Effects of rate constant for deprotection on latent image formation in chemically amplified extreme ultraviolet resists

Japanese Journal of Applied Physics

Volumn 47, Issue 6 PART 2, 2008, Pages 4926-4931

  Kozawa, Takahiro ^a   Tagawa, Seiichi ^a   Santillan, Julius Joseph ^b   Toriumi, Minoru ^b   Itani, Toshiro ^b  

^a OSAKA UNIVERSITY   (Japan)

^b SEMICONDUCTOR LEADING EDGE TECHNOLOGIES INC   (Japan)

Author keywords

Activation energy; Chemically amplified resist; Deprotection; EUV lithography; Image contrast

Indexed keywords

ACTIVATION ENERGY; CHEMICAL REACTIONS; CUTTING TOOLS; ELECTRON BEAM LITHOGRAPHY; GRAFTING (CHEMICAL); LASER PULSES; PHOTORESISTORS; PHOTORESISTS; SYNTHESIS (CHEMICAL); ULTRAVIOLET DEVICES;

CHEMICALLY AMPLIFIED RESIST; CHEMICALLY AMPLIFIED RESISTS; DEPROTECTION; ENERGY DEPOSITIONS; EUV LITHOGRAPHIES; EUV LITHOGRAPHY; EUV RESISTS; EXPOSURE TOOLS; EXTREME ULTRAVIOLETS; HEAT SUPPLIES; IMAGE CONTRAST; LATENT IMAGE FORMATIONS; LINE EDGE ROUGHNESSES; PATTERN FORMATIONS;

RATE CONSTANTS;

EID: 55049106088     PISSN: 00214922     EISSN: 13474065     Source Type: Journal    
DOI: 10.1143/JJAP.47.4926     Document Type: Article

References (58)

