Recent advances in processing of ZnO

Journal of Vacuum Science and Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures

Volumn 22, Issue 3, 2004, Pages 932-948

  Pearton, S J ^a   Norton, D P ^a   Ip, K ^a   Heo, Y W ^a   Steiner, T ^b  

^a University of Florida   (United States)

^b AIR FORCE OFFICE OF SCIENTIFIC RESEARCH   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ACOUSTIC SURFACE WAVE DEVICES; ELECTRON MOBILITY; FERROMAGNETISM; GAS SENSING ELECTRODES; HALL EFFECT; ION IMPLANTATION; LIGHT EMITTING DIODES; PHOTOLUMINESCENCE; PLASMA ETCHING; SEMICONDUCTOR MATERIALS; THERMAL EFFECTS; TRANSITION METALS; ULTRAVIOLET RADIATION;

BIODETECTION; ELECTRON HYBRIDS; PHOTONICS; SOLID-STATE LIGHTING;

ZINC OXIDE;

EID: 3242724267     PISSN: 10711023     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1116/1.1714985     Document Type: Review

References (164)

1. D. C. Look, Mater. Sci. Eng., B 80, 383 (2001).
2. M. Wraback, H. Shen, S. Liang, C. R. Gorla, and Y. Lu, Appl. Phys. Lett. 74, 507 (1999).
3. J.-M. Lee, K.-K. Kim, S.-J. Park, and W.-K. Choi, Appl. Phys. Lett. 78, 2842 (2001).
4. J. E. Nause, III-V's Review 12, 28 (1999).
5. Y. Chen, D. Bagnell, and T. Yao, Mater. Sci. Eng., B 75, 190 (2000).
6. D. C. Look, D. C. Reynolds, J. W. Hemsky, R. L. Jones, and J. R. Sizelove, Appl. Phys. Lett. 75, 811 (1999).
7. D. C. Look, J. W. Hemsky, and J. R. Sizelove, Phys. Rev. Lett. 82, 2552 (1999).
8. F. D. Auret, S. A. Goodman, M. Hayes, M. J. Legodi, H. A. van Laarhoven, and D. C. Look, Appl. Phys. Lett. 80, 956 (2002).
9. S. O. Kucheyev, J. E. Bradley, J. S. Williams, C. Jagadish, and M. V. Swain, Appl. Phys. Lett. 80, 956 (2002).
10. M. Wraback, H. Shen, S. Liang, C. R. Gorla, and Y. Lu, Appl. Phys. Lett. 76, 507 (1999).
11. T. Aoki, D. C. Look, and Y. Hatanaka, Appl. Phys. Lett. 76, 3257 (2000).
12. P. M. Verghese and D. R. Clarke, J. Appl. Phys. 87, 4430 (2000).
13. C. R. Gorla, N. W. Emanetoglu, S. Liang, W. E. Mayo, Y. Lu, M. Wraback, and H. Shen, J. Appl. Phys. 85, 2595 (1999).
14. H. Ohta, K. Kawamura, M. Orita, M. Hirano, N. Sarukura, and H. Hosono, Appl. Phys. Lett. 77, 475 (2000).
15. M. Joseph, H. Tabata, and T. Kawai, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 38, L1205 (1999).
16. S. Krishnamoorthy, A. A. Iliadis, A. Inumpudi, S. Choopun, R. D. Vispute and T. Venkatesan, Solid-State Electron. 46, 1631 (2002).
17. Y. Li, G. S. Tompa, S. Liang, C. Gorla, C. Lu, and J. Doyle, J. Vac. Sci. Technol. A 15, 1663 (1997).
18. See, for example, the discussion at http://ncsr.csci-va.com/materials/ zno.asp
19. D. W. Palmer, http://www.semiconductors.co.uk, 2002.06
20. L. K. Singh and H. Mohan, Indian J. Pure Appl. Phys. 13, 486 (1975).
21. A. R. Hutson, Phys. Rev. 108, 222 (1957).
22. D. C. Look, J. W. Hemsky, and J. R. Sizelove, Phys. Rev. Lett. 82, 2552 (1999).
23. B. J. Jin, S. H. Bae, S. Y. Lee, and S. Im, Mater. Sci. Eng., B 71, 301 (2000).
24. D. M. Hofmann, A. Hofstaetter, F. Leiter, H. Zhou, F. Henecker, B. K. Meyer, S. B. Orlinskii, J. Schmidt, and P. G. Baranov, Phys. Rev. Lett. 88, 045504/1-4 (2002).
