Atomic layer deposition, characterization, and dielectric properties of HfO2/SiO2 nanolaminates and comparisons with their homogeneous mixtures

Chemical Vapor Deposition

Volumn 12, Issue 2-3, 2006, Pages 143-150

  Zhong, Lijuan ^a   Daniel, Weston L ^a   Zhang, Zhihong ^a   Campbell, Stephen A ^a   Gladfelter, Wayne L ^a  

^a University of Minnesota   (United States)

Author keywords

ALD; Dielectric constant; Hafnia; Nanolaminates; Silica

Indexed keywords

CAPACITORS; DEPOSITION; DIELECTRIC PROPERTIES; NANOSTRUCTURED MATERIALS; OXIDATION; PERMITTIVITY; REFLECTOMETERS; SILICA; SUBSTRATES; TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; X RAYS;

ALD; HAFNIA; NANOLAMINATES; X RAY REFLECTOMETRY (XRR);

HAFNIUM COMPOUNDS;

EID: 33645559369     PISSN: 09481907     EISSN: 15213862     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/cvde.200506375     Document Type: Article

References (35)

1. G. D. Wilk. R. M. Wallace, J. M. Anthony, J. Appl Phys. 2001, 89, 5243.
2. A. C. Jones, H. C. Aspinall, P. R. Chalker. R. J. Potter, K. Kukli. A. Rahtu, M. Ritala, M. Leskela. J. Mater. Chem. 2004, 14, 3101.
3. K. Kukli, J. Ihanus, M. Ritala, M. Leskela, Appl. Phys. Lett. 1996, 68, 3737.
4. W. F. A. Besling, E. Young, T. Conard, C. Zhao, R. Carter, W. Vandervorst, M. Caymax, S. De Gendt, M. Heyns, J. Maes, M. Tuominen, S. Haukka, J. Non-Cryst. Solids 2002, 303, 123.
5. M. H. Cho, Y. S. Roh, C. N. Whang, K. Jeong, H. J. Choi, S. W. Nam, D. H. Ko. J. H. Lee, N. I. Lee, K. Fujihara, Appl. Phys. Lett. 2002, 81, 1071.
6. |6] K. Kukli, M. Ritala, M. Leskelae, T. Sajavaara, J. Keinonen, D. C. Gilmer, R. Hegde, R. Rai, L. Prabhu, J. Mater. Sci.: Mater. Electron. 2003. 14, 361.
7. L. Zhong, F. Chen, S. A. Campbell. W. L. Gladfelter, Chem. Mater. 2004, 16, 1098.
8. S. Duenas, H. Castan, H. Garcia, J. Barbolla, K. Kukli, M. Ritala, M. Leskela, Thin Solid Films 2005, 474, 222.
9. D. G. Colombo, D. C. Gilmcr, V. G. Young, Jr., S. A. Campbell, W. L. Gladfelter, Chem. Vap. Deposition 1998, 4, 220.
10. D. C. Gilmer. D. G. Colombo, C. J. Taylor, J. Roberts, G. Haugstad, S. A. Campbell. H. S. Kim, G. D. Wilk, M. A. Gribelyuk, W. L. Gladfelter. Chem. Vap. Deposition 1998, 4, 9.
11. C. J. Taylor, D. C. Gilmer, D. G. Colombo, G. D. Wilk, S. A. Campbell. J. Roberts, W. L. Gladfelter, J. Am. Chem. Soc. 1999, 121, 5220.
12. |12] R. C. Smith, T. Ma, N. Hoilien, L. Y. Tsung, M. J. Bevan, L. Colombo, J. Roberts. S. A. Campbell. W. L. Gladfelter, Adv. Mater. Opt. Electron. 2000.10, 105.
13. W. Zhuang, J. F. Conley, Y. Ono, D. R. Evans, R. Solanki, Integr. Ferroelect. 2002, 48, 3.
14. J. Park, B. K. Park, M. Cho, C. S. Hwang, K. Oh, D. Y. Yang. J. Electrochem. Soc. 2002, 149, 089.
15. R. C. Smith. N. Hoilien, J. Chien, S. A. Campbell, J. T. Roberts, W. L. Gladfelter, Chem. Mater. 2003, 15, 292.
16. J. F. Conley. Jr., Y. Ono, D. J. Tweet, W. Zhuang, R. Solanki. J. Appl. Phys. 2003, 93, 712.
17. W. He, R. Solanki, J. F. Conley. Jr., Y. Ono, J. Appl. Phys. 2003, 94, 3657.
18. B. Xia, F. Chen, S. A. Campbell. J. T. Roberts, W. L. Gladfelter. Chem. Vap. Deposition 2004, 10, 195.
19. L. Zhong, Z. Zhang, S. A. Campbell, W. L. Gladfelter, J. Mater. Chem. 2004, 14, 3203.
20. R. G. Gordon. J. Becker, D. Hausmann. S. Suh. Chem. Mater. 2001, 13, 2463.
21. D. Hausmann, J. Becker, S. Wang, R. G. Gordon. Science 2002, 298, 402.
22. S. M. Gates, D. A. Neumayer. US Patent 6203613, 2001.
23. R. Ruh, P. W. R. Corfield. J. Am. Ceram. Soc. 1970, 53, 126.
24. R. E. Hann. P. R. Suitch, J. L. Pentecost, J. Am. Ceram. Soc. 1985, 68, C-285.
25. J. M. Jensen. A. B. Oelkers, R. Toivola. D. C. Johnson, J. W. Elam, S. M. George. Chem. Mater. 2002, 14, 2276.
26. S. V. Ushakov, A. Navrotsky, Y. Yang, S. Stemmer, K. Kukli. M. Ritala, M. A. Leskela, P. Fejes, A. Demkov, C. Wang. B. Y. Nguyen, D. Triyoso, P. Tobin, Phys. Status Solidi B 2004, 241, 2268.
27. G. D. Wilk, R. M. Wallace, J. M. Anthony, J. Appl. Phys. 2000, 87, 484.
28. J. Zhu, Z. G. Liu, Y. Feng, J. Phys. D: Appl. Phys. 2003, 36, 3051.
29. J. Kim, K. Yong, J. Cryst. Growth 2004, 263, 442.
30. R. B. Van Dover, L. Manchanda, M. L. Green, G. Wilk. E. Garfunkel, B. Busch, private communication.
31. G. Lucovsky, G. B. Rayner, Jr., Appl. Phys. Lett. 2000, 77, 2912.
32. R. A. B. Devine, A. G. Revesz, J. Appl. Phys. 2001, 90, 389.
33. G. M. Rignanese, F. Detraux, X. Gonze, A. Bongiorno. A. Pasquarello. Phys. Rev. Lett. 2002, 89, 117 601.
34. B. O. Field. C. J. Hardy, Proc. Chem. Soc. 1962, 76.
35. R. C. Smith, N. Hoilien, C. J. Taylor, T. Ma, S. A. Campbell, J. T. Roberts, M. Copel, D. A. Buchanan, M. Gribelyuk. W. L. Gladfelter, J. Electrochem. Soc. 2000, 147, 3472.