-
1
-
-
9744248669
-
-
Nomura, K.; Ohta, H.; Takagi, A.; Kamiya, T.; Hirano, M; Hosono, H. Nature 2004, 432, 488
-
(2004)
Nature
, vol.432
, pp. 488
-
-
Nomura, K.1
Ohta, H.2
Takagi, A.3
Kamiya, T.4
Hirano, M.5
Hosono, H.6
-
2
-
-
84867794728
-
-
Fortunato, E.; Barquinha, P.; Martins, R. Adv. Mater. 2012, 520, 1679
-
(2012)
Adv. Mater.
, vol.520
, pp. 1679
-
-
Fortunato, E.1
Barquinha, P.2
Martins, R.3
-
3
-
-
78149382528
-
-
Kamiya, T.; Nomura, K.; Hosono, H. Sci. Technol. Adv. Mater. 2010, 11, 044305
-
(2010)
Sci. Technol. Adv. Mater.
, vol.11
, pp. 044305
-
-
Kamiya, T.1
Nomura, K.2
Hosono, H.3
-
4
-
-
84855965812
-
-
Park, J. S.; Maeng, W. J.; Kim, H. S. Thin Solid Films 2011, 520, 1679
-
(2011)
Thin Solid Films
, vol.520
, pp. 1679
-
-
Park, J.S.1
Maeng, W.J.2
Kim, H.S.3
-
5
-
-
52949097961
-
-
Jeong, J. K.; Yang, H. W.; Jeong, J. H.; Mo, Y. G.; Kim, H. D. Appl. Phys. Lett. 2008, 93, 123508
-
(2008)
Appl. Phys. Lett.
, vol.93
, pp. 123508
-
-
Jeong, J.K.1
Yang, H.W.2
Jeong, J.H.3
Mo, Y.G.4
Kim, H.D.5
-
6
-
-
39749191514
-
-
Park, J. S.; Jeong, J. K.; Chung, H. J.; Mo, Y. G.; Kim, H. D. Appl. Phys. Lett. 2008, 92, 072104
-
(2008)
Appl. Phys. Lett.
, vol.92
, pp. 072104
-
-
Park, J.S.1
Jeong, J.K.2
Chung, H.J.3
Mo, Y.G.4
Kim, H.D.5
-
7
-
-
79954575401
-
-
Chung, W. F.; Chang, T. C.; Li, H. W.; Chen, S. C.; Chen, Y. C.; Tseng, T. Y.; Tai, Y. H. Appl. Phys. Lett. 2011, 98, 152109
-
(2011)
Appl. Phys. Lett.
, vol.98
, pp. 152109
-
-
Chung, W.F.1
Chang, T.C.2
Li, H.W.3
Chen, S.C.4
Chen, Y.C.5
Tseng, T.Y.6
Tai, Y.H.7
-
8
-
-
84867824814
-
-
Görrn, P.; Hölzer, P.; Riedl, T.; Kowalsky, W.; Wang, J.; Weimann, T.; Hinze, P.; Kipp, S. Appl. Phys. Lett. 2007, 90, 063602
-
(2007)
Appl. Phys. Lett.
, vol.90
, pp. 063602
-
-
Görrn, P.1
Hölzer, P.2
Riedl, T.3
Kowalsky, W.4
Wang, J.5
Weimann, T.6
Hinze, P.7
Kipp, S.8
-
9
-
-
79957953431
-
-
Kim, S. W.; Kim, S. I.; Kim, C. J.; Park, J. C.; Song, I. H.; Jeon, S. H.; Ahn, S. E.; Park, J. S.; Jeong, J. K. Solid-State Electron. 2011, 62, 77
-
(2011)
Solid-State Electron.