25. C. G. Van de Walle, Phys. Status Solidi B 229, 221 (2002).
26. S. F. J. Cox, E. A. Davis, P. J. C. King, J. M. Gil, H. V. Alberto, R. C. Vilao, J. Piroto Duarte, N. A. De Campos, and R. L. Lichti, J. Phys.: Condens. Matter 13, 9001 (2001).
27. C. G. Van de Walle, Phys. Rev. Lett. 85, 1012 (2000).
28. J. Gutowski, N. Presser, and I. Broser, Phys. Rev. B 38, 9746 (1988).
29. S. Bethke, H. Pan, and B. W. Wessels, Appl. Phys. Lett. 52, 138 (1988).
30. B. J. Jin, S. H. Bae, S. Y. Lee, and S. Im, Mater. Sci. Eng., B 71, 301 (2000).
31. B. J. Jin, S. Im, and S. Y. Lee, Thin Solid Films 366, 107 (2000).
32. D. M. Bagnall, Y. F. Chen, M. Y. Shen, Z. Zhu, T. Goto, and T. Yao, J. Cryst. Growth 184, 605 (1998).
33. E. G. Bylander, J. Appl. Phys. 49, 1188 (1978).
34. N. Riehl and O. Ortman, Z. Elektrochem. 60, 149 (1952).
35. F. A. Kröger and H. J. Vink, J. Chem. Phys. 22, 250 (1954).
36. I. Y. Prosanov and A. A. Politov, Inorg. Mater. 31, 663 (1995).
37. N. Y. Garces, L. Wang, L. Bai, N. C. Giles, L. E. Halliburton, and G. Cantwell, Appl. Phys. Lett. 81, 622 (2002).
38. H.-J. Egelhaaf and D. Oelkrug, J. Cryst. Growth 161, 190 (1996).
39. D. Hahn and R. Nink, Physik Cond. Mater. 3, 311 (1965).
40. M. Liu, A. H. Kitai, and P. Mascher, J. Lumin. 54, 35 (1992).
41. D. B. Laks, C. G. Van de Walle, G. F. Neumark, and S. T. Pantelides, Appl. Phys. Lett. 63, 1375 (1993).
42. A. Valentini, F. Quaranta, M. Rossi, and G. Battaglin, J. Vac. Sci. Technol. A 9, 286 (1991).
43. A. Onedera, N. Tamaki, K. Jin, and H. Yamashita, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 36, 6008 (1997).
44. G. Weise, E. M. Fechner, G. Owsian, and D. Kraut, Thin Solid Films 32, 87 (1976).
45. P. H. Kasai, Phys. Rev. 130, 989 (1963).
46. H. Wolk, S. Deubler, D. Forkel, H. Foettinger, M. Iwatschenko-Borho, F. Meyer, M. Renn, W. Witthuhn, and R. Helbig, Mater. Sci. Forum 10, 863 (1986).
47. T. Nagata, T. Shimura, Y. Nakano, A. Ashida, N. Fujimura, and T. Ito, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 40, 5615 (2001).
48. C. H. Park, S. B. Zhang, and Wei Su-Huai, Phys. Rev. B 66, 073202/1-3 (2002).
49. T. Yamamoto and H. Katayama-Yoshida, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 38, L166 (1999).
50. N. Y. Garces, N. C. Giles, L. E. Halliburton, G. Cantwell, D. B. Eason, D. C. Reynolds, and D. C. Look, Appl. Phys. Lett. 80, 1334 (2002).
51. K. Minegishi, Y. Koiwai, Y. Kikuchi, K. Yano, M. Kasuga, and A. Shimizu, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 36, L1453 (1997).
52. X.-L. Guo, H. Tabata, and T. Kawai, J. Cryst. Growth 223, 135 (2001).
53. C. Rouleau, S. Kang, and D. Lowndes (unpublished).
54. K. Iwata, P. Fons, A. Yamada, K. Matsubara, and S. Niki, J. Cryst. Growth 209, 526 (2000).
55. Y. Yan, S. B. Zhang, and S. T. Pantelides, Phys. Rev. Lett. 86, 5723 (2001).
56. D. C. Look, D. C. Reynolds, C. W. Litton, R. L. Jones, D. B. Eason, and G. Cantwell, Appl. Phys. Lett. 81, 1830 (2002).
