Volatility and high thermal stability in mid- to late-first-row transition-metal diazadienyl complexes

Organometallics

Volumn 30, Issue 18, 2011, Pages 5010-5017

  Knisley, Thomas J ^a   Saly, Mark J ^b   Heeg, Mary Jane ^a   Roberts, John L ^b   Winter, Charles H ^a  

^a WAYNE STATE UNIVERSITY   (United States)

^b SAFC Hitech   (United Kingdom)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CRYSTAL STRUCTURE DETERMINATION; CRYSTALLINE METALS; GROWTH PRECURSORS; HIGH THERMAL STABILITY; INERT ATMOSPHERES; LITHIUM METALS; MONOMERIC COMPLEXES; NONVOLATILE RESIDUE; RADICAL ANIONS; SOLID-STATE DECOMPOSITION; SUBLIMATION TEMPERATURE; TETRA-HYDROFURAN; TETRAHEDRAL COORDINATION; WEIGHT LOSS;

CHROMIUM; CHROMIUM COMPOUNDS; COBALT; COORDINATION REACTIONS; CRYSTAL STRUCTURE; FILM GROWTH; LITHIUM; MANGANESE; METALS; PHASE TRANSITIONS; SUBLIMATION; THERMOGRAVIMETRIC ANALYSIS;

COBALT COMPOUNDS;

EID: 80053037024     PISSN: 02767333     EISSN: 15206041     Source Type: Journal    
DOI: 10.1021/om200626w     Document Type: Article

References (90)