, vol.62
, pp. 77
-
-
Kim, S.W.1
Kim, S.I.2
Kim, C.J.3
Park, J.C.4
Song, I.H.5
Jeon, S.H.6
Ahn, S.E.7
Park, J.S.8
Jeong, J.K.9
-
10
-
-
77955160907
-
-
Ryu, B.; Noh, H. K.; Choi, E. A.; Chang, K. J. Appl. Phys. Lett. 2010, 97, 022108
-
(2010)
Appl. Phys. Lett.
, vol.97
, pp. 022108
-
-
Ryu, B.1
Noh, H.K.2
Choi, E.A.3
Chang, K.J.4
-
11
-
-
77956252679
-
-
Yang, S.; Cho, D. H.; Ryu, M. K.; Ko Park, S. H.; Hwang, C. S.; Jang, J. Appl. Phys. Lett. 2010, 96, 213511
-
(2010)
Appl. Phys. Lett.
, vol.96
, pp. 213511
-
-
Yang, S.1
Cho, D.H.2
Ryu, M.K.3
Ko Park, S.H.4
Hwang, C.S.5
Jang, J.6
-
12
-
-
78649446577
-
-
Ji, K. H.; Kim, J. I.; Mo, Y. G.; Jeong, J. H.; Yang, S.; Hwang, C. S.; Ko Park, S. H.; Ryu, M. K.; Lee, S. Y.; Jeong, J. K. IEEE Electron Device Lett. 2010, 31, 1404
-
(2010)
IEEE Electron Device Lett.
, vol.31
, pp. 1404
-
-
Ji, K.H.1
Kim, J.I.2
Mo, Y.G.3
Jeong, J.H.4
Yang, S.5
Hwang, C.S.6
Ko Park, S.H.7
Ryu, M.K.8
Lee, S.Y.9
Jeong, J.K.10
-
13
-
-
84862792204
-
-
Huang, S. Y.; Chang, T. C.; Chen, M. C.; Jian, F. Y.; Chen, S. C.; Chen, T. C.; Jheng, J. L.; Lou, M. J.; Yeh, F. S. Solid-State Electron. 2012, 69, 11
-
(2012)
Solid-State Electron.
, vol.69
, pp. 11
-
-
Huang, S.Y.1
Chang, T.C.2
Chen, M.C.3
Jian, F.Y.4
Chen, S.C.5
Chen, T.C.6
Jheng, J.L.7
Lou, M.J.8
Yeh, F.S.9
-
14
-
-
84863115320
-
-
Chung, W. F.; Chang, T. C.; Lin, C. S.; Tu, K. J.; Li, H. W.; Tseng, T. Y.; Chen, Y. C.; Tai, Y. H. J. Electrochem. Soc. 2012, 159, H286
-
(2012)
J. Electrochem. Soc.
, vol.159
, pp. 286
-
-
Chung, W.F.1
Chang, T.C.2
Lin, C.S.3
Tu, K.J.4
Li, H.W.5
Tseng, T.Y.6
Chen, Y.C.7
Tai, Y.H.8
-
15
-
-
34249899101
-
-
Tai, Y. H.; Huang, S. C.; Lin, C. W.; Chiu, H. L. J. Electrochem. Soc. 2007, 154, H611
-
(2007)
J. Electrochem. Soc.
, vol.154
, pp. 611
-
-
Tai, Y.H.1
Huang, S.C.2
Lin, C.W.3
Chiu, H.L.4
-
16
-
-
78649447721
-
-
Chen, T. C.; Chang, T. C.; Chen, S. C.; Hsieh, T. Y.; Jian, F. Y.; Lin, C. S.; Li, H. W.; Lee, M. H.; Chen, J. S.; Shih, C. C. IEEE Electron Device Lett. 2010, 31, 1413
-
(2010)
IEEE Electron Device Lett.
, vol.31
, pp. 1413
-
-
Chen, T.C.1
Chang, T.C.2
Chen, S.C.3
Hsieh, T.Y.4
Jian, F.Y.5
Lin, C.S.6
Li, H.W.7
Lee, M.H.8
Chen, J.S.9
Shih, C.C.10
-
17
-
-
55149083310
-
-
Tai, Y. H.; Tsai, M. H.; Huang, S. C. Jpn. J. Appl. Phys. 2008, 47, 6228
-
(2008)
Jpn. J. Appl. Phys.