57. K.-K. Kim, H.-S. Kim, D.-K. Hwang, J.-H. Lim, and S.-J. Park, Appl. Phys. Lett. 83, 63 (2003).
58. Y. W. Heo, S. J. Park, K. Ip, S. J. Pearton, and D. P. Norton, Appl. Phys. Lett. 83, 1128 (2003).
59. T. Aoki, Y. Hatanaka, and D. C. Look, Appl. Phys. Lett. 76, 3257 (2000).
60. Y. R. Ryu, S. Zhu, D. C. Look, J. M. Wrobel, H. M. Jeong, and H. W. White, J. Cryst. Growth 216, 330 (2000).
61. E.-C. Lee, Y.-S. Kim, Y.-G. Jin, and K. J. Chang, Physica B 308, 912 (2001).
62. N. Ohashi, T. Ishigaki, N. Okada, T. Sekiguchi, I. Sakaguchi, and H. Haneda, Appl. Phys. Lett. 80, 2869 (2002).
63. B. Theys, V. Sallet, F. Jomard, A. Lusson, J.-F. Rommeluere, and Z. Teukam, J. Appl. Phys. 91, 3922 (2002).
64. E.-C. Lee, Y.-S. Kim, Y.-G. Jin, and K. J. Chang, Phys. Rev. B 64, 085120/1-5 (2001).
65. S. B. Zhang, S.-H. Wei, and A. Zunger, Phys. Rev. B 63, 075205/1-7 (2001).
66. Y. Heo, K. Ip, S. J. Park, S. J. Pearton, and D. P. Norton, Appl. Phys. A: Mater. Sci. Forum 78, 53 (2003); Appl. Phys. Lett. 83, 1128 (2003).
67. Y. Heo, K. Ip, S. J. Park, S. J. Pearton, and D. P. Norton, Appl. Phys. A: Mater. Sci. Forum 78, 53 (2003); Appl. Phys. Lett. 83, 1128 (2003).
68. S. O. Kucheyev, C. Jagadish, J. S. Williams, P. N. K. Deenapanray, M. Yano, K. Koike, S. Sasa, M. Inoue, and K. Ogata, J. Appl. Phys. 93, 2972 (2003).
69. S. O. Kueheyev, P. N. L. Deenapanray, C. Jagadish, J. S. Williams, M. Yano, K. Kioke, S. Sasa, M. Inoue, and K. Ogata, Appl. Phys. Lett. 83, 3350 (2002).
70. Y. Li, G. S. Tompa, S. Liang, C. Gorla, C. Lu, and J. Doyle, J. Vac. Sci. Technol. A 15, 1663 (1997).
71. J. G. E. Gardeniers, Z. M. Rittersma, and G. J. Burger, J. Appl. Phys. 83, 7844 (1998).
72. J.-M. Lee, K.-M. Chang, K.-K. Kim, W.-K. Choi, and S. J. Park, J. Electrochem. Soc. 148, G1 (2001).
73. J.-M. Lee, K.-K. Kim, S.-J. Park, and W.-K. Park, Appl. Phys. Lett. 78, 3842 (2001).
74. W. T. Lim, I. K. Baek, J. W. Lee, E. S. Lee, M. H. Jeon, G. S. Cho, Y. W. Heo, D. P. Norton, and S. J. Pearton, Appl. Phys. Lett. 83, 3105 (2003).
75. H. K. Kim, J. W. Bae, T. K. Kim, T. Y. Seong, and I. Adesida, J. Vac. Sci. Technol. B 21, 1273 (2003)
76. K. Ip, K. Baik, M. E. Overberg, E. S. Lambers, Y. W. Heo, D. P. Norton, S. J. Pearton, F. Ren, and J. M. Zavada, Appl. Phys. Lett. 81, 3546 (2002).
77. C. Steinbruchel, Appl. Phys. Lett. 55, 1960 (1989).
78. A. A. Iliadis, R. D. Vispute, T. Venkatesan, and K. A. Jones, Thin Solid Films 420, 478 (2002).
79. V. Hoppe, D. Stachel, and D. Beyer, Phys. Scr., T 57, 122 (1994).
80. A. Inumpudi, A. A. Iliadis, S. Krishnamoorthy, S. Choopun, R. D. Vispute, and T. Venkatesan, Solid-State Electron. 46, 1665 (2002).
