Low-resistance and nonalloyed ohmic contacts to plasma treated ZnO

Applied Physics Letters

Volumn 78, Issue 24, 2001, Pages 3842-3844

  Lee, Ji Myon ^a   Kim, Kyoung Kook ^a   Park, Seong Ju ^a   Choi, Won Kook ^b  

^a Gwangju Institute of Science and Technology (GIST)   (South Korea)

^b Korea Institute of Science and Technology   (South Korea)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0035844479     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1379061     Document Type: Article

References (27)

1. C. R. Gorla, N. W. Emanetoglu, S. Liang, W. E. Mayo, Y. Lu, M. Wrahack, and H. Shen, J. Appl. Phys. 85, 2595 (1999).
2. R. D. Vispute, V. Talyansky, S. Choopun, R. P. Sharma, T. Venkatesan, M. He, X. Tang, J. B. Halpern, M. G. Spencer, Y. X. Li, L. G. Salamanca-Riba, A. A. Iliadis, and K. A. Jones, Appl. Phys. Lett. 73, 348 (1998).
3. A. Ohtomo, M. Kawasaki, T. Koida, H. Koinuma, Y. Sakurai, Y. Yoshida, M. Sumiya, S. Fuke, T. Yasuda, and Y. Segawa, Mater. Sci. Forum 264, 1463 (1998).
4. M. Joseph, H. Tabata, and T. Kawai, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 38, L2505 (1999).
5. T. Aoki, Y. Hatanaka, and D. C. Look, Appl. Phys. Lett. 76, 3257 (2000).
6. D. M. Bagnall, Y. R. Chen, Z. Zhu, T. Yao, S. Koyama, M. Y. Shen, and T. Goto, Appl. Phys. Lett. 70, 2230 (1997).
7. T. Akane, K. Sugioka, and K. Midorikawa, J. Vac. Sci. Technol. B 18, 1406 (2000).
8. H. Ohta, K. Kawamura, M. Orita, M. Hirano, N. Sarukura, and H. Hosono, Appl. Phys. Lett. 77, 475 (2000).
9. M. E. Lin, Z. Ma, F. Y. Huang, Z. F. Fan, L. H. Allen, and H. Morkoç, Appl. Phys. Lett. 64, 1003 (1994).
10. H. K. Kim, S. H. Han, T. Y. Seong, and W. K. Choi, Appl. Phys. Lett. 77, 1647 (2000).
11. Y.-J. Lin and C.-T. Lee, Appl. Phys. Lett. 77, 3986 (2000).
12. K. K. Kim, J. H. Song, J. J. Jung, W. K. Choi, S.-J. Park, and J. H. Song, J. Appl. Phys. 87, 3573 (2000).
13. J. M. Lee, K. M. Chang, S. W. Kim, C. Huh, I. H. Lee, and S. J. Park, J. Appl. Phys. 87, 7667 (2000).
14. D. W. Jenkins and J. D. Dow, Phys. Rev. B 39, 3317 (2000).
15. T. Yamamoto and H. Katayama-Yoshida, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 38, L166 (1999).
16. G. Neumann, in Current Topics in Materials Science, edited by E. Kaldis (North-Holland, Amsterdam, 1981). Vol. 7, Pt. 1, pp. 153-168.
17. X. A. Cao, H. Cho, S. J. Pearton, G. T. Dang, A. P. Zhang, R. Ren, R. J. Shul, L. Zhang, R. Hickman, and J. M. Van Hove, Appl. Phys. Lett. 75, 232 (1999).
18. C. G. Van de Walle, Phys. Rev. Lett. 85, 1012 (2000).
19. J. M. Lee, K. M. Chang, K. K. Kim, W. K. Choi, and S. J. Park, J. Electrochem. Soc. 148, G1 (2000).
20. K. K. Kim and S. J. Park, Appl. Phys. Lett. (submitted).
21. S. Bethke, H. Pan, and B. W. Wessels, Appl. Phys. Lett. 52, 138 (1988).
22. K. Vanheusden, C. H. Seager, W. L. Warren, D. R. Tallant, and J. A. Voigt, Appl. Phys. Lett. 68, 403 (1996).
23. E. G. Bylander, J. Appl. Phys. 49, 1188 (1978).
24. T. Sekiguchi, N. Ohashi, and Y. Terada, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 36, L289 (1997).
25. I. An, Y. Lu, C. R. Wronski, and R. W. Collins, Appl. Phys. Lett. 64, 3317 (1994).
26. S. W. Kim, J. M. Lee, C. Huh, N. M. Park, H. Kim, I. H. Lee, and S. J. Park, Appl. Phys. Lett. 76, 3079 (2000).
27. J. M. Shannon, Solid-State Electron. 19, 537 (1976).