Property changes of aluminum oxide thin films deposited by atomic layer deposition under photon radiation

Journal of the Electrochemical Society

Volumn 153, Issue 6, 2006, Pages

  No, Sang Yong ^a   Eom, Dail ^a   Hwang, Cheol Seong ^a   Kim, Hyeong Joon ^a  

^a Seoul National University   (South Korea)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ALUMINA; CURRENT DENSITY; DEPOSITION; ELECTRON TUNNELING; LEAKAGE CURRENTS; PHOTONIC PROPULSION;

ATOMIC LAYER DEPOSITION; ELECTRON BARRIERS; PHOTON RADIATION; STRUCTURAL CHANGE;

THIN FILMS;

EID: 33646386670     PISSN: 00134651     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1149/1.2186179     Document Type: Article

References (51)

1. P. S. Peercy, Nature (London), 406, 1023 (2000).
2. A. I. Kingon, J.-P. Maria, and S. K. Streiffer, Nature (London), 406, 1032 (2000).
3. International Technology Roadmap for Semiconductors, http://public.itrs. net/
4. J. H. Lee, K. Koh, N. I. Lee, M. H. Cho, Y. K. Kim, J. S. Jeon, K. H. Cho, H. S. Shin, M. H. Kim, K. Fujihara, H. K. Kang, and J. T. Moon, Tech. Dig. - Int. Electron Devices Meet., 2000, 645.
5. D. A. Buchanan, E. P. Gusev, E. Cartier, H. Okorn-Schmidt, K. Rim, M. A. Gribelyuk, A. Mocuta, A. Ajmera, M. Copel, S. Guha, N. Bojarczuk, A. Callegari, C. D'Emic, P. Kozlowski, K. Chan, R. J. Fleming, P. C. Jamison, J. Brown, and R. Arndt, Tech. Dig. - Int. Electron Devices Meet., 2000, 223.
6. Y. Fujisaki, K. Iseki, H. Ishiwara, M. Mao, and R. Bubber, Appl. Phys. Lett., 82, 3931 (2003).
7. I.-S. Park, B. T. Lee, S. J. Choi, J. S. Im, S. H. Lee, K. Y. Park, J. W. Lee, Y. W. Hyung, Y. K. Kim, H. S. Park, Y. W. Park, S. I. Lee, and M. Y. Lee, VLSI Technology Digest, p. 42 (2000).
8. H. Seidl, M. Gutsche, U. Schroeder, A. Birner, T. Hecht, S. Jakshik, J. Luetzen, M. Kerber, S. Kudelka, T. Popp, A. Orth, H. Reisinger, A. Saenger, K. Schupke, and B. Sell, Tech. Dig. - Int. Electron Devices Meet., 2002, 839.
9. F. Fishburn, R. Kauffman, R. Lane, T. McDaniel, K. Schofield, S. Southwick, R. Turi, and H. Wang, VLSI Technology Digest, p. 75 (2003).
10. M. Cho, H. B. Park, J. Park, C. S. Hwang, J.-C. Lee, S.-J. Oh, J. Jeong, K. S. Hyun, H.-S. Kang, Y.-W. Kim, and J.-H. Lee, J. Appl. Phys., 94, 2563 (2003).
11. J. Lee, Y. Ahn, Y. Park, M. Kim, D. Lee, K. Lee, C. Cho, T. Chung, and K. Kim, VLSI Technology Digest, p. 57 (2003).
12. X.-B. Lu, Z.-G. Liu, Y.-P. Wang, Y. Yang, X.-P. Wang, H.-W. Zhou, and B.-Y. Nguyen, J. Appl. Phys., 94, 1229 (2003).
13. R. A. B. Devine, J. Appl. Phys., 93, 9938 (2003).
14. M. Ishida, K. Sawada, S. Yamaguchi, T. Nakamura, and T. Suzaki, Appl. Phys. Lett., 55, 56 (1989).
15. E. Fredriksson and J. O. Carlson, Chem. Vap. Deposition, 1, 333 (1993).
16. C. J. Kang, J. S. Chun, and W. J. Lee, Thin Solid Films, 189, 161 (1990).
17. S. Zhu, F. Wang, H. Lou, and W. Wu, Surf. Coat. Technol., 71, 9 (1995).
18. S. K. Kim and C. S. Hwang, J. Appl. Phys., 96, 2323 (2004).
19. A. W. Ott, K. C. McCarly, J. W. Klaus, J. D. Way, and S. M. George, Appl. Surf. Sci., 107, 128 (1996).
20. S. Thomas and P. M. A. Sherwood, Anal. Chem., 64, 2488 (1992).
