Experimental investigation of the electrical properties of atomic layer deposited hafnium-rich silicate films on n-type silicon

Journal of Applied Physics

Volumn 100, Issue 9, 2006, Pages

  Duenas S ^a   Castan H ^a   Garcia H ^a   Bailon L ^a   Kukli, K ^b,c   Ritala, M ^c   Leskela M ^c   Rooth, M ^d   Wilhelmsson, O ^d   Harsta A ^d  

^a UNIVERSITY OF VALLADOLID   (Spain)

^b UNIVERSITY OF TARTU   (Estonia)

^c UNIVERSITY OF HELSINKI   (Finland)

^d UPPSALA UNIVERSITY   (Sweden)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CAPACITORS; DEPOSITION; ELECTRIC PROPERTIES; HAFNIUM; PHASE SEPARATION; SILICATES; X RAY DIFFRACTION; X RAY PHOTOELECTRON SPECTROSCOPY;

ATOMIC LAYERS; CONDUCTANCE TRANSIENT; DEFECT DENSITY; INTERFACIAL STATE;

THIN FILMS;

EID: 33751107696     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2358831     Document Type: Article

References (47)

1. G. D. Wilk, R. M. Wallace, and J. M. Anthony, J. Appl. Phys. 89, 5243 (2001).
2. J. Robertson, Eur. Phys. J.: Appl. Phys. 28, 265 (2004).
3. G. M. Rignanese, J. Phys.: Condens. Matter 17, R357 (2005).
4. M. Copel, M. Gribelyuk, and E. Gusev, Appl. Phys. Lett. 76, 436 (2000).
5. M. Gutowski, J. E. Jaffe, C. L. Liu, M. Stoker, R. I. Hegde, R. S. Rai, and P. J. Tobin, Appl. Phys. Lett. 80, 1897 (2002).
6. G. D. Wilk and R. M. Wallace, Appl. Phys. Lett. 74, 2854 (1999).
7. W.-J. Qi, R. Nieh, E. Dharmarajan, B. H. Lee, Y. Jeon, L. Kanag, K. Onishi, and J. C. Lee, Appl. Phys. Lett. 77, 1704 (2000).
8. P. Masson, J. L. Autran, M. Houssa, X. Garros, and C. Leroux, Appl. Phys. Lett. 81, 3392 (2002).
9. M. Lemberger, A. Paskaleva, S. Zürcher, A. J. Bauer, L. Frey, and H. Ryssel, Microelectron. Reliab. 45, 819 (2005).
10. R. O'Connor, G. Hughes, R. Degraeve, B. Kaczer, and T. Kauerauf, Semicond. Sci. Technol. 20, 68 (2005).
11. S. Kamiyama, T. Miura, Y. Nara, and T. Arikado, Electrochem. Solid-State Lett. 8, G215 (2005).
12. R. B. van Dover, M. L. Green, L. Manchanda, L. F. Schneemeyer, and T. Siegrist, Appl. Phys. Lett. 83, 1459 (2003).
13. M. A. Quevedo López, M. E. Bouanani, B. E. Gnade, R. M. Wallace, M. R. Visokay, M. Douglas, M. J. Bevan, and L. Colombo, J. Appl. Phys. 92, 3540 (2002).
14. A. Callegari, E. Cartier, M. Gribelyuk, H. F. Okorn-Schmidt, and T. Zabel, J. Appl. Phys. 90, 6466 (2001).
15. N. Ikarashi and K. Manabe, J. Appl. Phys. 94, 480 (2003).
16. Y. Q. Wang, J. H. Chen, W. J. Yoo, Y.-C. Yeo, A. Chin, and A. Y. Du, J. Appl. Phys. 98, 013536 (2005).
17. M. Ritala, K. Kukli, A. Rahtu, P. I. Räisanen, and M. Leskelä, Science 288, 319 (2000).
18. M. Ritala and M. Leskelä, in Deposition and Processing of Thin Film Materials, Handbook of Thin Film Materials, Vol. 1, edited by, H. S. Nalwa, (Academic, San Diego, 2002), p. 104.
