki, J. Vac. Sci. Technol. A 2012, 30, 01A144.
44. R. L. Puurunen, J. Appl. Phys. 2005, 97, 121301.
45. G. Dingemans, C. A. A. van Helvoirt, D. Pierreux, W. Keuning, W. M. M. Kessels, J. Electrochem. Soc. 2012, 159, H277.
46. E. Langereis, S. B. S. Heil, H. C. M. Knoops, W. Keuning, M. C. M. van de Sanden, W. M. M. Kessels, J. Phys. D: Appl. Phys. 2009, 42, 073001.
47. D. M. Goldstein, J. A. McCormick, S. M. George, J. Phys. Chem. C 2008, 112, 19530.
48. V. R. Rai, S. Agarwal, J. Phys. Chem. C 2008, 112, 9552.
49. V. R. Rai, S. Agarwal, J. Phys. Chem. C 2009, 113, 12962.
50. V. R. Rai, V. Vandalon, S. Agarwal, Langmuir 2010, 26, 13732.
51. V. R. Rai, V. Vandalon, S. Agarwal, Langmuir 2012, 28, 350.
52. V. Verlaan, L. R. J. G. van den Elzen, G. Dingemans, M. C. M. van de Sanden, W. M. M. Kessels, Phys. Status Solidi C 2010, 7, 976.
53. T. Suntola, Mater. Sci. Rep. 1989, 4, 261.
54. R. L. Puurunen, Appl. Surf. Sci. 2005, 245, 6.
55. S. Haukka, E.-L. Lakomaa, T. Suntola, Appl. Surf. Sci. 1994, 82/83, 548.
56. S. Haukka, T. Suntola, Interface Sci. 1997, 5, 119.
57. L. T. Zhuravlev, Colloids Surf. A 2000, 173, 1.
58. M. Fulem, K. Růžička, V. Růžička, E. Hulicius, T. Šimeček, K. Melichar, J. Pangrác, S. A. Rushworth, L. M. Smith, J. Cryst. Growth 2003, 248, 99.
59. K. L. Siefering, G. L. Griffin, J. Electrochem. Soc. 1990, 137, 1206.
60. H. C. M. Knoops, E. Langereis, M. C. M. van de Sanden, W. M. M. Kessels, J. Electrochem. Soc. 2010, 157, G241.
61. H. C. M. Knoops, J. W. Elam, J. A. Libera, W. M. M. Kessels, Chem. Mater. 2011, 23, 2381.
62. B. B. Burton, S. W. Kang, S. W. Rhee, S. M. George, J. Phys. Chem. C 2009, 113, 8249.
63. M. Ritala, M. Leskelä, L. Niinistö, P. Haussalo, Chem. Mater. 1993, 5, 1174.
64. A. Rahtu, T. Alaranta, M. Ritala, Langmuir 2001, 17, 6506.
65. W. M. Haynes, in CRC Handbook of Chemistry and Physics, CRC, Boca Raton 2012.
66. th Int. Conf. on Atomic Layer Deposition 2008, 106.
67. B. Han, Q. Zhang, J. Wu, B. Han, E. J. Karwacki, A. Derecskei, M. Xiao, X. Lei, M. L. O'Neill, H. Cheng, J. Phys. Chem. C 2012, 116, 947.
68. J. Li, J. Wu, C. Zhou, B. Han, E. J. Karwacki, M. Xiao, X. Lei, H. Cheng, J. Phys. Chem. C 2009, 113, 9731.
69. Y.-W. Kim, D.-H. Kim, Kor. J. Chem. Eng. 2012, 29, 969.
70. S. Haukka, at Baltic ALD Conference 2010, 84.
71. M. A. Malik, N. O'Brien, in Chemical Vapour Deposition: Precursors, Processes and Applications (Eds:, A. C. Jones, M. L. Hitchman,), The Royal Society of Chemistry, Cambridge, UK 2009.
72. S. B. S. Heil, J. L. van Hemmen, C. J. Hodson, N. Singh, J. H. Klootwijk, F. Roozeboom, M. C. M. van de Sanden, W. M. M. Kessels, J. Vac. Sci. Technol. A 2007, 25, 1357.