1. Kim, H. Surf. Coat. Technol. 2006, 200, 3104-3111
2. Kim, H. J. Vac. Sci. Technol. B 2003, 21, 2231-2261
3. Merchant, S. M.; Kang, S. H.; Sanganeria, M.; van Schravendijk, B.; Mountsier, T. JOM-J. Miner. Met. Mater. Soc. 2001, 52, 43-48
4. Wang, S.-Q. MRS Bull. 1994, 19, 30-40
5. Roule, A.; Amuntencei, M.; Deronzier, E.; Haumesser, P. H.; Da Silva, S.; Avale, X.; Pollet, O.; Baskaran, R.; Passemard, G. Microelectron. Eng. 2007, 84, 2610-2614
6. Waechtler, T.; Ding, S.-F.; Hofmann, L.; Mothes, R.; Xie, Q.; Oswald, S.; Detavernier, C.; Schultz, S. E.; Qu, X.-P.; Lang, H.; Gessner, T. Microelectron. Eng. 2011, 88, 684-689
7. Moon, D.-Y.; Han, D.-S.; Shin, S.-Y.; Park, J.-W.; Kim, B. M.; Kim, J. H. Thin Solid Films 2011, 519, 3636-3640
8. Ma, Q.; Guo, H.; Gordon, R. G.; Zaera, F. Chem. Mater. 2010, 22, 352-359
9. Dai, M.; Kwon, J.; Halls, M. D.; Gordon, R. G.; Chabal, Y. J. Langmuir 2010, 26, 3911-3917
10. Vidjayacoumar, B.; Emslie, D. J. H.; Clendenning, S. B.; Blackwell, J. M.; Britten, J. F.; Rheingold, A. L. Chem. Mater. 2010, 22, 4844-4853
11. Vidjayacoumar, B.; Emslie, D. J. H.; Clendenning, S. B.; Blackwell, J. M.; Britten, J. F. Chem. Mater. 2010, 22, 4854-4866
12. Hsu, I. J.; McCandless, B. E.; Weiland, C.; Willis, B. G. J. Vac. Sci. Technol. A 2009, 27, 660-667
13. Lee, B. H.; Hwang, J. K.; Nam, J. W.; Lee, S. U.; Kim, J. T.; Koo, S. M.; Baunemann, A.; Fischer, R. A.; Sung, M. M. Angew. Chem., Int. Ed. 2009, 48, 4536-4539
14. Li, Z.; Gordon, R. G. Chem. Vap. Deposition 2006, 12, 435-441
15. Li, Z.; Rahtu, A.; Gordon, R. G. J. Electrochem. Soc. 2006, 153, C787-C794
16. Park, K.-H.; Bradley, A. Z.; Thompson, J. S.; Marshall, W. J. Inorg. Chem. 2006, 45, 8480-8482
17. Li, Z.; Gordon, R. G.; Farmer, D. B.; Lin, Y.; Vlassak, J. Electrochem. Solid-State Lett. 2005, 8, G182-G185
18. Niskanen, A.; Rahtu, A.; Sajavaara, T.; Arstila, K.; Ritala, M.; Leskelä, M. J. Electrochem. Soc. 2005, 152, G25-G28
19. Li, Z.; Barry, S. T.; Gordon, R. G. Inorg. Chem. 2005, 44, 1728-1735
20. Lim, B. S.; Rahtu, A.; Gordon, R. G. Nat. Mater. 2003, 2, 749-754
21. Lim, B. S.; Rahtu, A.; Park, J. S.; Gordon, R. G. Inorg. Chem. 2003, 42, 7951-7958
22. Huo, J.; Solanki, R.; McAndrew, J. J. Mater. Res. 2002, 17, 2394-2398
23. Solanki, R.; Pathangey, B. Electrochem. Solid-State Lett. 2000, 3, 479-480
24. Martensson, P.; Carlsson, J.-O. Chem. Vap. Deposition 1997, 3, 45-50
25. Juppo, M.; Ritala, M.; Leskelä, M. J. Vac. Sci. Technol. A 1997, 15, 2330-2333
26. Haneda, M.; Iijima, J.; Koike, J. Appl. Phys. Lett. 2007, 90, 252107
27. Usui, T.; Nasu, H.; Takahashi, S.; Shimizu, N.; Nishikawa, T.; Yoshimaru, M.; Shibata, H.; Wada, M.; Koike, J. IEEE Trans. Electron Devices 2006, 52, 2492-2499
28. Koike, J.; Wada, M. Appl. Phys. Lett. 2005, 87, 041911
29. Chu, J. P.; Lin, C. H.; John, V. S. Appl. Phys. Lett. 2007, 91, 132109
