Conduction mechanisms in Ta2O5/SiO2 and Ta2O5/Si3N4 stacked structures on Si

Journal of Applied Physics

Volumn 86, Issue 1, 1999, Pages 480-486

  Chaneliere, C ^a   Autran, J L ^a   Devine, R A B ^b  

^a UNIVERSITÉ DE LYON   (France)

^b ORANGE LABS   (France)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0000676784     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.370756     Document Type: Article

References (39)

1. H. Treichel, E. Eckstein, and W. Kern, Ceram. Int. 22, 435 (1996).
2. K. S. Tang, W. S. Lau, and G. S. Samudra, IEEE Circuits Devices Mag. 13, 27 (1997).
3. C. Chaneliere, J. L. Autran, R. A. B. Devine, and B. Balland, Mater. Sci. Eng., R. 22, 269 (1998).
4. S. A. Campbell, D. C. Gilmer, X. C. Wang, M. T. Hsieh, W. L. Gladfelter, and J. Yan, IEEE Trans. Electron Devices 44, 104 (1997).
5. H. S. Kim, S. A. Campbell, and D. C. Gilmer, IEEE Electron Device Lett. 18, 465 (1997).
6. Y. S. Choi, S. D. Choe, S. H. Kim, C. E. Kim, and D. Y. Yang, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 446, 337 (1997).
7. N. Fukushima, K. Abe, M. Izuka, T. Schimizu, and T. Kawakubo, Tech. Dig. Int. Electron Devices Meet. , 257 (1997).
8. Y. Matsui, K. Torii, M. Hirayama, Y. Fujisaki, S. Iijima, and Y. Ohji, IEEE Electron Device Lett. 17, 431 (1996).
9. G. B. Alers, R. M. Fleming, Y. H. Wong, B. Dennis, A. Pinczuk, G. Redinho, R. Urdahl, E. Ong, and Z. Hasan, Appl. Phys. Lett. 72, 1308 (1998).
10. Q. Lu, D. Park, A. Kalnitsky, C. Chang, C. C. Cheng, S. P. Tay, T. J. King, and C. Hu, IEEE Electron Device Lett. 19, 341 (1998).
11. Y. Ohji, Y. Matsui, T. Itoga, M. Hirayama, Y. Sugarawa, K. Torii, H. Miki, M. Nakata, I. Asano, S. Iijima, and Y. Kawamoto, Tech. Dig. Int. Electron Devices Meet., 111 (1995).
12. K. W. Kwon, C. S. Kang, S. O. Park, H. K. Kang, and S. T. Ahn, IEEE Trans. Electron Devices 43, 919 (1996).
13. K. A. McKinley and N. P. Sandler, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 446, 299 (1997).
14. S. O. Kim and H. J. Kim, J. Vac. Sci. Technol. B 12, 3006 (1994).
15. J. L. Autran, R. A. B. Devine, C. Chaneliere, and B. Balland, IEEE Electron Device Lett. 18, 447 (1997).
16. D. Park, Y. C. King, Q. Lu, T. J. King, C. Hu, A. Kalnitsky, S. P. Tay, and C. C. Cheng, IEEE Electron Device Lett. 19, 441 (1998).
17. C. Isobe and M. Saito, Appl. Phys. Lett. 56, 907 (1990).
18. S. Tanimoto, M. Matsui, K. Kamisako, K. Kuroiwa, and Y. Tarui, J. Electrochem. Soc. 139, 320 (1992).
19. S. W. Park, Y. K. Baek, J. Y. Lee, C. O. Park, and H. B. Im, J. Electron. Mater. 21, 635 (1992).
20. S. Kamiyama, H. Suzuki, H. Watanabe, A. Sakai, H. Kimura, and J. Mizuki, J. Electrochem. Soc. 141, 1246 (1994).
21. I. Kim, J. S. Kim, O. S. Kwon, S. T. Ahn, J. S. Chun, and W. J. Lee, J. Electron. Mater, 24, 1435 (1995).
22. S. C. Sun and T. F. Chen, IEEE Electron Device Lett. 17, 355 (1996).
23. K. Yamagishi and Y. Tarui, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 25, L306 (1986).
24. S. Banerjee, B. Shen, I. Chen, J. Bohlman, G. Brown, and R. Doering, J. Appl. Phys. 65, 1140 (1989).
25. T. Aoyama, S. Saida, Y. Okayama, M. Fujisaki, K. Imai,. and T. Arikado, J. Electrochem. Soc. 143, 977 (1996).
26. F. C. Chiu, J. J. Wang, J. Y. Lee, and S. C. Wu, J. Appl. Phys. 81, 6911 (1997).
27. S. Ezhilvalavan and T. Y. Tseng, J. Appl. Phys. 83, 4797 (1998).
28. C. Chaneliere, S. Four, J. L. Autran, and R. A. B. Devine, Microelectron. Reliab. 39, 261 (1999).
29. L. K. Han, G. W. Yoon, D. L. Kwong, V. K. Mathews, and P. C. Fazan, IEEE Electron Device Lett. 15, 280 (1994).
30. S. Kamiyama, P. Y. Lesaicherre, H. Suzuki, A. Sakai, I. Nishiyama, and A. Ishitani, J. Electrochem. Soc. 140, 1617 (1993).
31. R. A. B. Devine, C. Chaneliere, J. L. Autran, B. Balland, P. Paillet, and J. L. Leray, Microelectron. Eng. 36, 61 (1997).
32. C. Chaneliere, S. Four, J. L. Autran, and R. A. B. Devine, Electrochem. Solid-State Lett. 2, 291 (1999).
33. D. Frohman-Bentchkowsky and M. Lenzlinger, J. Appl. Phys. 40, 3307 (1969).
34. S. M. Sze, J. Appl. Phys. 38, 2951 (1967).
35. F. S. Johnson, R. M. Miller, M. C. Oztürk, and J. J. Wortman, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 146, 345 (1989).
36. J. G. Simmons, Phys. Rev. 155, 657 (1967).
37. J. R. Yeargan and H. L. Taylor, J. Appl. Phys. 39, 5600 (1968).
38. M. M. E. Beguwala and T. L. Gunckel, IEEE Trans. Electron Devices 25, 1023 (1978).
39. P. Gentil, in Instabilities in Silicon Devices - Silicon Passivation and Related Instabilities, edited by G. Barbottin and A. Vapaille (Elsevier, Amsterdam, 1989), Vol. 2, p. 659.