Thickness dependence of structural and electrical characteristics of ZrO2 thin films as grown on Si by chemical-vapor deposition

Journal of Vacuum Science and Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures

Volumn 22, Issue 4, 2004, Pages 1940-1948

  Huang, Shih Sian ^a   Wu, Tai Bor ^a  

^a NATIONAL TSING HUA UNIVERSITY   (Taiwan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

AMORPHOUS MATERIALS; CHARACTERIZATION; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; CURRENT VOLTAGE CHARACTERISTICS; ELECTRON TUNNELING; ELECTRONIC STRUCTURE; FILM GROWTH; LEAKAGE CURRENTS; MICROSTRUCTURE; POLYCRYSTALLINE MATERIALS; ZIRCONIA;

FLATBAND VOLTAGE; INTERFACIAL LAYERS; THICKNESS DEPENDENCE; ULTRATHIN STACKED DIELECTRICS;

THIN FILMS;

EID: 4944237986     PISSN: 10711023     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1116/1.1776560     Document Type: Article

References (47)

1. A. I. Kingon, J. P. Maria, and S. K. Streiffer, Nature (London) 406, 1032 (2000).
2. P. M. Zeitzoff, R. W. Murto, and H. R. Huff, Solid State Technol. 71 (2002).
3. G. D. Wilk, R. M. Wallace, and J. M. Anthony, J. Appl. Phys. 89, 5243 (2001).
4. S. Y. Lee, H. Kim, P. C. Mclntyre, K. C. Saraswat, and J. S. Byun, Appl. Phys. Lett. 82, 2874 (2003).
5. J. Robettson, J. Vac. Sci. Technol. B 18, 1785 (2000).
6. B. Kralik, E. K. Chang, and S. G. Louie, Phys. Rev. B 57, 7027 (1998).
7. W. Qi, R. Nieh, B. Lee, L. Kang, Y. Jeon, and J. C. Lee, Appl. Phys. Lett. 77, 3269 (2000).
8. M. Copel, M. Gribelyuk, and E. Gusev, Appl. Phys. Lett. 76, 436 (2000).
9. S. Stemmer, Z. Chen, R. Keding, J. Maria, D. Wicaksana, and A. I. Kingon, J. Appl. Phys. 92, 82 (2002).
10. Y. M. Sun, J. Lozano, H. Ho, H. J. Park, S. Veldman, and J. M. White, Appl. Surf. Sci. 161, 115 (2000).
11. Y. Ma, Y. Ono, L. Stecker, D. Evans, and S. T. Hsu, Tech. Dig. - Int. Electron Devices Meet. 1999, 149.
12. H. Zhong, G. Heuss, V. Misra, H. Luan, C. H. Lee, and D. L. Kwong, Appl. Phys. Lett. 78, 1134 (2001).
13. C. R. Aita, M. D. Wiggins, R. Whig, C. M. Scanlan, and M. G-Josifovska, J. Appl. Phys. 79, 1176 (1996).
14. J. Aarik, A. Aidla, H. Mandar, T. Uustare, and V. Sammelselg, Thin Solid Films 408, 97 (2002).
15. M. Houssa, V. V. Afanas'ev, A. Stesmans, and M. M. Heyns, Appl. Phys. Lett. 77, 1885 (2000).
16. W. J. Qi, R. Nieh, K. Onishi, B. H. Lee, L. Kang, Y. Jeon, S. Gopalan, and J. C. Lee, Proceedings of IEEE 38th Annual International Reliability Physics Symposium, San Jose, CA, 2000 (unpublished), p. 72.
17. C. Perkins, B. Triplett, P. McIntyre, K. Saraswat, S. Haukka, and M. Tuominen, Appl. Phys. Lett. 78, 2357 (2001).
18. S. Ferrari, D. T. Dekadjevi, S. Spiga, G. Tallarida, C. Wiemer, and M. Fanciulli, J. Non-Cryst. Solids 303, 29 (2002).
