Temperature-dependent Cl2/Ar plasma etching of bulk single-crystal ZnO

Applied Physics Letters

Volumn 83, Issue 15, 2003, Pages 3105-3107

  Lim, W T ^a   Baek, I K ^a   Lee, J W ^a   Lee, E S ^a   Jeon, M H ^a   Cho, G S ^a   Heo, Y W ^b   Norton, D P ^b   Pearton, S J ^b  

^a Inje University   (South Korea)

^b UNIVERSITY OF FLORIDA   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ACTIVATION ENERGY; LIGHT EMISSION; PLASMA ETCHING; SEMICONDUCTOR DOPING; THERMAL EFFECTS; ZINC OXIDE;

HIGH DENSITY PLASMA;

SINGLE CRYSTALS;

EID: 0242304456     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1618373     Document Type: Article

References (29)

1. D. C. Look, Mater. Sci. Eng., B B80, 383 (2001).
2. M. Wraback, H. Shen, S. Liang, C. R. Gorla, and Y. Lu, Appl. Phys. Lett. 74, 507 (1999).
3. D. C. Look, J. W. Hemsky, and J. R. Sizelove, Phys. Rev. Lett. 82, 2552 (1999).
4. S. O. Kucheyev, J. E. Bradley, J. S. Williams, C. Jagadish, and M. V. Swain, Appl. Phys. Lett. 80, 956 (2002).
5. T. Aoki, D. C. Look, and Y. Hatanka, Appl. Phys. Lett. 76, 3257 (2000).
6. P. M. Verghese and D. R. Clarke, J. Appl. Phys. 87, 4430 (2000).
7. S. Krishnamoorthy, A. A. Illiadis, A. Inumpudi, S. Choopun, R. D. Vispute, and T. Venkatesan, Solid-State Electron. 46, 1631 (2002).
8. S. Liang, H. Sheng, Y. Liu, Z. Huo, and H. Shen, J. Cryst. Growth 225, 110 (2001).
9. H.-K. Kim, K. K. Kim, S. J. Park, T. Y. Seong, and Y. S. Yoon, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 41, L546 (2002).
10. G. Xiong, J. Wilkinson, B. Mischuck, S. Tuzeman, K. B. Ucer, and R. T. Williams, Appl. Phys. Lett. 80, 1195 (2002).
11. H. Sheng, S. Muthukumar, N. W. Emanetglou, and Y. Lu, Appl. Phys. Lett. 80, 2132 (2002).
12. N. Y. Garces, L. Wang, N. C. Giles, L. E. Halliburton, G. Cantwell, and D. B. Eason, J. Appl. Phys. 94, 519 (2003).
13. Properties of ZnO, edited by C. W. Litton, D. C. Reynolds, and T. C. Collins (INSPEC, London, 2003).
14. D. C. Look, D. C. Reynolds, C. W. Litton, R. L. Jones, D. B. Eason, and G. Cantwell, Appl. Phys. Lett. 81, 1830 (2002).
15. N. H. Nickel and K. Fleischer, Phys. Rev. Lett. 90, 197402 (2003).
16. S. O. Kucheyev, C. Jagadish, J. S. Williams, P. N. K. Deenapanray, M. Yano, K. Koike, S. Sasa, M. Inoue, and K. Ogata, J. Appl. Phys. 93, 2972 (2003).
17. E. V. Lavrov, J. Weber, F. Borrnet, C. G. Van de Walle, and R. Helbig, Phys. Rev. B 66, 165205 (2002).
18. D. P. Norton, S. J. Pearton, A. F. Hebard, N. Theodoropoulou, L. A. Boatner, and R. G. Wilson, Appl. Phys. Lett. 82, 239 (2003).
19. S. J. Pearton, C. R. Abernathy, M. E. Overberg, G. T. Thaler, D. P. Norton, N. Theodoropoulou, A. F. Hebard, Y. D. Park, F. Ren, J. Kim, and L. A. Boatner, J. Appl. Phys. 93, 1 (2003).
20. K.-K. Kim, H. S. Kim, D.-K. Hwang, J.-H. Lim, and S.-J. Park, Appl. Phys. Lett. 83, 63 (2003).
21. Y. R. Ryu, T. S. Lee, and H. W. White, Appl. Phys. Lett. 83, 87 (2003).
22. Y. R. Ryu, S. Zhu, D. C. Look, J. M. Wrobel, H. M. Jeong, and H. W. White, J. Cryst. Growth 216, 330 (2000).
23. J.-M. Lee, K.-M. Chang, K.-K. Kim, W.-K. Choi, and S. J. Park, J. Electrochem. Soc. 148, G1 (2001).
24. K. Ip, K. H. Baik, M. E. Overberg, E. S. Lambers, Y. W. Heo, D. P. Norton, S. J. Pearton, F. Ren, and J. M. Zavada, Appl. Phys. Lett. 81, 3546 (2002).
25. H.-K. Kim, J. W. Bae, T.-K. Kim, K.-K. Kim, T.-Y. Seong, and I. Adesida, J. Vac. Sci. Technol. B 21, 1273 (2003).
26. E. W. Sabin, J. Vac. Sci. Technol. B 16, 1841 (1998).
27. Perry's Chemical Engineers Handbook, 7th ed., edited by D. W. Green (McGraw-Hill, New York, 1997).
28. C. Steinbruchel, Appl. Phys. Lett. 55, 1960 (1989).
29. K. Pelhos, V. M. Donnelly, A. Kornblit, M. L. Green, R. B. Van Dover, L. Manchanda, and E. Bower, J. Vac. Sci. Technol. B 19, 1361 (2001).