High-performance low-cost back-channel-etch amorphous gallium-indium-zinc oxide thin-film transistors by curing and passivation of the damaged back channel

ACS Applied Materials and Interfaces

Volumn 5, Issue 23, 2013, Pages 12262-12267

  Park, Jae Chul ^a   Ahn, Seung Eon ^b   Lee, Ho Nyeon ^c  

^a Yonsei University   (South Korea)

^b Samsung Advanced Institute of Technology (SAIT)   (South Korea)

^c Soonchunhyang University   (South Korea)

Author keywords

annealing; back channel etch; field effect transistor; gallium indium zinc oxide; N2O plasma; passivation

Indexed keywords

ACTIVE MATRIX ORGANIC LIGHT EMITTING DIODES; ANNEALING TEMPERATURES; BACK CHANNELS; DEPOSITION PROCESS; FIELD-EFFECT MOBILITIES; OXIDE THIN-FILM TRANSISTORS; RADIO FREQUENCY POWER; SUBTHRESHOLD SWING;

AMORPHOUS FILMS; ANNEALING; COSTS; DEPOSITION; FIELD EFFECT TRANSISTORS; GALLIUM; LIQUID CRYSTAL DISPLAYS; ORGANIC LIGHT EMITTING DIODES (OLED); PASSIVATION; PLASMA APPLICATIONS; THIN FILM TRANSISTORS; ZINC OXIDE;

INDIUM;

EID: 84890532192     PISSN: 19448244     EISSN: 19448252     Source Type: Journal    
DOI: 10.1021/am404490t     Document Type: Article

References (42)

