Electrical characterization of Alx Tiy Oz mixtures and Al2 O3 -Ti O2 - Al2 O3 nanolaminates

Journal of Applied Physics

Volumn 102, Issue 11, 2007, Pages

  Jõgi, Indrek ^a   Kukli, Kaupo ^a,b   Kemell, Marianna ^b   Ritala, Mikko ^b   Leskelä, Markku ^b  

^a UNIVERSITY OF TARTU   (Estonia)

^b UNIVERSITY OF HELSINKI   (Finland)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ATOMIC LAYER DEPOSITION; ELECTRIC PROPERTIES; LEAKAGE CURRENTS; MIS DEVICES; PERMITTIVITY; TITANIUM COMPOUNDS;

DIELECTRIC PERFORMANCE; FLATBAND VOLTAGE;

ALUMINA;

EID: 37149030615     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2822460     Document Type: Article

References (54)

1. E. P. Gusev, V. Narayanan, and M. M. Frank, IBM J. Res. Dev. 50, 387 (2006).
2. J.-P. Locquet, C. Marchiori, M. Sousa, J. Fompeyrine, and J. W. Seo, J. Appl. Phys. 100, 051610 (2006).
3. H. Wong and H. Iwai, Microelectron. Eng. 83, 1867 (2006).
4. S. K. Ray, R. Mahapatra, and S. Maikap, J. Mater. Sci.: Mater. Electron. 17, 689 (2006).
5. V. Mikhelashvili and G. Eisenstein, Thin Solid Films 515, 346 (2006).
6. W. Yang, J. Marino, A. Monson, and C. A. Wolden, Semicond. Sci. Technol. 21, 1573 (2006).
7. M. Ritala, K. Kukli, A. Rahtu, P. I. Räisänen, M. Leskelä, T. Sajavaara, and J. Keinonen, Science 288, 319 (2000).
8. S. Dueas, H. Castán, H. García, A. de Castro, L. Bailon, K. Kukli, A. Aidla, J. Aarik, H. Mändar, T. Uustare, J. Lu, and A. Hrsta, J. Appl. Phys. 99, 054902 (2006).
9. S.-J. Ding, D. W. Zhang, and L.-K. Wang, J. Phys. D 40, 1072 (2007).
10. P. K. Park and S.-W. Kang, Appl. Phys. Lett. 89, 192905 (2006).
11. V. Mikelashvili, B. Meyler, J. Shneider, O. Kreinin, and G. Eisenstein, Microelectron. Reliab. 45, 933 (2005).
12. C. S. Desu, P. C. Joshi, and S. B. Desu, J. Electroceram. 10, 209 (2003).
13. W. F. A. Besling, E. Young, T. Conard, C. Zhao, R. Carter, W. Vandervorst, M. Caymax, S. De Gendt, M. Heyns, J. Maes, M. Tuominen, and S. Haukka, J. Non-Cryst. Solids 303, 123 (2002).
14. W.-M. Li, M. Ritala, M. Leskelä, R. Lappalainen, J. Jokinen, E. Soininen, B. Hüttl, E. Nykänen, and L. Niinistö, J. Appl. Phys. 84, 1029 (1998).
15. S. B. Chen, C. H. Lai, K. T. Chan, A. Chin, J. C. Hsieh, and J. Liu, IEEE Electron Device Lett. 23, 203 (2002).
16. O. Auciello, W. Fan, B. Kabius, S. Saha, J. A. Carlisle, R. P. H. Chang, C. Lopez, E. A. Irene, and R. A. Baragiola, Appl. Phys. Lett. 86, 042904 (2005).
17. L. Shi, Y. D. Xia, B. Xu, J. Yin, and Z. G. Liu, J. Appl. Phys. 101, 034102 (2007).
18. R. Matero, M. Ritala, M. Leskelä, T. Salo, J. Aromaa, and O. Forśn, J. Phys. IV 9, 493 (1999).
19. Y. S. Kim and S. J. Kim, J. Cryst. Growth 274, 585 (2005).
20. D. R. G. Mitchell, D. J. Attard, K. S. Finnie, G. Triani, C. J. Barb́, C. Depagne, and J. R. Bartlett, Appl. Surf. Sci. 243, 265 (2005).
21. P. Vitanov, A. Harizanova, T. Ivanova, Z. Alexieva, and G. Agostinelli, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 45, 5894 (2006).
22. K. Kukli, M. Ritala, M. Leskelä, J. Sundqvist, L. Oberbeck, J. Heitmann, U. Schröder, J. Aarik, and A. Aidla, Thin Solid Films 515, 6447 (2007).
23. R. Yasuhara, M. Komatsu, H. Takahashi, S. Toyoda, J. Okabayashi, H. Kumigashira, M. Oshima, D. Kukuruznyak, and T. Chikyow, Appl. Phys. Lett. 89, 122904 (2006).
24. E. Gerritsen, N. Emonet, C. Caillat, N. Jourdan, M. Piazza, D. Fraboulet, B. Boeck, A. Berthelot, S. Smith, and P. Mazoyer, Solid-State Electron. 49, 1767 (2005).
