Gate breakdown characteristics of MgO/GaN MOSFETs

Solid-State Electronics

Volumn 47, Issue 9, 2003, Pages 1597-1600

  Cho, Hyun ^a   Lee, K P ^b   Gila, B P ^b   Abernathy, C R ^b   Pearton, S J ^b   Ren, F ^b  

^a Miryang National University   (South Korea)

^b University of Florida   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

DIFFUSION; ELECTRIC BREAKDOWN; GALLIUM NITRIDE; MAGNESIA; MOLECULAR BEAM EPITAXY; THRESHOLD VOLTAGE;

ACTIVE CHANNELS;

MOSFET DEVICES;

EID: 0037702793     PISSN: 00381101     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1016/S0038-1101(03)00090-X     Document Type: Article

References (44)

1. Nguyen N.X., Micovic M., Wong W.-S., Hashimoto P., McCray L.-M., Janke P., Nguyen C. Electron. Lett. 36:2000;468.
2. Wu Y.-F., Keller B.P., Keller S., Kapolnek D., Kozodoy P., DenBaars S.P., Mishra U.K. Solid-State Electron. 41:1997;1569.
3. Khan M.A., Hu X., Simin G., Lunev A., Yang J., Gaska R., Shur M.S. IEEE Electron. Dev. Lett. 21:2000;63.
4. Green B.M., Chu K.K., Chumbes E.M., Smart J.A., Shealy J.R., Eastman L.F. IEEE Electron. Dev. Lett. 21:2000;268.
5. Binari S.C., Kruppa W., Dietrich H.B., Kelner G., Wickenden A.E., Freitas J.A. Jr. Solid-State Electron. 41:1997;1549.
6. Eastman L.F., Tilak V., Smart J., Green B.M., Chumbes E.M., Dimitrov R., Kim H., Ambacher O.S., Weimann N., Prunty T., Murphy M., Schaff W.J., Shealy J.R. IEEE Trans. Electron Dev. 48:2001;479.
7. Wu Y.-F., Keller B.P., Keller S., Kapolnek D., Kozodoy P., DenBaars S.P., Mishra U.K. Solid-State Electron. 41:1997;1569.
8. Johnson J.W., Baca A.G., Briggs R.D., Shul R.J., Monier C., Ren F., Pearton S.J., Dabiran A.M., Wowchack A.M., Polley C.J., Chow P.P. Solid-State Electron. 45:2001;1979.
9. Lu W., Yang J., Khan M.A., Adesida I. IEEE Trans. Electron Dev. ED48:2001;581.
10. Pearton S.J., Zolper J.C., Shul R.J., Ren F. J. Appl. Phys. 86:1999;1.
11. Simin G., Hu X., Ilinskaya N., Kumar A., Koudymov A., Zhang J., Asif Khan M., Gaska R., Shur M.S. Electron. Lett. 36:2000;2043.
12. Kohn E., Daumiller I., Schmid P., Nguyen N.X., Nguyen C.N. Electron. Lett. 35:1999;1022.
13. Lee J.-S., Vescan A., Wieszt A., Dietrich R., Leier H., Kwon Y.-S. Electron. Lett. 37:2001;130.
14. Hu X., Koudymov A., Simin G., Yang J., Asif Khan M., Tarakji A., Shur M.S., Gaska R. Appl. Phys. Lett. 79:2001;2832.
15. Daumiller I., Kirchner C., Kamp M., Ebeling K.J., Kohn E. IEEE Electron. Dev. Lett. 20:1999;448.
16. Tarakji A., Simin G., Ilinskaya N., Hu X., Kumar A., Koudymov A., Yang J., Asif Khan M., Shur M.S., Gaska R. Appl. Phys. Lett. 78:2001;2169.
17. Chumbes E.M., Smart J.A., Prunty T., Shealy J.M. IEEE Trans. Electron Dev. 48:2001;416.
18. Luo B., Johnson J.W., Ren F., Allums K.K., Abernathy C.R., Pearton S.J., Dwivedi R., Fogarty T.N., Wilkins R., Dabiran A.M., Wowchack A.M., Polley C.J., Chow P.P., Baca A.G. Appl. Phys. Lett. 79:2001;2196.
19. Pearton S.J., Ren F., Zhang A.P., Lee K.P. Mater. Sci. Eng. Rep. R30:2000;55.
20. Binari S.C., Ikossi K., Roussos J.A., Kruppa W., Park D., Dietrich H.B., Koleske D.D., Wickenden A.E., Henry R.L. IEEE Trans. Electron Dev. 48:2001;465.