81. H.-K. Kim, S.-H. Han, T.-Y. Seong, and W.-K. Choi, Appl. Phys. Lett. 77, 1647 (2000).
82. H.-K. Kim, S.-H. Han, T.-Y. Seong, and W.-K. Choi, J. Electrochem. Soc. 148, G114 (2001).
83. T. Akane, K. Sugioka, and K. Midorikawa, J. Vac. Sci. Technol. B 18, 1406 (2001).
84. H. Sheng, N. W. Emanetoglu, S. Muthukumar, S. Feng, and Y. Lu, J. Electron. Mater. 31, 811 (2002).
85. S. Y. Kim, H. W. Jang, J. K. Kim, C. M. Jeon, W. I. Park, G. C. Yi, and J.-L. Lee, J. Electron. Mater. 31, 868 (2002).
86. G. S. Marlow and M. B. Das, Solid-State Electron. 25, 91 (1982).
87. C. A. Mead, Phys. Lett. 18, 218 (1965).
88. R. C. Neville and C. A. Mead, J. Appl. Phys. 41, 3795 (1970).
89. J. C. Simpson and F. Cordaro, J. Appl. Phys. 63, 1781 (1988).
90. N. Ohashi, J. Tanaka, T. Ohgaki, H. Haneda, M. Ozawa, and T. Tsurumi, J. Mater. Res. 17, 1529 (2002).
91. H. Sheng, S. Muthukumar, N. W. Emanetoglu, and Y. Lu, Appl. Phys. Lett. 80, 2132 (2002).
92. F. D. Auret, S. A. Goodman, M. Hayes, M. J. Legodi, and H. A. van Laarhoven, Appl. Phys. Lett. 79, 3074 (2001); F. D. Auret (private communication).
93. F. D. Auret, S. A. Goodman, M. Hayes, M. J. Legodi, and H. A. van Laarhoven, Appl. Phys. Lett. 79, 3074 (2001); F. D. Auret (private communication).
94. B. J. Coppa, R. F. Davis, and R. J. Nemanich, Appl. Phys. Lett. 82, 400 (2003).
95. A. Y. Polyakov, N. Smirnov, E. Kozhukhova, V. Vdovin, K. Ip, D. P. Norton, and S. J. Pearton, J. Vac. Sci. Technol. A 21, 1603 (2003).
96. A. Y. Polyakov, N. Smirnov, E. Kozhukhova, V. Vdovin, K. Ip, Y. W. Heo, D. P. Norton, and S. J. Pearton, Appl. Phys. Lett. 83, 1575 (2003).
97. C. Kilic and Z. Zunger, Appl. Phys. Lett. 81, 73 (2002).
98. C. van de Walle, Physica B 308, 899 (2001).
99. S. J. F. Cox, E. A. Davis, S. P. Cottrell, P. J. C. King, J. S. Lord, J. M. Gil, H. V. Alberto, R. C. Vilao, D. J. P. Duarte, N. A. de Campos, A. Weidinger, R. L. Lichti, and S. J. C. Irving, Phys. Rev. Lett. 86, 2601 (2001).
100. D. M. Hofmann, A. Hofstaetter, F. Leiter, H. Zhou, F. Henecker, B. K. Meyer, S. B. Schmidt, and P. G. Baranov, Phys. Rev. Lett. 88, 045504 (2002).
101. S. J. Baik, J. H. Jang, C. H. Lee, W. Y. Cho, and K. S. Lim, Appl. Phys. Lett. 70, 3516 (1997).
102. N. Ohashi, T. Ishigaki, N. Okada, T. Sekiguchi, I. Sakaguchi, and H. Haneda, Appl. Phys. Lett. 80, 2869 (2002).
103. V. Bogatu, A. Goldenbaum, A. Many, and Y. Goldstein, Phys. Status Solidi B 212, 89 (1999).
104. T. Sekiguchi, N. Ohashi, and Y. Terada, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 36, L289 (1997).
105. C. S. Han, J. Jun, and H. Kim, Appl. Surf. Sci. 175, 567 (2001).
106. Y. Natsume and H. Sakata, J. Mater. Sci.: Mater. Electron. 12, 87 (2001).
107. Y.-S. Kang, H. Y. Kim, and J. Y. Lee, J. Electrochem. Sci. 147, 4625 (2000).
108. R. G. Wilson, S. J. Pearton, C. R. Abernathy, and J. M. Zavada, J. Vac. Sci. Technol. A 13, 719 (1995).
109. S. J. Pearton, J. C. Zolper, R. J. Shul, and F. Ren, J. Appl. Phys. 86, 1 (1999).
110. F. D. Auret, S. A. Goodman, M. Hayes, M. J. Legodi, H. A. Van Laarhoven, and D. C. Look, Appl. Phys. Lett. 79, 3074 (2001).