21. D. R. Biswas, C. Ghosh, and R. L. Layman, J. Electrochem. Soc., 130, 234 (1983).
22. Y. Zhang and M. Stuke, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2, 27, L1349 (1988).
23. I. P. Herman, Chem. Rev. (Washington, D.C.), 89, 1323 (1989).
24. G. S. Higashi and L. J. Rothberg, Appl. Phys. Lett., 47, 1288 (1985).
25. M. A. Henderson, Surf. Sci. Rep., 46, 1 (2002).
26. R. F. Klie, N. D. Browning, A. Roy Chowdhuri, and C. G. Takoudis, Appl. Phys. Lett., 83, 1187 (2003).
27. L. G. Gosset, J.-F. Damlencourt, O. Renault, D. Rouchon, Ph. Holliger, A. Ermolieff, I. Trimaille, J.-J. Ganem, F. Martin, and M.-N. Śḿria, J. Non-Cryst. Solids, 303, 17 (2002).
28. T. R. Gow, R. Lin, L. A. Cadwell, F. Lee, A. L. Backman, and R. I. Masel, Chem. Mater., 1, 406 (1989).
29. M. R. Alexander, G. E. Thompson, and G. Beamson, Surf. Interface Anal., 29, 468 (2000).
30. M. R. Alexander, S. Payan, and T. M. Duc, Surf. Interface Anal., 26, 960 (1998).
31. B. C. Lippens and J. J. Steggerda, Physical and Chemical Aspects of Adsorbents and Catalysts, Chap., Academic Press, New York (1970).
32. L. M. Terman, Solid-State Electron., 5, 285 (1962).
33. M. Koh, W. Mizubayashi, K. Iwamoto, H. Murakami, T. Ono, M. Tsuno, T. Mihara, K. Shibahara, S. Miyazaki, and M. Hirose, IEEE Trans. Electron Devices, 48, 259 (2001).
34. Y. H. Wu, M. Y. Yang, A. Chin, W. J. Chen, and C. M. Kwei, IEEE Electron Device Lett., 21, 341 (2000).
35. M. D. Groner, J. W. Elam, F. H. Fabreguette, and S. M. George, Thin Solid Films, 413, 186 (2002).
36. S. Meng, C. Basceri, B. W. Busch, G. Derderian, and G. Sandhu, Appl. Phys. Lett., 83, 4429 (2003).
37. D. K. Schröder, Semiconductor Material and Device Characterization, John Wiley & Sons, New York (1988).
38. Q. Q. Shu and W. G. Ma, Appl. Phys. Lett., 61, 2542 (1992).
39. M. Specht, M. Städele, S. Jakschik, and U. Schröder, Appl. Phys. Lett., 84, 3076 (2004).
40. Y. Yourdshahyan, C. Ruberto, L. Bengtsson, and B. I. Lundqvist, Phys. Rev. B, 56, 8553 (1997).
41. C. N. Berglund, IEEE Trans. Electron Devices, 13, 701 (1966).
42. J. K. Schaeffer, L. R. C. Fonseca, S. B. Samavedam, Y. Liang, P. J. Tobin, and B. E. White, Appl. Phys. Lett., 85, 1826 (2004).
43. R. S. Johnson, G. Lucovsky, and I. Baumvol, J. Vac. Sci. Technol. A, 19, 1353 (2001).
44. E. A. Kraut, R. W. Grant, J. R. Waldrop, and S. P. Kowalczyk, Phys. Rev. Lett., 44, 1620 (1980).
45. E. T. Yu, E. T. Croke, T. C. McGill, and R. H. Miles, Appl. Phys. Lett., 56, 569 (1990).
46. S. A. Chambers, T. Liang, Z. Yu, R. Droopad, J. Ramdani, and K. Eisenbeiser, Appl. Phys. Lett., 77, 1662 (2000).
47. S. A. Chambers, T. Liang, Z. Yu, R. Droopad, and J. Ramdani, J. Vac. Sci. Technol. A, 19, 934 (2001).
48. L. F. Edge, D. G. Schlom, S. A. Chambers, E. Cicerrella, J. L. Freeouf, B. Holländer, and J. Schubert, Appl. Phys. Lett., 84, 726 (2004).
49. K. S. Shamala, L. C. S. Murthy, and K. Narasimha Rao, Mater. Sci. Eng., B, 106, 269 (2004).
50. R. H. French, J. Am. Ceram. Soc., 73, 477 (1990).
51. H. Nohira, W. Tsai, W. Besling, E. Young, J. Petry, T. Conard, W. Vandervorst, S. De Gendt, M. Heyns, J. Maes, and M. Tuominen, J. Non-Cryst. Solids, 303, 83 (2002).