Transport properties of phosphorus-doped ZnO thin films

Applied Physics Letters

Volumn 83, Issue 6, 2003, Pages 1128-1130

  Heo, Y W ^a   Park, S J ^a   Ip, K ^a   Pearton, S J ^a   Norton, D P ^a  

^a J Crayton Pruitt Family Department of Biomedical Engineering   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ANNEALING; CARRIER CONCENTRATION; DOPING (ADDITIVES); PHOSPHORUS; SOLUBILITY; ZINC OXIDE;

DONOR COMPLEX;

SEMICONDUCTING FILMS;

EID: 0041823782     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1594835     Document Type: Article

References (29)

1. A. R. Hutson, Phys. Rev. 108, 222 (1957).
2. D. C. Look, J. W. Hemsky, and J. R. Sizelove, Phys. Rev. Lett. 82, 2552 (1999).
3. B. J. Jin, S. H. Bae, S. Y. Lee, and S. Im, Mater. Sci. Eng., B 71, 301 (2000).
4. D. M. Hofmann, A. Hofstaetter, F. Leiter, H. Zhou, F. Henecker, B. K. Meyer, S. B. Orlinskii, J. Schmidt, and P. G. Baranov, Phys. Rev. Lett. 88, 045504/1-4 (2002).
5. C. G. Van de Walle, Phys. Status Solidi B 229, 221 (2002).
6. S. F. J. Cox, E. A. Davis, P. J. C. King, J. M. Gil, H. V. Alberto, R. C. Vilao, J. Piroto Duarte, N. A. De Campos, and R. L. Lichti, J. Exp. Zool. 13, 9001 (2001).
7. C. G. Van de Walle, Phys. Rev. Lett. 85, 1012 (2000).
8. G. F. Neumark, in Widegap II-VI Compounds for Opto-Electronics Applications, edited by H. E. Ruda (1992), p. 281.
9. D. B. Laks, C. G. Van de Walle, G. F. Neumark, and S. T. Pantelides, Appl. Phys. Lett. 63, 1375 (1993).
10. Y. Kanai, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 30, 703 (1991).
11. Y. Kanai, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 30, 2021 (1991).
12. J. A. Savage and E. M. Dodson, J. Mater. Sci. 4, 809 (1969).
13. A. Valentini, F. Quaranta, M. Rossi, and G. Battaglin, J. Vac. Sci. Technol. A 9, 286 (1991).
14. A. Onedera, N. Tamaki, K. Jin, and H. Yamashita, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 36, 6008 (1997).
15. G. Weise, E. M. Fechner, G. Owsian, and D. Kraut, Thin Solid Films 32, 87 (1976).
16. P. H. Kasai, Phys. Rev. 130, 989 (1963).
17. H. Wolk, S. Deubler, D. Forkel, H. Foettinger, M. Iwatschenko-Borho, F. Meyer, M. Renn, W. Witthuhn, and R. Helbig, Mater. Sci. Forum 10-12, 863 (1986).
18. T. Nagata, T. Shimura, Y. Nakano, A. Ashida, N. Fujimura, and T. Ito, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 40, 5615 (2001).
19. C. H. Park, S. B. Zhang, and W. Su-Huai, Phys. Rev. B 66, 073202/1-3 (2002).
20. T. Yamamoto and H. Katayama-Yoshida, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 38, L166 (1999).
21. N. Y. Garces, N. C. Giles, L. E. Halliburton, G. Cantwell, D. B. Eason, D. C. Reynolds, and D. C. Look, Appl. Phys. Lett. 80, 1334 (2002).
22. K. Minegishi, Y. Koiwai, Y. Kikuchi, K. Yano, M. Kasuga, and A. Shimizu, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 36, L1453 (1997).
23. X.-L. Guo, H. Tabata, and T. Kawai, J. Cryst. Growth 223, 135 (2001).
24. K. Iwata, P. Fons, A. Yamada, K. Matsubara, and S. Niki, J. Cryst. Growth 209, 526 (2000).
25. Y. Yan, S. B. Zhang, and S. T. Pantelides, Phys. Rev. Lett. 86, 5723 (2001).
26. D. C. Look, D. C. Reynolds, C. W. Litton, R. L. Jones, D. B. Eason, and G. Cantwell, Appl. Phys. Lett. 81, 1830 (2002).
27. T. Aoki, Y. Hatanaka, and D. C. Look, Appl. Phys. Lett. 76, 3257 (2000).
28. Y. W. Heo, K. Ip, S. J. Park, S. J. Pearton, and D. P. Norton (unpublished).
29. K. Ip, M. E. Overberg, Y. W. Heo, D. P. Norton, S. J. Pearton, S. O. Kucheyev, C. Jagadish, J. S. Williams, R. G. Wilson, and J. M. Zavada, Appl. Phys. Lett. 81, 3996 (2002).