Growth of tantalum(V) oxide films by atomic layer deposition using the highly thermally stable precursor Ta(NtBu)(iPrNC(Me)NiPr)2(NMe 2)

Chemistry of Materials

Volumn 22, Issue 15, 2010, Pages 4400-4405

  Wiedmann, Monika K ^a   Karunarathne, Mahesh C ^a   Baird, Ronald J ^a   Winter, Charles H ^a  

^a WAYNE STATE UNIVERSITY   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CARBON AND NITROGEN; DEPOSITION CYCLES; DETECTION LIMITS; DRY AIR; INDEX OF REFRACTION; ROOT MEAN SQUARES; SELF-LIMITED GROWTH; SUBSTRATE TEMPERATURE; THERMAL DECOMPOSITIONS; THERMALLY STABLE; WATER PULSE;

AMORPHOUS FILMS; ATOMIC FORCE MICROSCOPY; ATOMIC LAYER DEPOSITION; ATOMS; GROWTH RATE; PYROLYSIS; REFRACTIVE INDEX; SURFACE ROUGHNESS; TANTALUM; TANTALUM OXIDES; THICK FILMS; X RAY PHOTOELECTRON SPECTROSCOPY;

OXIDE FILMS;

EID: 77955235342     PISSN: 08974756     EISSN: 15205002     Source Type: Journal    
DOI: 10.1021/cm100926r     Document Type: Article

References (68)