19. K. Kukli, M. Ritala, and M. Leskela, Chem. Vap. Deposition 6, 297 (2000).
20. S. Chatterjee, S. K. Samanta, H. D. Banerjee, and C. K. Maiti, Thin Solid Films 422, 33 (2002).
21. B. Cho, J. Wang, and J. Chang, J. Appl. Phys. 92, 4238 (2002).
22. R. H. French, S. J. Glass, and F. S. Ohuchi, Phys. Rev. B 49, 5133 (1994).
23. D. A. Muller, T. Sorsch, S. Moccio, F. H. Baumann, K. E. Lutterodt, and G. Timp, Nature (London) 399, 758 (1999).
24. R. P. Vasquez, M. H. Hecht, F. J. Grunthaner, and M. L. Naiman, Appl. Phys. Lett. 44, 969 (1984).
25. H. Watanabe, Appl. Phys. Lett. 78, 3803 (2001).
26. M. Takeshi, F. Seiichi, and K. Yoshitake, International Workshop on Gate Insulators, Tokyo, 2001 (unpublished), p. 210.
27. D. K. Schroder, Semiconductor Material and Device Characterization (Wiley, New York, 1998).
28. D. A. Neamen, Semiconductor Physicals and Devices (Irwin, Chicago, 1997).
29. S. H. Lo, D. A. Buchanan, Y. Taur, and W. Wang, IEEE Electron Device Lett. 18, 209 (1997).
30. S. Mudanai, L. F. Register, A. F. Tasch, and S. K. Banerjee, IEEE Electron Device Lett. 22, 145 (2001).
31. T. W. Hickmott, J. Appl. Phys. 51, 4269 (1980).
32. R. Johnson, G. Lucovsky, and I. Baumvol, J. Vac. Sci. Technol. A 19, 1353 (2001).
33. K. Lim, D. Park, H. Cho, J. Kim, J. Yang, S. Choi, I. Yeo, and J. Park, J. Appl. Phys. 91, 414 (2002).
34. C. C. Hong, W. J. Liao, and J. G. Hwu, Appl. Phys. Lett. 82, 3916 (2003).
35. J. C. Wang, S. H. Chiao, C. L. Lee, and T. F. Lei, J. Appl. Phys. 92, 3936 (2002).
36. T. Nguyen, D. A. Carl, S. V. Nguyen, and D. M. Dobuzinsky, Appl. Phys. Lett. 63, 1972 (1993).
37. B. Brar, G. D. Wilk, and A. C. Seabaugh, Appl. Phys. Lett. 69, 2728 (1996).
38. C. Chaneliere, J. L. Autran, and R. A. Devine, J. Appl. Phys. 86, 480 (1999).
39. Z. Xu, M. Houssa, S. D. Gendt, and M. Heyns, Appl. Phys. Lett. 80, 1975 (2002).
40. M. Houssa, M. Tuominen, M. Naili, V. Afanas'ev, A. Stesmans, S. Haukka, and M. M. Heyns, J. Appl. Phys. 87, 8615 (2000).
41. J. P. Chang and Y. S. Lin, Appl. Phys. Lett. 79, 3666 (2001).
42. T. Kauerauf, R. Degraeve, E. Carder, B. Govoreanu, P. Blomme, B. Kaczer, L. Pantisano, A. Kerber, and G. Groeseneken, Tech. Dig. - Int. Electron Devices Meet. 2002, 521.
43. W. K. Chim, T. H. Ng, B. H. Koh, W. K. Choi, J. X. Zheng, C. H. Tung, and A. Y. Du, J. Appl. Phys. 93, 4788 (2003).
44. K. Deguchi, A. Ishida, S. Uno, Y. Kamakura, and K. Taniguchi, Appl. Phys. Lett. 77, 1384 (2000).
45. H. Yu, Y. T. Hou, M. F. Li, and D. L. Kwong, IEEE Trans. Electron Devices 49, 1158 (2002).
46. A. Haque and K. Alam, Appl. Phys. Lett. 81, 667 (2002).
47. C. Chang, M. S. Liang, C. Hu, and R. W. Broderson, Tech. Dig. - Int. Electron Devices Meet. 1983, 194.