25. M. Ritala, M. Leskelä, J.-P. Dekker, C. Mutsaers, P. J. Soininen, and J. Skarp, Chem. Vap. Deposition 5, 7 (1999).
26. U. Schroeder, S. Jakschik, E. Erben, A. Avellan, S. P. Kudelka, M. Kerber, A. Link, and A. Kersch, ECS Trans. 1, 125 (2006).
27. E. M. Vogel, K. Z. Ahmed, B. Hornung, W. K. Henson, P. K. McLarty, G. Lucovsky, J. R. Hauser, and J. J. Wortman, IEEE Trans. Electron Devices 45, 1350 (1998).
28. R. Matero, A. Rahtu, M. Ritala, M. Leskelä, and T. Sajavaara, Thin Solid Films 368, 1 (2000).
29. R. A. Waldo, in Microbeam Analysis, edited by, D. E. Newbury, (San Francisco Press, San Francisco, 1988), p. 310.
30. G. L. Snider, I.-H. Tan, and E. L. Hu, J. Appl. Phys. 68, 2849 (1990).
31. I.-H. Tan, G. L. Snider, and E. L. Hu, J. Appl. Phys. 68, 4071 (1990).
32. J. G. Simmons, J. Phys. D 4, 613 (1971).
33. D. Gitlin, J. Karp, and B. Moyzhes, J. Phys. D 40, 2143 (2007).
34. J. Robertson, Rep. Prog. Phys. 69, 327 (2006).
35. M. D. Groner, J. W. Elam, F. H. Fabreguette, and S. M. George, Thin Solid Films 413, 186 (2002).
36. J. Yan, D. C. Gilmer, S. A. Campbell, W. L. Gladfelter, and P. G. Schmid, J. Vac. Sci. Technol. B 14, 1706 (1996).
37. S. Chakraborty, M. K. Bera, S. Bhattacharya, and C. K. Maiti, Microelectron. Eng. 81, 188 (2005).
38. L. H. Chong, K. Mallik, C. H. Groot, and R. Kersting, J. Phys.: Condens. Matter 18, 645 (2006).
39. W. Yang, J. Marino, A. Monson, and C. A. Wolden, Semicond. Sci. Technol. 21, 1573 (2006).
40. C. C. Fulton, G. Lucovsky, and R. J. Nemanich, J. Vac. Sci. Technol. B 20, 1726 (2002).
41. L. Fleming, C. C. Fulton, G. Lucovsky, J. E. Rowe, M. D. Ulrich, and J. Lüning, J. Appl. Phys. 102, 033707 (2007).
42. S. Maikap, T.-Y. Wang, P.-J. Tzeng, C.-H. Lin, T. C. Tien, L. S. Lee, J.-R. Yang, and M.-J. Tsai, Appl. Phys. Lett. 90, 262901 (2007).
43. X. F. Wang, Q. Li, R. F. Egerton, P. F. Lee, J. Y. Dai, Z. F. Hou, and X. G. Gong, J. Appl. Phys. 101, 013514 (2007).
44. S. Shaimeev, V. Gritsenko, K. Kukli, H. Wong, E.-H. Lee, and C. Kim, Microelectron. Reliab. 47, 36 (2007).
45. F. Cardon and W. P. Gomes, J. Phys. D 11, L63 (1978).
46. L. Zhong, W. L. Daniel, Z. Zhang, S. A. Campell, and W. L. Gladfelter, Chem. Vap. Deposition 12, 143 (2006).
47. G. Lupina, T. Schroeder, C. Wenger, J. Dabrowski, and H.-J. Müssig, Appl. Phys. Lett. 89, 222909 (2006).
48. T. Hori, in Gate Dielectrics and MOS ULSIs: Principles, Technologies, and Applications, Springer Series in Electronis and Photonics Vol. 34, edited by, I. P. Kaminow, W. Engl, T. Sugano, and, H. K. V. Lotsch, (Springer, Berlin, 1997), pp. 71-74.
49. M. Specht, M. Städele, S. Jakschik, and U. Schröder, Appl. Phys. Lett. 84, 3076 (2004).
50. O. Blank, H. Reisinger, R. Stengl, M. Gutsche, F. Wiest, V. Capodieci, J. Schulze, and I. Eisele, J. Appl. Phys. 97, 044107 (2005).
51. I. Jgi, K. Kukli, J. Aarik, A. Aidla, and J. Lu, Mater. Sci. Semicond. Process. 9, 1084 (2006).
52. I. Levin, M. Kovler, Y. Roizin, M. Vofsi, R. D. Leapman, G. Goodman, N. Kawada, and M. Funashi, J. Electrochem. Soc. 151, G833 (2004).
53. M. Lisiansky, A. Heiman, M. Kovler, A. Fenigstein, Y. Roizin, I. Levin, A. Gladkikh, M. Oksman, R. Edrei, A. Hoffman, Y. Shnieder, and T. Claasen, Appl. Phys. Lett. 89, 153506 (2006).
54. J. Robertson, K. Xiong, and S. J. Clark, Thin Solid Films 496, 1 (2006).