30. Barmak, K.; Cabral, C., Jr.; Rodbell, K. P.; Harper, J. M. E. J. Vac. Sci. Technol. B 2006, 24, 2485-2498
31. Lee, H.-B.-R.; Band, S.-H.; Kim, W.-H.; Gu, G. H.; Lee, Y. K.; Chung, T.-M.; Kim, C. G.; Park, C. G.; Kim, H. Jpn. J. Appl. Phys. 2010, 49, 05FA11
32. Lee, H.-B.-R.; Gu, G. H.; Son, J. Y.; Park, C. G.; Kim, H. Small 2008, 4, 2247-2254
33. Yang, C.-M.; Yun, S.-W.; Ha, J.-B.; Na, K.-I.; Cho, H.-I.; Lee, H.-B.; Jeong, J.-H.; Kong, S.-H.; Hahm, S.-H.; Lee, J.-H. Jpn. J. Appl. Phys. 2007, 46, 1981-1983
34. Do, K.-W.; Yang, C.-M.; Kang, I.-S.; Kim, K.-M.; Back, K.-H.; Cho, H.-I.; Lee, H.-B.; Kong, S.-H.; Hahm, S.-H.; Kwon, D.-H.; Lee, J.-H.; Lee, J. H. Jpn. J. Appl. Phys. 2006, 45, 2975-2979
35. Chae, J.; Park, H.-S.; Kang, S.-W. Electrochem. Solid-State Lett. 2002, 5, C64-C66
36. Kang, S. H. JOM 2008, 60, 28-33
37. Vaz, C. A. F.; Bland, J. A. C.; Lauhoff, G. Rep. Prog. Phys. 2008, 71, 056501
38. Shiratsuchi, Y.; Yamamoto, M.; Bader, S. D. Prog. Surf. Sci. 2007, 82, 121-160
39. International Technology Roadmap for Semiconductors, http://www.itrs.net/ .
40. Leskelä, M.; Ritala, M. Angew. Chem., Int. Ed. 2003, 42, 5548-5554
41. Leskelä, M.; Ritala, M. Thin Solid Films 2002, 409, 138-146
42. Ritala, M.; Leskelä, M. Nanotechnology 1999, 10, 19-24
43. Niinistö, L. Curr. Opin. Solid State Mater. Sci. 1998, 3, 147-152
44. Ritala, M. Appl. Surf. Sci. 1997, 112, 223-230
45. Suntola, T. Thin Solid Films 1992, 216, 84-89
46. Putkonen, M.; Niinistö, L. Top. Organomet. Chem. 2005, 9, 125-145
47. Kim, J.-M.; Lee, H.-B.-R.; Lansalot, C.; Dussarrat, C.; Gatineau, J.; Kim, H. Jpn. J. Appl. Phys. 2010, 49, 05FA10
48. Li, Z.; Lee, D. K.; Coulter, M.; Rodriguez, L. N. J.; Gordon, R. G. Dalton Trans. 2008, 2592-2597
49. Lee, H.-B.-R.; Kim, H. ECS Trans. 2008, 16, 219-225
50. Kim, K.; Lee, K.; Han, S.; Park, T.; Lee, Y.; Kim, J.; Yeom, S.; Jeon, H. Jpn. J. Appl. Phys. 2007, 46, L173-L176
51. Lee, K.; Kim, K.; Park, T.; Jeon, H.; Lee, Y.; Kim, J.; Yeom, S. J. Electrochem. Soc. 2007, 154, H899-H903
52. Kim, K.; Lee, K.; Han, S.; Jeong, W.; Jeon, H. J. Electrochem. Soc. 2007, 154, H177-H181
53. Lee, H.-B.-R.; Kim, H. Electrochem. Solid-State Lett. 2006, 9, G323-G325
54. Kucheyev, S. O.; Biener, J.; Baumann, T. F.; Wang, Y. M.; Hamza, A. V.; Li, Z.; Lee, D. K.; Gordon, R. G. Langmuir 2008, 24, 943-948
55. Gardiner, M. G.; Hanson, G. R.; Henderson, M. J.; Lee, F. C.; Raston, C. L. Inorg. Chem. 1994, 33, 2456-2461
56. Ghosh, M.; Sproules, S.; Weyhermüller, T.; Wieghardt, K. Inorg. Chem. 2008, 47, 5963-5970
57. Kreisel, K. A.; Yap, G. P. A.; Theopold, K. H. Inorg. Chem. 2008, 47, 5293-5303
58. Kreisel, K. A.; Yap, G. P. A.; Dmitrenko, O.; Landis, C. R.; Theopold, K. H. J. Am. Chem. Soc. 2007, 129, 14162-14163
59. Ghosh, M.; Weyhermüller, T.; Wieghardt, K. Dalton Trans. 2008, 5149-5151
60. Khusnivarov, M. M.; Weyhermüller, T.; Bill, E.; Wieghardt, K. J. Am. Chem. Soc. 2009, 131, 1208-1221