1. Fortunato, E.; Barquinha, P.; Martins, R. Adv. Mater. 2012, 24, 2945-2986
2. Park, J. S.; Maeng, W.-J.; Kim, H.-S.; Park, J.-S. Thin Solid Films 2012, 520, 1679-1693
3. Kamiya, T.; Nomura, K.; Hosono, H. Sci. Technol. Adv. Mater. 2010, 11, 044305-1-044305-23
4. Na, J. H.; Kitamura, M.; Arakawa, Y. Appl. Phys. Lett. 2008, 93, 063501-1-063501-3
5. Bak, J. Y.; Yang, S.; Ryu, M. K.; Ko Park, S. H.; Hwang, C. S.; Yoon, S. M. ACS Appl. Mater. Interfaces 2012, 4, 5369-74
6. Park, J. C.; Lee, H.-N. IEEE Electron Device Lett. 2012, 33, 818-820
7. Fortunato, E. M. C.; Barquinha, P. M. C.; Pimentel, A. C. M. B. G.; Gonçalves, A. M. F.; Marques, A. J. S.; Pereira, L. M. N.; Martins, R. F. P. Adv. Mater. 2005, 17, 590-594
8. Riedl, T.; Gorrn, P.; Kowalsky, W. J. Disp. Technol. 2009, 5, 501-508
9. Nomura, K.; Ohta, H.; Takagi, A.; Kamiya, T.; Hirano, M.; Hosono, H. Nature 2004, 432, 488-92
10. Rim, Y. S.; Lim, H. S.; Kim, H. J. ACS Appl. Mater. Interfaces 2013, 5, 3565-3571
11. Zan, H.-W.; Yeh, C.-C.; Meng, H.-F.; Tsai, C.-C.; Chen, L.-H. Adv. Mater. 2012, 24, 3509-3514
12. Mativenga, M.; Choi, J. W.; Hur, J. H.; Kim, H. J.; Jang, J. J. Inf. Disp. 2011, 12, 47-50
13. Nomura, K.; Kamiya, T.; Hosono, H. Appl. Phys. Lett. 2011, 99, 053505-1-053505-3
14. Kim, M.; Jeong, J. H. J. K.; Lee, H. J.; Ahn, T. K.; Shin, H. S.; Park, J.-S.; Mo, Y.-G.; Kim, H. D. Appl. Phys. Lett. 2007, 90, 212114-1-212114-3
15. Li, X.; Xin, E.; Chen, L.; Shi, J.; Zhang, J. AIP Adv. 2013, 3, 032137-1-032137-6
16. Lee, J.; Kim, D.; Yang, D.; Hong, S.; Yoon, K.; Hong, P.; Jeong, C.; Park, H.; Kim, S. Y.; Lim, S. K.; Kim, S. S.; Son, K.; Kim, T.; Kwon, J.; Lee, S. Dig. Tech. Pap., Soc. Inf. Disp. Int. Symp. 2008, 39, 625-628
17. Chen, T.-C.; Chang, T.-C.; Hsieh, T.-Y.; Tsai, M.-Y.; Chen, Y.-T.; Chung, Y.-C.; Ting, H.-C.; Chen, C.-Y. Appl. Phys. Lett. 2012, 101, 042101-1-042101-4
18. Tsai, M.-Y.; Chang, T.-C.; Chu, A.-K.; Chen, T.-C.; Hsieh, T.-Y.; Chen, Y.-T.; Tsai, W.-W.; Chiang, W.-J.; Yan, J.-Y. Thin Solid Films 2013, 528, 57-60
19. Geng, D.; Kang, D. H.; Jang, J. IEEE Electron Device Lett. 2011, 32, 758-760
20. Park, J.; Kim, S.; Kim, C.; Kim, S.; Song, I.; Yin, H.; Kim, K.-K.; Lee, S.; Hong, K.; Lee, J.; Jung, J.; Lee, E.; Kwon, K.-W.; Park, Y. Appl. Phys. Lett. 2008, 93, 053505-1-053505-3
21. Park, J.; Lee, H. Displays 2012, 33, 133-135
22. Jeong, J. K.; Won Yang, H.; Jeong, J. H.; Mo, Y.-G.; Kim, H. D. Appl. Phys. Lett. 2008, 93, 123508-1-123508-3
23. Chen, T.-C.; Chang, T.-C.; Hsieh, T.-Y.; Tsai, C.-T.; Chen, S.-C.; Lin, C.-S.; Hung, M.-C.; Tu, C.-H.; Chang, J.-J.; Chen, P.-L. Appl. Phys. Lett. 2010, 97, 192103-1-192103-3
24. Chang, G.-W.; Chang, T.-C.; Jhu, J.-C.; Tsai, T.-M.; Syu, Y.-E.; Chang, K.-C.; Tai, Y.-H.; Jian, F.-Y.; Hung, Y.-C. Appl. Phys. Lett. 2012, 100, 182103-1-182103-3
25. Hsieh, T.-Y.; Chang, T.-C.; Chen, T.-C.; Tsai, M.-Y.; Lu, W.-H.; Chen, S.-C.; Jian, F.-Y.; Lin, C.-S. Thin Solid Films 2011, 520, 1427-1431
26. Hino, A.; Maeda, T.; Morita, S.; Kugimiya, T. J. Inf. Disp. 2012, 13, 61-66
27. Kuo, Y. Electrochem. Soc. Interface 2013, 22, 55-61
28. Tsao, S. W.; Chang, T. C.; Huang, S. Y.; Chen, M. C.; Chen, S. C.; Tsai, C. T.; Kuo, Y. J.; Chen, Y. C.; Wu, W. C. Solid-State Electron. 2010, 54, 1497-1499
29. Jung, S. H.; Moon, H. J.; Ryu, M. K.; Cho, K. I.; Bae, B. S.; Yune, E.-J. J. Ceram. Process. Res. 2012, 13, s246-s250
30. Jeong, S.; Ha, Y.-G.; Moon, J.; Facchetti, A.; Marks, T. J. Adv. Mater. 2010, 22, 1346-1350
31. Toups, M.; Ernie, D. J. Appl. Phys. 1990, 68, 6125-6132
32. Chen, C.; Cheng, K.-C.; Chagarov, E.; Kanicki, J. Jpn. J. Appl. Phys. 2011, 50, 091102-1-091102-10
33. Omura, H.; Kumomi, H.; Nomura, K.; Kamiya, T.; Hirano, M.; Hosono, H. J. Appl. Phys. 2009, 105, 093712-1-093712-8
34. Kim, H. J.; Park, S. Y.; Jung, H. Y.; Son, B. G.; Lee, C.-K.; Lee, C.-K.; Jeong, J. H.; Mo, Y.-G.; Son, K. S.; Ryu, M. K.; Lee, S.; Jeong, J. K. J. Phys. D: Appl. Phys. 2013, 46, 055104-1-055104-6
35. Kamiya, T.; Nomura, K.; Hosono, H. J. Disp. Technol. 2009, 5, 462-467
36. Takagi, A.; Nomura, K.; Ohta, H.; Yanagi, H.; Kamiya, T.; Hirano, M.; Hosono, H. Thin Solid Films 2005, 486, 38-41
37. Raja, J.; Jang, K.; Balaji, N.; Choi, W.; Trinh, T. T.; Yi, J. Appl. Phys. Lett. 2013, 102, 083505-1-083505-4
38. Shin, H. S.; Rim, Y. S.; Mo, Y.-G.; Choi, C. G.; Kim, H. J. Phys. Status Solidi A 2011, 208, 2231-2234
39. Yoo, D. Y.; Chong, E.; Kim, D. H.; Ju, B. K.; Lee, S. Y. Thin Solid Films 2012, 520, 3788-3786
40. Lee, S. K.; Hong, S. Il; Lee, Y. H.; Lee, S. W.; Cho, W. J.; Park, J. T. Microelectron. Reliab. 2012, 52, 2504-2507
41. Choi, S.-H.; Jang, J.-H.; Kim, J.-J.; Han, M.-K. IEEE Electron Device Lett. 2012, 33, 381-383
42. Seo, H.-S.; Bae, J.-U.; Kim, D.-W.; Ryoo, C.; Il Kang, I.-K.; Min, S.-Y.; Kim, Y.-Y.; Han, J.-S.; Kim, C.-D.; Hwang, Y.-K.; Chung, I.-J. Dig. Tech. Pap., Soc. Inf. Disp. Int. Symp. 2010, 41, 1132-1135