, vol.47
, pp. 6228
-
-
Tai, Y.H.1
Tsai, M.H.2
Huang, S.C.3
-
18
-
-
57049180718
-
-
Tai, Y. H.; Kuo, Y. F.; Lee, Y. H. IEEE Electron Device Lett. 2008, 29, 1322
-
(2008)
IEEE Electron Device Lett.
, vol.29
, pp. 1322
-
-
Tai, Y.H.1
Kuo, Y.F.2
Lee, Y.H.3
-
20
-
-
35349006995
-
-
Yun, D. J.; Lee, D. K.; Jeon, H. K.; Rhee, S. W. Org. Electron. 2007, 8, 690
-
(2007)
Org. Electron.
, vol.8
, pp. 690
-
-
Yun, D.J.1
Lee, D.K.2
Jeon, H.K.3
Rhee, S.W.4
-
21
-
-
44249094185
-
-
Shimura, Y.; Nomura, K.; Yanagi, H.; Kamiya, T.; Hirano, M.; Hosono, H. Thin Solid Films 2008, 516, 5899
-
(2008)
Thin Solid Films
, vol.516
, pp. 5899
-
-
Shimura, Y.1
Nomura, K.2
Yanagi, H.3
Kamiya, T.4
Hirano, M.5
Hosono, H.6
-
22
-
-
54249108508
-
-
Barquinha, P.; Vilà, A.; Gon̈alves, G.; Pereira, L.; Martins, R.; Morante, J.; Fortunato, E. Phys. Status Solidi 2008, 205, 1905
-
(2008)
Phys. Status Solidi
, vol.205
, pp. 1905
-
-
Barquinha, P.1
Vilà, A.2
Gon̈alves, G.3
Pereira, L.4
Martins, R.5
Morante, J.6
Fortunato, E.7
-
23
-
-
41949130354
-
-
Barquinha, P.; Vilà, A.; Gon̈alves, G.; Pereira, L.; Martins, R.; Morante, J.; Fortunato, E. IEEE Trans. Electron Devices 2008, 55, 954
-
(2008)
IEEE Trans. Electron Devices
, vol.55
, pp. 954
-
-
Barquinha, P.1
Vilà, A.2
Gon̈alves, G.3
Pereira, L.4
Martins, R.5
Morante, J.6
Fortunato, E.7
-
24
-
-
73449095783
-
-
Ko Park, S. H.; Cho, D. H.; Hwang, C. S.; Yang, S.; Ryu, M. K.; Byun, C. W.; Yoon, S. M.; Cheong, W. S.; Cho, K. I.; Jeon, J. H. ETRI J. 2009, 31, 653
-
(2009)
ETRI J.
, vol.31
, pp. 653
-
-
Ko Park, S.H.1
Cho, D.H.2
Hwang, C.S.3
Yang, S.4
Ryu, M.K.5
Byun, C.W.6
Yoon, S.M.7
Cheong, W.S.8
Cho, K.I.9
Jeon, J.H.10
-
25
-
-
78649446577
-
-
Ji, K. H.; Kim, J. I.; Mo, Y. G.; Jeong, J. H.; Yang, S.; Hwang, C. S.; Ko Park, S.-H.; Ryu, M. K.; Lee, S. Y.; Jeong, J. K. IEEE Electron Device Lett. 2010, 31, 1404
-
(2010)
IEEE Electron Device Lett.
, vol.31
, pp. 1404
-
-
Ji, K.H.1
Kim, J.I.2
Mo, Y.G.3
Jeong, J.H.4
Yang, S.5
Hwang, C.S.6
Ko Park, S.-H.7
Ryu, M.K.8
Lee, S.Y.9
Jeong, J.K.10
|