Ferromagnetism in Mn-implanted ZnO:Sn single crystals

Applied Physics Letters

Volumn 82, Issue 2, 2003, Pages 239-241

  Norton, D P ^a   Pearton, S J ^a   Hebard, A F ^b   Theodoropoulou, N ^b   Boatner, L A ^c   Wilson, R G ^d  

^a University of Florida   (United States)

^b University of Florida ^*  (United States)

^c OAK RIDGE NATIONAL LABORATORY   (United States)

^d NONE

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CARRIER CONCENTRATION; ION IMPLANTATION; MAGNETIC HYSTERESIS; MAGNETIC SEMICONDUCTORS; MAGNETIZATION; SEMICONDUCTOR DOPING; SINGLE CRYSTALS; THERMAL EFFECTS; TIN; ZINC OXIDE;

SPINTRONICS;

FERROMAGNETISM;

EID: 0037434227     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1537457     Document Type: Article

References (27)

1. S. A. Wolf, J. Supercond. 13, 195 (2000).
2. G. A. Prinz, Science 282, 1660 (1998).
3. J. K. Furdyna, J. Appl. Phys. 64, R29 (1988).
4. S. Gopalan and M. G. Cottam, Phys. Rev. B 42, 10311 (1990).
5. C. Haas, Solid State Sci. 1, 47 (1970).
6. H. Ohno, Science 281, 951 (1998).
7. G. Medvedkin, T. Ishibaski, T. Niski, K. Hayata, Y. Hasagawa, and K. Sata, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 39, L949 (2000).
8. G. A. Medvedkin, K. Hirose, T. Ishibashi, T. Nishi, V. G. Voevodin, and K. Sato, J. Cryst. Growth 236, 609 (2002).
9. S. Cho, S. Choi, G.-B. Cha, S. C. Hong, Y. Kim, Y.-J. Zhao, A. J. Freeman, J. B. Ketterson, B. J. Kim, Y. C. Kim, and B.-C. Choi, Phys. Rev. Lett. 88, 257203 (2002).
10. M. L. Reed, N. A. El-Masry, H. N. Stadelmaier, M. K. Ritums, M. J. Reed, C. A. Parker, J. C. Roberts, and S. M. Bekair, Appl. Phys. Lett. 79, 3473 (2001).
11. G. T. Thaler, M. E. Overberg, B. Gila, R. Frazier, C. R. Abernathy, S. J. Pearton, J. S. Lee, S. Y. Lee, Y. D. Park, Z. G. Kim, J. Kim, and F. Ren, Appl. Phys. Lett. 80, 3964 (2002).
12. N. Theodoropoulou, A. F. Hebard, M. E. Overberg, C. R. Abernathy, S. J. Pearton, S. N. G. Chu, and R. G. Wilson, Phys. Rev. Lett. 89, 107203 (2002).
13. S. A. Chambers, S. Thevuthasan, R. F. C. Farrow, R. F. Marks, J. U. Thiele, L. Folks, M. G. Samant, A. J. Kellock, N. Ruzycki, D. L. Ederer, and U. Diebold, Appl. Phys. Lett. 79, 3467 (2001).
14. Y. Matsumoto, M. Murakami, T. Shono, T. Hasegawa, T. Fukumaura, M. Kawasaki, P. Ahmet, T. Chikyow, S. Koshihara, and H. Koinuma, Science 291, 854 (2001).
15. S. Choi, G. B. Cha, S. C. Hong, S. Cho, Y. Kim, J. B. Ketterson, S. Y. Jeong, and G. C. Yi, Solid State Commun. 122, 165 (2002).
16. T. Dietl, H. Ohno, F. Matsukura, J. Cubert, and D. Ferrand, Science 287, 1019 (2000).
17. M. E. Overberg, C. R. Abernathy, S. J. Pearton, N. A. Theodoropoulou, K. T. McCarthy, and A. F. Hebard, Appl. Phys. Lett. 79, 1312 (2001).
18. T. Dietl, A. Haury, and Y. Merle d'Aubigne, Phys. Rev. B 55, R3347 (1997).
19. F. Holzberg, S. von Molnar, and J. M. D. Coey, in Handbook on Semiconductors, edited by T. S. Moss (North-Holland, Amsterdam, 1980), Vol. 3.
20. B. E. Larson, K. C. Hass, H. Ehrenreich, and A. E. Carlsson, Solid State Commun. 56, 347 (1985).
21. K. Sato and H. Katayama-Yoshida, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 39, L555 (2000).
22. T. Wakano, N. Fujimura, Y. Morinaga, N. Abe, A. Ashida, and T. Ito, Physica C 10, 260 (2001).
23. T. Fukumura, Z. Jin, A. Ohtomo, H. Koinuma, and M. Kawasaki, Appl. Phys. Lett. 75, 3366 (1999).
24. S. W. Jung, S.-J. An, G.-C. Yi, C. U. Jung, S.-I. Lee, and S. Cho, Appl. Phys. Lett. 80, 4561 (2002).
25. A. R. Hutson, Phys. Rev. 108, 222 (1957).
26. D. C. Look, J. W. Hemsky, and J. R. Sizelove, Phys. Rev. Lett. 82, 2552 (1999).
27. T. Story, Acta Physiol. Pol. A91, 173 (1997).