1. Chaneliere, C.; Autran, J. L.; Devine, R. A. B.; Balland, B. Mater. Sci. Eng., R 1998, 22, 269-322
2. Greenwood, N. N.; Earnshaw, A. Chemistry of the Elements, 2 nd ed.; Butterworth-Heinemann: Oxford, 1997; pp 981 - 983.
3. Lahoz, F.; Shepherd, D. P.; Wilkinson, J. S.; Hassan, M. A. Opt. Commun. 2008, 281, 3691-3694
4. Janicki, V.; Sancho-Parramon, J.; Stenzel, O.; Lappschies, M.; Görtz, B.; Rickers, C.; Polenzky, C.; Richter, U. Appl. Opt. 2007, 46, 6084-6091
5. Janicki, V.; Gäbler, D.; Wilbrandt, S.; Leitel, R.; Stenzel, O.; Kaiser, N.; Lappschies, M.; Görtz, B.; Ristau, D.; Rickers, C.; Vergöhl, M. Appl. Opt. 2006, 45, 7851-7857
6. Koc, K.; Tepehan, F. Z.; Tepehan, G. G. J. Mater. Sci. 2005, 40, 1363-1366
7. Schmitt, K.; Schirmer, B.; Hoffmann, C.; Brandenburg, A.; Meyrueis, P. Biosensors Bioelectronics 2007, 22, 2591-2597
8. Tai, C.-Y.; Wu, J.-Y. J. Phys. D: Appl. Phys. 2008, 41, 065303
9. Ozer, N.; Lampert, C. M. J. Sol-Gel Sci. Technol. 1997, 8, 703-709
10. Kwon, D.-H.; Cho, B.-W.; Kim, C.-S.; Sohn, B.-K. Sens. Actuators, B 1996, 34, 441-445
11. Kimura, M. Sens. Actuators, A 1996, 55, 7-11
12. Eranna, G.; Joshi, B. C.; Runthala, D. P.; Gupta, R. P. Crit. Rev. Solid State Mater. Sci. 2004, 29, 111-188
13. Gillies, M. F.; Kuiper, A. E. T.; van Zon, J. B. A.; Sturm, J. M. Appl. Phys. Lett. 2001, 78, 3496-3498
14. Yoon, D.-S.; Roh, J. S.; Baik, H. K.; Lee, S.-M. Crit. Rev. Solid State Mater. Sci. 2002, 27, 143-226
15. Whittle, K. R.; Hyatt, N. C.; Reaney, I. M. Chem. Mater. 2008, 20, 6427-6433
16. Condorelli, G. G.; Favazza, M.; Bedoya, C.; Baeri, A.; Anastasi, G.; Lo Nigro, R.; Menou, N.; Muller, C.; Lisoni, J. G.; Wouters, D.; Fragalà, I. L. Chem. Mater. 2006, 18, 1016-1022
17. Schumacher, M.; Lindner, J.; Baumann, P. K.; Schienle, F.; Solayappan, N.; Joshi, V.; Araujo, C. A.; McMillan, L. D. Mater. Sci. Semicond. Process. 2003, 5, 85-91
18. Ramesh, R.; Aggarwal, S.; Auciello, O. Mater. Sci. Eng., R 2001, 32, 191-236
19. Paz de Araujo, C. A.; Cuchiaro, J. D.; McMillan, L. D.; Scott, M. C.; Scott, J. F. Nature 1995, 374, 627-629
20. Lan, D.; Xiao, D.; Xu, Z.; Chen, Y.; Chen, Q.; Yue, X.; Zhu, J. J. Electroceram. 2008, 21, 621-624
21. Huang, Z.; Donohue, P. P.; Zhang, Q.; Williams, D.; Anthony, C. J.; Todd, M. A.; Whatmore, R. W. Integr. Ferroelectr. 2002, 45, 79-87
22. Ritala, M.; Leskelä, M. Handbook of Thin Film Materials; Nalwa, H. S., Ed.; Academic Press: San Diego, CA, 2002; pp 103 - 159.
23. Leskelä, M.; Ritala, M. Angew. Chem., Int. Ed. 2003, 42, 5548-5554
24. Niinistö, L.; Päiväsaari, J.; Niinistö, J.; Putkonen, M.; Nieminen, M. Phys. Status Solidi A 2004, 201, 1443-1452
25. Putkonen, M.; Niinistö, L. Top. Organomet. Chem. 2005, 9, 125-145
26. Aarik, J.; Aidla, A.; Kukli, K.; Uustare, T. J. Cryst. Growth 1994, 144, 116-119
27. Kukli, K.; Aarik, J.; Aidla, A.; Kohan, O.; Uustare, T.; Sammelselg, V. Thin Solid Films 1995, 260, 135-142
28. Aarik, J.; Kukli, K.; Aidla, A.; Pung, L. Appl. Surf. Sci. 1996, 103, 331-341
29. Kukli, K.; Ritala, M.; Matero, R.; Leskelä, M. J. Cryst. Growth 2000, 212, 459-468
30. Kukli, K.; Aarik, J.; Aidla, A.; Forsgren, K.; Sundqvist, J.; Harsta, A.; Uustare, T.; Mändar, H.; Kiisler, A.-A. Chem. Mater. 2001, 13, 122-128
31. Sundqvist, J.; Högberg, H.; Harsta, A. Chem. Vap. Deposition 2003, 9, 245-248
32. Hill, C. W.; Derderian, G. J.; Sandhu, G. J. Electrochem. Soc. 2005, 152, G386-G390
33. Kukli, K.; Ritala, M.; Leskelä, M. J. Electrochem. Soc. 1995, 142, 1670-1675
34. Kukli, K.; Aarik, J.; Aidla, A.; Siimon, H.; Ritala, M.; Leskelä, M. Appl. Surf. Sci. 1997, 112, 236-242
