Mechanism of power consumption inhibitive multi-layer Zn:SiO 2/SiO2 structure resistance random access memory

Journal of Applied Physics

Volumn 114, Issue 23, 2013, Pages

  Zhang, Rui ^a   Tsai, Tsung Ming ^b   Chang, Ting Chang ^b,c   Chang, Kuan Chang ^b   Chen, Kai Huang ^d   Lou, Jen Chung ^a   Young, Tai Fa ^b   Chen, Jung Hui ^e   Huang, Syuan Yong ^b   Chen, Min Chen ^b   Shih, Chih Cheng ^b   Chen, Hsin Lu ^b   Pan, Jhih Hong ^b   Tung, Cheng Wei ^b   Syu, Yong En ^b   Sze, Simon M ^f  

^a PEKING UNIVERSITY   (China)

^b NATIONAL SUN YAT SEN UNIVERSITY   (Taiwan)

^c NATIONAL CHENG KUNG UNIVERSITY   (Taiwan)

^d Tung Fang Design Institute   (Taiwan)

^e NATIONAL KAOHSIUNG NORMAL UNIVERSITY   (Taiwan)

^f NATIONAL CHIAO TUNG UNIVERSITY   (Taiwan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

AUGER-ELECTRON SPECTRA; CARRIER CONDUCTION; CONDUCTION CURRENT; FILAMENT FORMATION; HIGH-RESISTANCE STATE; LOW-RESISTANCE STATE; RESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY (RRAM); STRUCTURE RESISTANCE;

AUGER ELECTRON SPECTROSCOPY; NONVOLATILE STORAGE;

ZINC;

EID: 84891471007     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.4843695     Document Type: Article

References (46)