1. A. M. Goethals, R. Jonckheere, G. F. Lorusso, J. Hermans, F. Van Roey, A. Myers, A. Niroomand, I. Kim, F. Iwamoto, N. Stepanenko, and K. Ronse: J. Photopolym. Sci. Technol. 20 (2007) 383.
2. H. Oizumi, Y. Tanaka, T. Kumise, D. Shiono, T. Hirayama, H. Hada, J. Onodera, A. Yamaguchi, and I. Nishiyama: J. Photopolym. Sci. Technol. 20 (2007) 403.
3. J. W. Thackeray, R. A. Nassar, K. Spear-Alfonso, R. Brainard, D. Goldfarb, T. Wallow, Y. Wei, W. Montgomery, K. Petrillo, O. Wood, C. Koay, J. Mackey, P. Naulleau, B. Pierson, and H. H. Solak: J. Photopolym. Sci. Teehnol. 20 (2007) 411.
4. D. Shimizu, K. Maruyama, A. Saitou, T. Kai, T. Shimokawa, K. Fujiwara, Y. Kikuchi, and I. Nishiyama: J. Photopolym. Sci. Technol. 20 (2007) 423.
5. S. Masuda, S. Tarutani, S. Kamimura, S. Hirano, W. Hoshino, and K. Mizutani: J. Photopolym. Sci. Technol. 20 (2007) 437.
6. T. Kozawa, H. Yamamoto, A. Saeki, and S. Tagawa: J. Vac. Sci. Technol. B 23 (2005) 2716.
7. A. Saeki, T. Kozawa, S. Tagawa, and H. B. Cao: Nanotechnology 17 (2006) 1543.
8. G. M. Gallatin: Proc. SPIE 5754 (2004) 38.
9. R. Hirose, T. Kozawa, S. Tagawa, T. Kai, and T. Shimokawa: Jpn. J. Appl. Phys. 46 (2007) L979.
10. T. Kozawa, S. Tagawa, H. Oizumi, and I. Nishiyama: J. Vac. Sci. Technol. B 24 (2006) L27.
11. H. Yamamoto, T. Kozawa, S. Tagawa, H. B. Cao, H. Deng, and M. J. Leeson: Jpn. J. Appl. Phys. 46 (2007) L142.
12. R. L. Brainard, P. Trefonas, J. H. Lammers, C. A. Cutler, J. F. Mackevich, A. Trefonas, and S. A. Robertson: Proc. SPIE 5374 (2004) 74.
13. T. Kozawa, S. Tagawa, H. B. Cao, H. Deng, and M. J. Leeson: J. Vac. Sci. Technol. B 25 (2007) 2481.
14. T. Kozawa, S. Tagawa, J. J. Santillan, M. Toriumi, and T. Itani: J. Vac. Sci. Technol. B 25 (2007) 2295.
15. N. P. Hacker and K. M. Welsh: Adv. Chem. Ser. 236 (1993) 557.
16. T. Kozawa, T. Shigaki, K. Okamoto, A. Saeki, S. Tagawa, T. Kai, and T. Shimokawa: J. Vac. Sci. Technol. B 24 (2006) 3055.
17. T. Kozawa, Y. Yoshida, M. Uesaka, and S. Tagawa: Jpn. J. Appl. Phys. 31 (1992) 4301.
18. T. Kozawa, A. Saeki, A. Nakano, Y. Yoshida, and S. Tagawa: J. Vac. Sci. Technol. B 21 (2003) 3149.
19. S. Tanuma, C. J. Powell, and D. R. Penn: Surf. Interface Anal. 21 (1994) 165.
20. T. Kozawa, A. Saeki, and S. Tagawa: J. Vac. Sci. Technol. B 22 (2004) 3489.
21. T. Kozawa and S. Tagawa: J. Appl. Phys. 99 (2006) 054509.
22. A. Saeki, T. Kozawa, Y. Yoshida, and S. Tagawa: Jpn. J. Appl. Phys. 41 (2002) 4213.
23. K. Okamoto, A. Saeki, T. Kozawa, Y. Yoshida, and S. Tagawa: Chem. Lett. 32 (2003) 834.
24. K. Okamoto, T. Kozawa, A. Saeki, Y. Yoshida, and S. Tagawa: Radiat. Phys. Chem. 76 (2007) 818.
25. T. Kozawa, A. Saeki, Y. Yoshida, and S. Tagawa: Jpn. J. Appl. Phys. 41 (2002) 4208.
26. T. Kozawa, S. Nagahara, Y. Yoshida, S. Tagawa, T. Watanabe, and Y. Yamashita: J. Vac. Sci. Technol. B 15 (1997) 2582.
27. H. Yamamoto, T. Kozawa, A. Nakano, K. Okamoto, S. Tagawa, T. Ando, M. Sato, and H. Komano: Jpn. J. Appl. Phys. 44 (2005) 5836.
28. T. Kozawa, S. Tagawa, T. Kai, and T. Shimokawa: J. Photopolym. Sci. Technol. 20 (2007) 577.
29. N. N. Matsuzawa, H. Oizumi, S. Mori, S. Irie, S. Shirayone, E. Yano, S. Okazaki, A. Ishitani, and D. A. Dixon: Jpn. J. Appl. Phys. 38 (1999) 7109.