111. F. D. Auret, S. A. Goodman, M. Hayes, M. J. Legodi, H. A. van Laarhoven, and D. C. Look, J. Phys.: Condens. Matter 13, 8989 (2001).
112. K. Ip, M. E. Overberg, Y. W. Heo, D. P. Norton, S. J. Pearton, C. E. Stutz, B. Luo, F. Ren, D. C. Look, and J. M. Zavada, Appl. Phys. Lett. 82, 385 (2003).
113. I. P. Kuz'mina and V. A. Nikitenko, Zinc Oxide: Growth and Optical Properties (Nauka, Moscow, 1984) (in Russian), pp. 17-20.
114. G. M. Martin, A. Mitonneau, D. Pons, A. Mircea, and D. W. Woodard, J. Phys. C 13, 3855 (1980).
115. N. Ohashi, J. Tanaka, T. Ohgaki, H. Haneda, M. Ozawa, and T. Tsurumi, J. Mater. Res. 17, 1529 (2002).
116. H. Sheng, S. Muthukumar, N. W. Emanetoglu, and Y. Lu, Appl. Phys. Lett. 80, 2132 (2002).
117. R. J. Borg and C. J. Dienes, An Introduction to Solid State Diffusion (Academic, Boston, 1988).
118. E. V. Lavrov, J. Weber, F. Borrnet, C. G. Van de Walle, and R. Helbig, Phys. Rev. B 66, 165205 (2002).
119. D. C. Reynolds, D. C. Look, B. Jogai, C. W. Litton, T. C. Collins, W. Harsch, and G. Cantwell, Phys. Rev. B 57, 12151 (1998).
120. K. Thonke, T. Gruber, N. Teofilov, R. Schönfelder, A. Waag, and R. Sauer, Physica B 308, 945 (2001).
121. S. von Molnar and D. Read, Proc. IEEE 91, 715 (2003).
122. H. Ohno, Science 281, 951 (1998).
123. H. Ohno, J. Vac. Sci. Technol. B 18, 2039 (2000).
124. T. Dietl, Semicond. Sci. Technol. 17, 377 (2002).
125. S. J. Pearton, C. R. Abernathy, M. E. Overberg, G. T. Thaler, D. P. Norton, N. Theodoropoulou, A. F. Hebard, Y. D. Park, F. Ren, J. Kim, and L. A. Boatner, J. Appl. Phys. 93, 1 (2003).
126. S. J. Pearton, C. R. Abernathy, D. P. Norton, A. F. Hebard, Y. D. Park, L. A. Boatner, and J. D. Budai, Mater. Sci. Eng., R. 40, 137 (2003).
127. T. Dietl, H. Ohno, F. Matsukura, J. Cibert, and D. Ferrand, Science 287, 1019 (2000).
128. K. Sato and H. Katayama-Yoshida, Semicond. Sci. Technol. 17, 367 (2002).
129. W. Prellier, A. Fouchet, and B. Mercey, J. Phys.: Condens. Matter 15, R1583 (2003).
130. T. Fukumura, Y. Yamada, H. Toyosaki, T. Hasegawa, H. Koinuma, and M. Kawasaki, Appl. Surf. Sci. 228, 173 (2004).
131. R. N. Gurzhi, A. N. Kalinenko, A. I. Kopeliovich, A. V. Yanovsky, E. N. Bogachek, and U. Landman, Appl. Phys. Lett. 83, 4577 (2003).
132. J. Rudolph, D. Hagele, H. M. Gibbs, G. Khitrova, and M. Oestrich, Appl. Phys. Lett. 82, 4516 (2003).
133. K. Sato and H. Katayama-Yoshida, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 39, L555 (2000).
134. T. Wakano, N. Fujimura, Y. Morinaga, N. Abe, A. Ashida, and T. Ito, Physica C 10, 260 (2001).
135. T. Fukumura, Z. Jin, A. Ohtomo, H. Koinuma, and M. Kawasaki, Appl. Phys. Lett. 75, 3366 (1999).
136. S. W. Jung, S.-J. An, G.-C. Yi, C. U. Jung, S.-I. Lee, and S. Cho, Appl. Phys. Lett. 80, 4561 (2002).
137. D. P. Norton, S. J. Pearton, A. F. Hebard, N. Theodoropoulou, L. A. Boatner, and R. G. Wilson, Appl. Phys. Lett. 82, 239 (2003).