21. Simin G., Koudymov A., Tarakji A., Hu X., Yang J., Asif Khan M., Shur M.S., Gaska R. Appl. Phys. Lett. 79:2001;2651.
22. Ren F., Hong M., Chu S.N.G., Marcus M.A., Schurman M.J., Baca A., Pearton S.J., Abernathy C.R. Appl. Phys. Lett. 73:1998;3893.
23. Johnson J.W., Luo B., Ren F., Gila B.P., Krishnamoorthy V., Abernathy C.R., Pearton S.J., Chyi J.I., Nee T.E., Lee C.M., Chuo C.C. Appl. Phys. Lett. 77:2000;3230.
24. Gila B.P., Johnson J.W., Lee K.N., Krishnamoorthy V., Abernathy C.R., Ren F., Pearton S.J. ECS Proc. Vol. 2001-1:2001;71.
25. Asif Khan M., Hu X., Tarakji A., Simin G., Yang J., Gaska R., Shur M.S. Appl. Phys. Lett. 77:2001;1339.
26. Simin G., Hu X., Ilinskaya N., Zhang J., Tarakji A., Kumar A., Yang J., Asif Khan M., Gaska R., Shur M.S. IEEE Electron. Dev. Lett. 22:2001;53.
27. Johnson J.W., Gila B.P., Luo B., Lee K.P., Abernathy C.R., Pearton S.J., Chyi J.I., Nee T.E., Lee C.M., Chou C., Ren F. J. Electrochem. Soc. G303:2001.
28. Morkoç Hadis, Di Carlo Aldo, Cingolani Roberto Solid-State Electron. 46:2002;157.
29. Ohno Y., Kuzuhara M. IEEE Trans. Electron Dev. ED48:2001;517.
30. Wu Y.-F., Kapolnek D., Ibbetson J.P., Parikh P., Keller B.P., Mishra U.K. IEEE Trans. Electron Dev. ED48:2001;586.
31. Arulkumaran S., Egawa T., Ishikawa H., Jimbo T., Umeno M. Appl. Phys. Lett. 73:1998;809.
32. Irokawa I., Nakano Y. Solid-State Electron. 46:2002;1467.
33. Lay T.S., Hong M., Kwo J., Mannaerts J.P., Hung W.H., Huang D.J. Solid-State Electron. 45:2001;1679.
34. Hashizume T., Alekseev E., Pavlidis D., Boutros K.S., Redwing J. J. Appl. Phys. 88:2000;1983.
35. Zhang N.-Q., Keller S., Parish G., Heikman S., DenBaars S.P., Mishra U.K. IEEE Electron. Dev. Lett. 21:2000;421.
36. Gila B.P., Johnson J., Mehandru R., Luo B., Onstine A.H., Allums K.K., Krishnamoorthy V., Bates S., Abernathy C.R., Ren F., Pearton S.J. Phys. Stat. Solidi A. 188:2001;239.
37. Klein P.B., Binari S.C., Ikossi K., Wickenden A.E., Koleske D.D., Henry R.L. Appl. Phys. Lett. 79:2001;3527.
38. Luo B., Johnson J.W., Kim J., Mehandru R.M., Ren F., Gila B.P., Onstine A.H., Abernathy C.R., Pearton S.J., Baca A.G., Briggs R.D., Shul R.J., Monier C., Han J. Appl. Phys. Lett. 80:2002;1661.
39. Mehandru R., Gila B.P., Kim J., Johnson J.W., Lee K.P., Luo B., Onstine A.H., Abernathy C.R., Pearton S.J., Ren F. Electrochem. Solid-State Lett. 5:2002;G51.
40. Kim J., Mehandru R., Luo B., Ren F., Gila B.P., Onstine A.H., Abernathy C.R., Pearton S.J., Irokawa Y. Appl. Phys. Lett. 81:2002;373.
41. Kim J., Mehandru R., Luo B., Ren F., Gila B.P., Onstine A.H., Abernathy C.R., Pearton S.J., Irokawa Y. Appl. Phys. Lett. 80:2002;4555.
42. Kim J., Gila B.P., Mehandru R., Johnson J.W., Shin J.H., Lee K.P., Luo B., Onstine A.H., Abernathy C.R., Pearton S.J., Ren F. J. Electrochem. Soc. 149:2002;G482.
43. Edgar J.H., Amano H. Properties of GaN and Group III Nitrides. 2000;INSPEC, IEE, London.
44. Shur M.S. Physics of Semiconductor Devices. 1990;Prentice-Hall, Englewood Cliffs, NJ.