30. H. Yamamoto, T. Kozawa, A. Nakano, K. Okamoto, Y. Yamamoto, T. Ando, M. Sato, H. Komano, and S. Tagawa: Jpn. J. Appl. Phys. 43 (2004) L848.
31. K. Asakawa, T. Ushirogouchi, and M. Nakase: Proc. SPIE 2438 (1995) 563.
32. W. D. Hinsberg, F. A. Houle, M. I. Sanchez, M. Morrison, O. M. Wallraff, C. Larson, J. Hoffnagle, P. Brock, and G. Beryta: Proc. SPIE 3999 (2000) 148.
33. K. Natsuda, T. Kozawa, K. Okamoto, and S. Tagawa: Jpn. J. Appl. Phys. 45 (2006) L1256.
34. K. Natsuda, T. Kozawa, K. Okamoto, and S. Tagawa: Jpn. J. Appl. Phys. 46 (2007) 7285.
35. J. Nakamura, H. Ban, K. Deguchi, and A. Tanaka: Jpn. J. Appl. Phys. 30 (1991) 2619.
36. L. Schlegel, T. Ueno, N. Hayashi, and T. Iwayanagi: J. Vac. Sci. Technol. B 9 (1991) 278.
37. L. Schlegel, T. Ueno, N. Hayashi, and T. Iwayanagi: Jpn, J. Appl. Phys. 30 (1991) 3132.
38. J. Nakamura, H. Ban, and A. Tanaka: Jpn. J. Appl. Phys. 31 (1992) 4294.
39. L. E. Ocola, D. Fryer, P. Nealey, J. dePablo, and F. Cerrina: J. Vac. Sci. Technol. B 14 (1996) 3974.
40. A. A. Krasnoperova, M. Khan, S. Rhyner, J. W. Taylor, Y. Zhu, and F. Cerrina: J. Vac. Sci. Technol. B 12 (1994) 3900.
41. T. H. Fedynyshyn, J. W. Thackeray, J. H. Georger, and M. D. Denison: J. Vac. Sci. Technol. B 12 (1994) 3888.
42. H. Watanabe, H. Sumitani, T. Kumada, M. Inoue, K. Marumoto, and Y. Matsui: Jpn. J. Appl. Phys. 34 (1995) 6780.
43. T. Itani, H. Yoshino, M. Fujimoto, and K. Kasama: J. Vac. Sci. Technol. B 13 (1995) 3026.
44. T. Itani, H. Yoshino, S. Hashimoto, M. Yamana, N. Samoto, and K. Kasama; J. Vac. Sci. Technol. B 14 (1996) 4226.
45. T. Itani, H. Yoshino, S. Hashimoto, M. Yamana, N. Samoto, and K. Kasama: Jpn. J. Appl. Phys. 35 (1996) 6501.
46. P. L. Zhang, A. R. Eckert, C. G. Willson, S. E. Webber, and J. D. Byers: Proc. SPIE 3049 (1997) 898.
47. K. E. Mueller, W. J. Loros, Y. Y. Wang, and C. G. Willson; Proc. SPIE 3049 (1997) 871.
48. T. Itani, H. Yoshino, S. Hashimoto, M. Yamana, N. Samoto, and K. Kasama: J. Vac. Sci. Technol. B 15 (1997) 2541.
49. B. Lu, J. W. Taylor, F. Cerrina, C. P. Soo, and A. J. Bourdillon: J. Vac. Sci. Technol. 817 (1999) 3345.
50. S. V. Postnikov, M. D. Stewart, H. V. Tran, M. A. Nierode, D. R. Medeiros, T. Cao, J. Byers, S. E. Webber, and C. G. Willson: J. Vac. Sci. Technol. B 17 (1999) 3335.
51. G. M. Wallraff, W. D. Hinsberg, F. A. Houle, M. Morrison, C. E. Larson, M. Sanchez, J. Hoffnagle, P. J. Brock, and G. Breyta: Proc. SPIE 3678 (1999) 138.
52. D. S. Fryer, S. Bollepali, J. J. dePable, and P. F. Nealey: J. Vac. Sci. Technol. B 17 (1999) 3351.
53. M. Toriumi, I. Okabe, T. Ohfuji, M. Endo, and H. Morimoto: Proc. SPIE 3999 (2000) 1056.
54. M. D. Stewart, M. H. Somervell, H. V. Tran, S. V. Postnikov, and C. G. Willson: Proc. SPIE 3999 (2000) 665.
55. F. A. Houle, W. D. Hinsberg, M. Morrison, M. I. Sanchez, G. Wallraff, C. Larson, and J. Hoffnagle; J. Vac. Sci. Technol. B 18 (2000) 1874.
56. W. D. Hinsberg, F. A. Houle, M. I. Sanchez, and G. M. Wallraff: IBM J. Res. Dev. 45 (2001) 667.
57. M. D. Stewart, H. V. Tran, G. M. Schmid, T. B. Stachowiak, D. J. Becker, and C. G. Willson: J. Vac. Sci. Technol. B 20 (2002) 2946.
58. C. A. Mack; J. Eleclrochem. Soc. 134 (1987) 148.