1. L. J. Zhen, W. H. Guan, L. W. Shang, M. Liu, and G. Liu, J. Phys. D: Appl. Phys. 41, 135111 (2008). 10.1088/0022-3727/41/13/135111
2. X. Y. Dong, X. X. Wu, G. Y. Sun, Y. Xie, H. Li, and Y. Chen, in Proceedings of the Design Automation Conference (2008), pp. 554-559.
3. T. C. Chang, F. Y. Jian, S. C. Chen, and Y. T. Tsai, Mater. Today 14 (12), 608-615 (2011). 10.1016/S1369-7021(11)70302-9
4. S. C. Chen, T. C. Chang, P. T. Liu, Y. C. Wu, P. S. Lin, B. H. Tseng, J. H. Shy, S. M. Sze, C. Y. Chang, and C. H. Lien, IEEE Electron Device Lett. 28 (9), 809-811 (2007). 10.1109/LED.2007.903885
5. W. R. Chen, T. C. Chang, J. L. Yeh, S. M. Sze, and C. Y. Chang, Appl. Phys. Lett. 92 (15), 152114 (2008). 10.1063/1.2905812
6. P. H. Yeh, L. J. Chen, P. T. Liu, D. Y. Wang, and T. C. Chang, Electrochim. Acta 52 (8), 2920-2926 (2007). 10.1016/j.electacta.2006.09.006
7. P. H. Yeh, C. H. Yu, L. J. Chen, H. H. Wu, P. T. Liu, and T. C. Chang, Appl. Phys. Lett. 87 (19), 193504 (2005). 10.1063/1.2126150
8. Q. Liu, W. H. Guan, S. B. Long, R. Jia, M. Liu, and J. Chen, Appl. Phys. Lett. 92, 012117 (2008). 10.1063/1.2832660
9. Q. Liu, W. H. Guan, S. B. Long, M. Liu, S. Zhang, Q. Wang, and J. N. Chen, J. Appl. Phys. 104, 114514 (2008). 10.1063/1.3033561
10. M. C. Chen, T. C. Chang, C. T. Tsai, S. Y. Huang, S. C. Chen, C. W. Hu, S. M. Sze, and M. J. Tsai, Appl. Phys. Lett. 96, 262110 (2010). 10.1063/1.3456379
11. Y. E. Syu, T. C. Chang, T. M. Tsai, Y. C. Hung, K. C. Chang, M. J. Tsai, M. J. Kao, and S. M. Sze, IEEE Electron Device Lett. 32, 545-547 (2011). 10.1109/LED.2011.2104936
12. Y. T. Tsai, T. C. Chang, C. C. Lin, S. C. Chen, C. W. Chen, S. M. Sze, F. S. Yeh, and T. Y. Tseng, Electrochem. Solid-State Lett. 14 (3), H135-H138 (2011). 10.1149/1.3531843
13. S. Y. Wang, C. W. Huang, D. Y. Lee, T. Y. Tseng, and T. C. Chang, J. Appl. Phys. 108 (11), 114110 (2010). 10.1063/1.3518514
14. T. M. Tsai, K. C. Chang, T. C. Chang, Y. E. Syu, K. H. Liao, B. H. Tseng, and S. M. Sze, Appl. Phys. Lett. 101 (11), 112906 (2012). 10.1063/1.4750235
15. S. Tappertzhofen, S. Menzel, I. Valov, and R. Waser, Appl. Phys. Lett. 99, 203103 (2011). 10.1063/1.3662013
16. C. Schindler, S. C. P. Thermadam, R. Waser, and M. N. Kozicki, IEEE Trans. Electron Devices 54 (10), 2762-2768 (2007). 10.1109/TED.2007.904402
17. T. M. Tsai, K. C. Chang, T. C. Chang, Y. E. Syu, S. L. Chuang, G. W. Chang, G. R. Liu, M. C. Chen, H. C. Huang, S. K. Liu, IEEE Electron Device Lett. 33 (12), 1696-1698 (2012). 10.1109/LED.2012.2217933
18. T. M. Tsai, K. C. Chang, R. Zhang, T. C. Chang, J. C. Lou, J. H. Chen, T. F. Young, B. H. Tseng, C. C. Shih, Y. C. Pan, Appl. Phys. Lett. 102, 253509 (2013). 10.1063/1.4812474
19. K. C. Chang, T. M. Tsai, T. C. Chang, H. H. Wu, J. H. Chen, Y. E. Syu, G. W. Chang, T. J. Chu, G. R. Liu, Y. T. Su, IEEE Electron Device Lett. 34 (3), 399-401 (2013). 10.1109/LED.2013.2241725
20. K. C. Chang, T. M. Tsai, T. C. Chang, H. H. Wu, K. H. Chen, J. H. Chen, T. F. Young, T. J. Chu, J. Y. Chen, C. H. Pan, IEEE Electron Device Lett. 34 (4), 511-513 (2013). 10.1109/LED.2013.2248075
21. K. C. Chang, T. M. Tsai, R. Zhang, T. C. Chang, K. H. Chen, J. H. Chen, T. F. Young, J. C. Lou, T. J. Chu, C. C. Shih, Appl. Phys. Lett. 103, 083509 (2013). 10.1063/1.4819162
22. K. C. Chang, C. H. Pan, T. C. Chang, T. M. Tsai, R. Zhang, J. C. Lou, T. F. Young, J. H. Chen, C. C. Shih, T. J. Chu, IEEE Electron Device Lett. 34 (5), 617-619 (2013). 10.1109/LED.2013.2251995
23. K. C. Chang, R. Zhang, T. C. Chang, T. M. Tsai, J. C. Lou, J. H. Chen, T. F. Young, M. C. Chen, Y. L. Yang, Y. C. Pan, IEEE Electron Device Lett. 34 (5), 677-679 (2013). 10.1109/LED.2013.2250899