138. D. P. Norton, M. E. Overberg, S. J. Pearton, K. Pruessner, J. D. Budai, L. A. Boatner, M. F. Chisholm, J. S. Lee, Z. G. Khim, Y. D. Park, and R. G. Wilson, Appl. Phys. Lett. 83, 5488 (2003).
139. H. Wolf, S. Deubler, D. Forkel, H. Foettinger, M. Iwatschenko-Borho, F. Meyer, M. Renn, W. Witthuhn, and R. Helbig, Mater. Sci. Forum 10, 863 (1986).
140. T. Aoki, Y. Hatanaka, and D. C. Look, Appl. Phys. Lett. 76, 3257 (2000).
141. T. Wakano, N. Fujimura, Y. Morinaga, N. Abe, A. Ashida, and T. Ito, Phys. E10, 260 (2001).
142. A. F. Jalbout, H. Chen, and S. L. Whittenburg, Appl. Phys. Lett. 81, 2217 (2002).
143. Y. Souche, M. Schlenker, R. Raphel, and L. Alvarez-Prado, Mater. Sci. Forum 302, 105 (1999).
144. I. P. Kuz'mina and V. A. Nikitenko, Zinc oxide: Growth and Optical Properties (Nauka, Moscow, 1984) (in Russian), pp. 216-217.
145. S.-J. Han, J. W. Song, C.-H. Yang, S. H. Park, J.-H. Park, J. H. Jeong, and K. W. Rhie, Appl. Phys. Lett. 81, 4212 (2002).
146. N. Ohashi, J. Tanaka, T. Ohgaki, H. Haneda, M. Ozawa, and T. Tsurumi, J. Mater. Res. 17, 1529 (2003).
147. T. Fukumura, Z. Lin, A. Ohmoto, H. Koinuma, and M. Kawasaki, Appl. Phys. Lett. 75, 3366 (1999).
148. T. Fukumura, Z. Lin, M. Kawasaki, T. Shono, T. Hasegawa, S. Koshihara, and H. Koinuma, Appl. Phys. Lett. 78, 958 (2001).
149. Z. Lin, T. Fukumura, M. Kawasaki, K. Ando, H. Saito, T. Seiguchi, Y. Z. Loo, M. Murakami, Y. Matsumoto, T. Hasegawa, and H. Koinuma, Appl. Phys. Lett. 78, 3824 (2001).
150. J.-H. Kim, H. Kim, D. Kim, Y.-E. Ihm, and W.-K. Choo, J. Appl. Phys. 92, 6066 (2002).
151. A. Tiwari, C. Jin, A. Kvit, D. Kumar, J. F. Muth, and J. Narayan, Solid State Commun, 121, 371 (2002).
152. K. Ueda, H. Tabata, and T. Kawai, Appl. Phys. Lett. 79, 988 (2001).
153. H. Saeki, H. Tabata, and T. Kawai, Solid State Commun. 120, 439 (2001).
154. Y. M. Cho, W.-K. Choo, H. Kim, D. Kim, and Y.-E. Ihm, Appl. Phys. Lett. 80, 3358 (2002).
155. H. J. Lee, S. Y. Jeong, C. R. Cho, and C. H. Park, Appl. Phys. Lett. 81, 4020 (2002).
156. P. Sharma, A. Gupta, K. V. Rao, F. J. Owens, R. Sharma, R. Ahuja, J. M. Osorio Guillen, B. Johansson, and G. A. Gehring, Nature Mat. 2, 673 (2003).
157. S. J. Hahn, J. W. Song, C. H. Yang, S. H. Park, J. H. Park, Y. H. Jeong, and K. W. Rhie, Appl. Phys. Lett. 81, 42129 (2002).
158. K. Rode, A. Anane, R. Mattana, J.-P. Contour, O. Durand, and R. LeBourgeois, J. Appl. Phys. 93, 7676 (2003).
159. S. G. Yang, A. B. Pakhomov, S. T. Hung, and C. Y. Wong, IEEE Trans. Magn. 38, 2877 (2002).
160. N. Theorodoropoulou et al. (unpublished).
161. K. Sato and H. Katayama-Yoshida, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 666, F4.6.1 (2001).
162. K. D. Mitzner, J. Sternhagen, and D. W. Galipeau, Sens. Actuators B 93, 92 (2003).
163. P. Mitra, A. P. Chatterjee, and H. S. Maiti, Mater. Lett. 35, 33 (1998).
164. J. F. Chang, H. H. Kuo, I. C. Leu, and M. H. Hon, Sens. Actuators B 84, 258 (1994).