61. Khusnivarov, M. M.; Weyhermüller, T.; Bill, E.; Wieghardt, K. Angew. Chem., Int. Ed. 2008, 47, 1228-1231
62. Muresan, N.; Lu, C. C.; Ghosh, M.; Peters, J. C.; Abe, M.; Henling, L. M.; Weyhermöller, T.; Bill, E.; Wieghardt, K. Inorg. Chem. 2008, 47, 4579-4590
63. Bart, S. C.; Hawrelak, E. J.; Lobkovsky, E.; Chirik, P. J. Organometallics 2005, 24, 5518-5527
64. tom Dieck, H.; Diercks, R.; Stamp, L.; Bruder, H.; Schuld, T. Chem. Ber. 1987, 120, 1943-1950
65. tom Dieck, H.; Bruder, H. J. Chem. Soc., Chem. Commun. 1977, 24-25
66. Muresan, N.; Weyhermüller, T.; Wieghardt, K. Dalton Trans. 2007, 4390-4398
67. Muresan, N.; Chlopek, K.; Weyhermüller, T.; Neese, F.; Wieghardt, K. Inorg. Chem. 2007, 46, 5327-5337
68. Khusnivarov, M. M.; Harms, K.; Burghaus, O.; Sundermeyer, J. Eur. J. Inorg. Chem. 2006, 2985-2996
69. Gorls, H.; Walther, D.; Sieler, J. Cryst. Res. Technol. 1987, 22, 1145-1151
70. Svoboda, M.; tom Dieck, H.; Kruger, C.; Tsay, Y.-H. Z. Naturforsch. 1981, 36b, 814-822
71. Robinson, M. A.; Curry, J. D.; Busch, D. H. Inorg. Chem. 1963, 2, 1178-1181
72. Kaltsoyannis, N. J. Chem. Soc., Dalton Trans. 1996, 1583-1589
73. Greenwood, N. N.; Earnshaw, A. Chemistry of the Elements, 2 nd ed.; Butterworth-Heinemann: Oxford, U.K., 1997; pp 1004, 1074, 1115, 1148.
74. Allan, L. E. N.; Shaver, M. P.; White, A. J. P.; Gibson, V. C. Inorg. Chem. 2007, 46, 8963-8970
75. Barral, M. C.; Delgado, E.; Gutíerrez-Puebla, E.; Jimenez-Aparicio, R.; Monge, A.; del Pino, C.; Santos, A. Inorg. Chim. Acta 1983, 74, 101-107
76. Jameson, G. B.; Oswald, H. R.; Beer, H. R. J. Am. Chem. Soc. 1984, 106, 1669-1675
77. Saly, M. J.; Munnik, F.; Winter, C. H. J. Mater. Chem. 2010, 20, 9995-10000
78. Saly, M. J.; Munnik, F.; Baird, R. J.; Winter, C. H. Chem. Mater. 2009, 21, 3742-3744
79. Saly, M. J.; Munnik, F.; Winter, C. H. Chem. Vap. Deposition 2011, 17, 128-134
80. Wiedmann, M. K.; Karunarathne, M. C.; Baird, R. J.; Winter, C. H. Chem. Mater. 2010, 22, 4400-4405
81. Saly, M. J.; Heeg, M. J.; Winter, C. H. Inorg. Chem. 2009, 48, 5303-5312
82. Wiedmann, M. K.; Heeg, M. J.; Winter, C. H. Inorg. Chem. 2009, 48, 5382-5391
83. CRC Handbook of Chemistry and Physics, 91 st ed.; CRC Press: Boca Raton, FL, 2010-2011; pp 8-20, 8-29.
84. Rushworth, S. A.; Smith, L. M.; Kingsley, A. J.; Odedra, R.; Nickson, R.; Hughes, P. Microelectron. Reliab. 2005, 45, 1000-1002
85. Xu, H. Y.; Xu, S. L.; Wang, H.; Yan, H. J. Electrochem. Soc. 2005, 152, C803-C807
86. Reedijk, J.; Groeneveld, W. L. Recl. Trav. Chim. Pays-Bas 1968, 87, 552-558
87. Kliegman, J. M.; Barnes, R. K. Tetrahedron 1970, 26, 2555-2560
88. Evans, D. F. J. Chem. Soc. 1959, 2003
89. APEX II collection and processing programs are distributed by the manufacturer, Bruker AXS Inc., Madison, WI, 2009.
90. Sheldrick, G. M. Acta Crystallogr., Sect. A: Found. Crystallogr. 2008, 64, 112-122