24. K. C. Chang, T. M. Tsai, T. C. Chang, Y. E. Syu, Chia -C. Wang, S. K. Liu, S. L. Chuang, C. H. Li, D. S. Gan, and S. M. Sze, Appl. Phys. Lett. 99 (26), 263501 (2011). 10.1063/1.3671991
25. S. B. Long, L. Perniola, C. Cagli, J. Buckley, X. J. Lian, E. Miranda, F. Pan, M. Liu, and J. Sune, Sci. Rep. 3, 2929 (2013).
26. S. B. Long, X. J. Lian, C. Cagli, L. Perniola, E. Miranda, M. Liu, and J. Sune, IEEE Electron Device Lett. 34 (8), 999-1001 (2013). 10.1109/LED.2013. 2266332
27. T. M. Tsai, K. C. Chang, T. C. Chang, G. W. Chang, Y. E. Syu, Y. T. Su, G. R. Liu, K. H. Liao, M. C. Chen, H. C. Huang, Y. H. Tai, D. S. Gan, C. Ye, H. Wang, and S. M. Sze, IEEE Electron Device Lett. 33 (12), 1693-1695 (2012). 10.1109/LED.2012.2217932
28. D. H. Kwon, K. M. Kim, J. H. Jang, J. M. Jeon, M. H. Lee, G. H. Kim, X. S. Li, G. S. Park, B. Lee, S. Han, M. Kim, and C. S. Hwang, Nat. Nanotechnol. 5, 148-153 (2010). 10.1038/nnano.2009.456
29. W. Y. Chang, C. Lin, J. He, and T. Wu, Appl. Phys. Lett. 96, 242109 (2010). 10.1063/1.3453450
30. W. H. Guan, S. B. Long, R. Jia, and M. Liu, Appl. Phys. Lett. 91, 062111 (2007). 10.1063/1.2760156
31. Y. E. Syu, T. C. Chang, T. M. Tsai, G. W. Chang, K. C. Chang, Y. H. Tai, M. J. Tsai, Y. L. Wang, and S. M. Sze, Appl. Phys. Lett. 100 (2), 022904 (2012). 10.1063/1.3676194
32. R. Waser, R. Dittmann, G. Staikov, and K. Szot, Adv. Mater. 21, 2632-2663 (2009). 10.1002/adma.200900375
33. K. C. Chang, T. M. Tsai, T. C. Chang, Y. E. Syu, S. L. Chuang, C. H. Li, D. S. Gan, and S. M. Sze, Electrochem. Solid-State Lett. 15 (3), H65-H68 (2012). 10.1149/2.013203esl
34. C. Walczyk, C. Wenger, R. Sohal, M. Lukosius, A. Fox, J. Da̧browski, D. Wolansky, B. Tillack, H.-J. Müssig, and T. Schroeder, J. Appl. Phys. 105, 114103 (2009). 10.1063/1.3139282
35. J. Shin, I. Kim, K. P. Biju, M. Jo, J. Park, J. Lee, S. Jung, W. Lee, S. Kim, and S. Park, J. Appl. Phys. 109, 033712 (2011). 10.1063/1.3544205
36. M. J. Lee, C. B. Lee, D. S. Lee, S. R. Lee, M. Chang, J. H. Hur, Y. B. Kim, C. J. Kim, D. H. Seo, S. Seo, U. I. Chung, I. K. Yoo, and K. Kim, Nature Mater. 10, 625-630 (2011). 10.1038/nmat3070
37. M. C. Chen, T. C. Chang, S. Y. Huang, K. C. Chang, H. W. Li, S. C. Chen, J. Lu, and Y. Shi, Appl. Phys. Lett. 94 (16), 162111 (2009). 10.1063/1.3124658
38. N. Xu, L. F. Liu, X. Sun, C. Chen, Y. Wang, D. D. Han, X. Y. Liu, R. Q. Han, J. F. Kang, and B. Yu, Semicond. Sci. Technol. 23, 075019 (2008). 10.1088/0268-1242/23/7/075019
39. Y. C. Chen, T. C. Chang, H. W. Li, S. C. Chen, J. Lu, W. F. Chung, Y. H. Tai, and T. Y. Tseng, Appl. Phys. Lett. 96 (26), 262104 (2010). 10.1063/1.3457996
40. W. F. Chung, T. C. Chang, H. W. Li, S. C. Chen, Y. C. Chen, T. Y. Tseng, and Y. H. Tai, Appl. Phys. Lett. 98 (15), 152109 (2011). 10.1063/1.3580614
41. T. C. Chen, T. C. Chang, T. Y. Hsieh, C. T. Tsai, S. C. Chen, C. S. Lin, M. C. Hung, C. H. Tu, J. J. Chang, and P. L. Chen, Appl. Phys. Lett. 97 (19), 192103 (2010). 10.1063/1.3514251
42. S. W. Tsao, T. C. Chang, S. Y. Huang, M. C. Chen, S. C. Chen, C. T. Tsai, Y. J. Kuo, Y. C. Chen, and W. C. Wu, Solid-State Electron. 54 (12), 1497-1499 (2010). 10.1016/j.sse.2010.08.001
43. T. C. Chen, T. C. Chang, T. Y. Hsieh, W. S. Lu, F. Y. Jian, C. T. Tsai, S. Y. Huang, and C. S. Lin, Appl. Phys. Lett. 99 (2), 022104 (2011). 10.1063/1.3609873
44. H. Klauk, M. Halik, U. Zschieschang, G. Schmid, and W. Radlik, J. Appl. Phys. 92 (9), 5259 (2002). 10.1063/1.1511826
45. R. Martins, E. Fortunato, P. Nunes, I. Ferreira, and A. Marques, J. Appl. Phys. 96 (3), 1398 (2004). 10.1063/1.1765864
46. Y. E. Syu, T. C. Chang, J. H. Lou, T. M. Tsai, K. C. Chang, M. J. Tsai, Y. L. Wang, M. Liu, and S. M. Sze, Appl. Phys. Lett. 102, 172903 (2013). 10.1063/1.4802821