35. Rahtu, A.; Kukli, K.; Ritala, M. Chem. Mater. 2001, 13, 817-823
36. Alén, P.; Vehkamäki, M.; Ritala, M.; Leskelä, M. J. Electrochem. Soc. 2006, 153, G304-G308
37. Hausmann, D. M.; de Rouffignac, P.; Smith, A.; Gordon, R.; Monsma, D. Thin Solid Films 2003, 443, 1-4
38. Maeng, W. J.; Kim, H. Electrochem. Solid-State Lett. 2006, 9, G191-G194
39. Maeng, W. J.; Park, S.-J.; Kim, H. J. Vac. Sci. Technol. B 2006, 24, 2276-2281
40. van der Straten, O.; Zhu, Y.; Dunn, K.; Eisenbraun, E. T.; Kaloyeros, A. E. J. Mater. Res. 2004, 19, 447-453
41. Burton, B. B.; Lavoie, A. R.; George, S. M. J. Electrochem. Soc. 2008, 155, D508-D516
42. Song, M.-K.; Rhee, S.-W. J. Electrochem. Soc. 2008, 155, H823-H828
43. Dezelah, C. L., IV; Wiedmann, M. K.; Mizohata, K.; Baird, R. J.; Niinistö, L.; Winter, C. H. J. Am. Chem. Soc. 2007, 129, 12370-12371
44. Gust, K. R.; Heeg, M. J.; Winter, C. H. Polyhedron 2001, 20, 805-813
45. Wiedmann, M. K.; Heeg, M. J.; Winter, C. H. Inorg. Chem. 2009, 48, 5382-5391
46. Joint Committee of Powder Diffraction Standards, Card 18-1304.
47. Zhang, J.-Y.; Boyd, I. W. Appl. Phys. A: Mater. Sci. Process. 2000, 70, 657-661
48. Condorelli, G. G.; Favazza, M.; Bedoya, C.; Baeri, C.; Anastasi, G.; Lo Nigro, R.; Menou, N.; Muller, C.; Lisoni, J. G.; Wouters, D.; Fragalà, I. L. Chem. Mater. 2006, 18, 1016-1022
49. Condorelli, G. G.; Baeri, A.; Fragalà, I. L.; Lauretta, V.; Smerlo, G. Mater. Sci. Semicond. Proc. 2003, 5, 135-139
50. Baunemann, A.; Rische, D.; Milanov, A.; Kim, Y.; Winter, M.; Gemel, C.; Fischer, R. A. Dalton Trans. 2005, 3051-3055
51. Bradley, D. C.; Thomas, I. M. Can. J. Chem. 1962, 40, 1355-1360
52. Winter, C. H. Aldrichimica Acta 2000, 33, 3-8
53. Dezelah, C. L., IV; El-Kadri, O. M.; Szilágyi, I.; Campbell, J. M.; Arstila, K.; Niinistö, L.; Winter, C. H. J. Am. Chem. Soc. 2006, 128, 9638-9639
54. Dezelah, C. L., IV; El-Kadri, O. M.; Kukli, K.; Arstila, K.; Baird, R. J.; Lu, J.; Niinistö, L.; Winter, C. H. J. Mater. Chem. 2007, 17, 1109-1116
55. Lim, B. S.; Rahtu, A.; Gordon, R. G. Nat. Mater. 2003, 2, 749-754
56. Lim, B. S.; Rahtu, A.; Park, J.-S.; Gordon, R. G. Inorg. Chem. 2003, 42, 7951-7958
57. Wu, J.; Li, J.; Zhou, C.; Lei, X.; Gaffney, T.; Norman, J. A. T.; Li, Z.; Gordon, R.; Cheng, H. Organometallics 2007, 26, 2803-2805
58. Lee, B.; Choi, K. J.; Kim, M. J.; Wallace, R. M.; Kim, J.; Senzaki, Y.; Shenai, D.; Li, H.; Rousseau, M.; Suydam, J. Microelectron. Eng. 2009, 86, 272-276
59. Päiväsaari, J.; Dezelah, C. L., IV; Back, D.; El-Kaderi, H. M.; Heeg, M. J.; Putkonen, M.; Niinistö, L.; Winter, C. H. J. Mater. Chem. 2005, 15, 4224-4233
60. Päiväsaari, J.; Niinistö, J.; Myllymäki, P.; Dezelah, C. L., IV; Winter, C. H.; Putkonen, M.; Nieminen, M.; Niinistö, L. Top. Appl. Phys. 2007, 106, 15-32
61. Lim, B. S.; Rahtu, A.; de Rouffignac, P.; Gordon, R. G. Appl. Phys. Lett. 2004, 84, 3957-3959
62. de Rouffignac, P.; Park, J.-S.; Gordon, R. G. Chem. Mater. 2005, 17, 4808-4814
63. de Rouffignac, P.; Yousef, A. P.; Kim, K. H.; Gordon, R. G. Electrochem. Solid-State Lett. 2006, 9, F45-F48
64. Baunemann, A.; Winter, M.; Csapek, K.; Gemel, C.; Fischer, R. A. Eur. J. Inorg. Chem. 2006, 4665-4672
65. Brazeau, A. L.; Wang, Z.; Rowley, C. N.; Barry, S. T. Inorg. Chem. 2006, 45, 2276-2281
66. Sakharov, V. V.; Korovkina, N. B.; Korshunov, B. G.; Muralev, Yu. B. Russ. J. Inorg. Chem. 1983, 28, 1093-1098
67. Matero, R.; Rahtu, A.; Ritala, M.; Leskelä, M.; Sajavaara, T. Thin Solid Films 2000, 368, 1-7
68. Ylilammi, M.; Ranta-aho, T. Thin Solid Films 1993, 232, 56-62