Cathode encapsulation of organic light emitting diodes by atomic layer deposited Al 2O 3 films and Al 2O 3/a-SiN x:H stacks

Journal of Vacuum Science and Technology A: Vacuum, Surfaces and Films

Volumn 30, Issue 1, 2012, Pages

  Keuning, W ^a   Van De Weijer, P ^b   Lifka, H ^b   Kessels, W M M ^a   Creatore, M ^a  

^a EINDHOVEN UNIVERSITY OF TECHNOLOGY   (Netherlands)

^b PHILIPS RESEARCH LABORATORIES   (Netherlands)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ATOMIC LAYER DEPOSITED; BARRIER LAYERS; CATHODE PARTICLES; PLASMA-ENHANCED ATOMIC LAYER DEPOSITION; ROOM TEMPERATURE; SILICON NITRIDE FILM; TEST MEASUREMENTS; WATER VAPOR PERMEATION; WATER VAPOR TRANSMISSION RATE;

ALUMINUM; ATOMIC LAYER DEPOSITION; CATHODES; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; DEPOSITION; LIGHT EMISSION; PLASMA DEPOSITION; PLASMA ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; SEMICONDUCTING SILICON COMPOUNDS; SILICON NITRIDE; WATER VAPOR;

ORGANIC LIGHT EMITTING DIODES (OLED);

EID: 84855585959     PISSN: 07342101     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1116/1.3664762     Document Type: Article

References (28)

1. P. E. Burrows, G. L. Graff, M. E. Gross, P. M. Martin, M. K. Shi, M. Hall, E. Mast, C. Bonham, W. Bennett, and M. B. Sullivan, Displays 22, 65 (2001). 10.1016/S0141-9382(00)00064-0 (Pubitemid 32457518)
2. F. J. H. van Assche, R. T. Vangheluwe, J. W. C. Maes, W. S. Mischke, M.D. Bijker, F. C. Dings, M. F. J. Evers, W. M. M. Kessels, and M. C. M. van de Sanden, Proc. Soc. Inf. Displays 695 (2004).
3. J. S. Lewis and M. S. Weaver, IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron. 10, 1 (2004). 10.1109/JSTQE.2004.824070
4. A. M. B. van Mol, P. van de Weijer, and C. Tanase, Proc. SPIE 6999, 46 (2008).
5. C. W. T. Bulle-Lieuwma and P. van de Weijer, Appl. Surf. Sci. 252, 6597 (2006). 10.1016/j.apsusc.2006.02.103 (Pubitemid 44233781)
6. J. H. Burroughes, D. D. C. Bradley, A. R. Brown, R. N. Marks, K. Mackay, R. H. Friend, P. L. Burns, and A. B. Holmes, Nature 347, 539 (1990). 10.1038/347539a0
7. S. M. George, Chem. Rev. 110, 111 (2010). 10.1021/cr900056b
8. H.B. Profijt, S. E. Potts, M. C. M. van de Sanden, and W. M. M. Kessels, J. Vac. Sci. Technol. A 29, 050801 (2011). 10.1116/1.3609974
9. S. B. S. Heil, J. L. van Hemmen, M. C. M. van de Sanden, and W. M. M. Kessels, J. Appl. Phys. 103, 103302 (2008). 10.1063/1.2924406 (Pubitemid 351776438)
10. P. F. Carcia, R. S. McLean, M. D. Groner, A. A. Dameron, and S. M. George, J. Appl. Phys. 106, 023533 (2009). 10.1063/1.3159639
11. A. A. Dameron, S. D. Davidson, B. B. Burton, P. F. Carcia, R. S. McLean, and S. M. George, J. Phys. Chem. C 112, 4573 (2008). 10.1021/jp076866
12. E. Langereis, M. Creatore, S. B. S. Heil, M. C. M. Van de Sanden, and W.M. M. Kessels, Appl. Phys. Lett. 89, 081915 (2006). 10.1063/1.2338776 (Pubitemid 44286139)
13. A. P. Ghosh, L. J. Gerenser, C. M. Jarman, and J. E. Fornalik, Appl. Phys. Lett. 86, 223503 (2005). 10.1063/1.1929867 (Pubitemid 40861631)
14. J. Meyer, D. Schneidenbach, T. Winkler, S. Hamwi, T. Weimann, P. Hinze, S. Ammermann, H. -H. -H. Johannes, T. Riedl, and W. Kowalsky, Appl. Phys. Lett. 94, 233305 (2009). 10.1063/1.3153123
15. M. D. Groner, S. M. George, R. S. McLean, and P. F. Carcia, Appl. Phys. Lett. 88, 051907 (2006). 10.1063/1.2168489 (Pubitemid 43190860)
16. S. H. K. Park, J. Oh, C. S. Hwang, J. I. Lee, Y. S. Yang, and H. Y. Chu, Electrochem. Solid-State Lett. 8, H21 (2005). 10.1149/1.1850396 (Pubitemid 40214051)
17. C. Y. Chang, C. T. Chou, Y. J. Lee, M. J. Chen, and F. Y. Tsai, Org. Electron. 10, 1300 (2009). 10.1016/j.orgel.2009.07.008
18. G. L. Graff, R. E. Williford, and P. E. Burrows, J. Appl. Phys. 96, 1840 (2004). 10.1063/1.1768610
19. J. L. van Hemmen, S. B. S. Heil, J. H. Klootwijk, F. Roozeboom, C. J. Hodson, M. C. M. van de Sanden, and W. M. M. Kessels, J. Electrochem. Soc. 154, G165 (2007). 10.1149/1.2737629 (Pubitemid 46872260)
20. S. E. Potts, W. Keuning, E. Langereis, G. Dingemans, M. C. M. van de Sanden, and W. M. M. Kessels, J. Electrochem. Soc. 157, P66 (2010). 10.1149/1.3428705
21. E. Langereis, J. Keijmel, M. C. M. van de Sanden, and W. M. M. Kessels, Appl. Phys. Lett. 92, 231904 (2008). 10.1063/1.2940598
22. G. Nisato, P. Bouten, P. Slikkerveer, W. Bennett, G. Graf, N. Rutherford, and L. Wiese, Proc. Asia Display 1435 (2001).
23. G. Nisato, M. Kuilder, P. Bouten, L. Moro, O. Philips, and N. Rutherford, SID Int. Symp. Dig. Technol. 34, 550 (2003). 10.1889/1.1832335
24. P. van de Weijer, G. Rietjens, C. Tanase, H. Lifka, J. Michels, F. J. H. van Assche, and T. van Mol, Proceedings of OSC, 2008 (unpublished).
25. J. Meyer, P. Görrn, F. Bertram, S. Hamwi, T. Winkler, H.-H. Johannes, T. Weimann, P. Hinze, T. Riedl, and W. Kowalsky, Adv. Mater. 21, 1845 (2009). 10.1002/adma.200803440
26. P. F. Carcia, R. S. McLean, M. H. Reilly, M. D. Groner, and S. M. George, Appl. Phys. Lett. 89, 031915 (2006). 10.1063/1.2221912 (Pubitemid 44107043)
27. M. Schaepkens, T. W. Kim, A. G. Erlat, M. Yan, K. W. Flanagan, C. M. Heller, and P. A. McConnellee, J. Vac. Sci. Technol. A 22, 1716 (2004). 10.1116/1.1705646
28. T. W. Kim, M. Yan, A. G. Erlat, P. A. McConnelee, M. Pellow, J. Deluca, T. P. Feist, A. R. Duggal, and M. Schaepkens, J. Vac. Sci. Technol. A 23, 971 (2005). 10.1116/1.1913680 (Pubitemid 43119235)