19. Y. Okuyama, C. Barelli, C. Tousseau, S. Park, and Y. Senzaki, J. Vac. Sci. Technol. A 23, L1 (2005).
20. Y. Senzaki, S. Park, H. Chatham, L. Bartholomew, and W. Nieween, J. Vac. Sci. Technol. A 22, 1175 (2004).
21. J. Kim and K. Yong, J. Electrochem. Soc. 152, F45 (2005).
22. S.-W. Kang, S.-W. Rhee, and S. M. George, J. Vac. Sci. Technol. A 22, 2392 (2005).
23. K. Kukli, M. Ritala, M. Leskelä, T. Sajavaara, J. Keinonen, R. I. Hegde, D. C. Gilmer, and P. J. Tobin, J. Electrochem. Soc. 151, F98 (2004).
24. S. Kamiyama, T. Miura, Y. Nara, and T. Arikado, Appl. Phys. Lett. 86, 222904 (2005).
25. S. Dueas, H. Castán, H. García, J. Barbolla, K. Kukli, J. Aarik, M. Ritala, and M. Leskelä, Microelectron. Reliab. 45, 949 (2005).
26. T. Suntola, Thin Solid Films 216, 82 (1992).
27. K. Forsgren, A. Hrsta, J. Aarik, A. Aidla, J. Westlinder, and J. Olsson, J. Electrochem. Soc. 149, F139 (2002).
28. K. Kukli, M. Ritala, T. Sajavaara, J. Keinonen, and M. Leskelä, Thin Solid Films 416, 72 (2002).
29. S. V. Ushakov, Phys. Status Solidi B 241, 2268 (2004).
30. K. Kukli, J. Mater. Sci.: Mater. Electron. 14, 361 (2003).
31. T.-H. Moon, M.-H. Ham, M.-S. Kim, I. Yun, and J.-M. Myong, Appl. Surf. Sci. 240, 105 (2005).
32. H. Kato, T. Nango, T. Miyagawa, T. Katagiri, S. S. Kwang, and Y. Ohki, J. Appl. Phys. 92, 1106 (2002).
33. K. Kukli, Thin Solid Films 479, 1 (2005).
34. P. Punchaipetch, G. Pant, M. Quevedo-Lopez, H. Zhang, M. El-Bouanani, M. J. Kim, R. M. Wallace, and B. E. Gnade, Thin Solid Films 425, 68 (2003).
35. V. Rangarajan, H. Bhandari, and T. M. Klein, Thin Solid Films 419, 1 (2002).
36. H. Wong, N. Zhan, K. L. Ng, M. C. Poon, and C. W. Kok, Thin Solid Films 462-463, 96 (2004).
37. G. He, M. Liu, L. Q. Zhu, M. Chang, Q. Fang, and L. D. Zhang, Surf. Sci. 576, 67 (2005).
38. K. P. Bastos, C. Driemeier, R. P. Pezzi, G. V. Soares, L. Miotti, J. Morais, I. J. R. Baumvol, and R. M. Wallace, Mater. Sci. Eng., B 112, 134 (2004).
39. L. Jung-Ho and M. Ichikawa, J. Appl. Phys. 92, 1929 (2002).
40. S. Ramanathan, P. C. McIntyre, J. Luning, P. S. Lysaght, Y. Yang, Z. Chen, and S. Stemmer, J. Electrochem. Soc. 150, F173 (2003).
41. L. He, H. Hasegawa, T. Sawada, and H. Ohno, J. Appl. Phys. 63, 2120 (1988).
42. P. W. Peacock and J. Robertson, Appl. Phys. Lett. 83, 2025 (2003).
43. I. S. Jeon, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 42, 1222 (2003).
44. A. Kerber, IEEE Electron Device Lett. 24, 87 (2003).
45. S. Dueas, R. Peláez, H. Castán, R. Pinacho, L. Quintanilla, J. Barbolla, I. Mártil, and G. González-Díaz, Appl. Phys. Lett. 71, 826 (1997).
46. H. Castán, S. Dueas, J. Barbolla, E. Redondo, N. Blanco, I. Mártil, and G. González-Díaz, Microelectron. Reliab. 40, 845 (2000).
47. M. Houssa, G. Pourtois, M. M. Heyns, and A. Stesmans, J. Phys.: Condens. Matter 17, S2075 (2005).