Properties of oxide film atomic layer deposited from tetraethoxy silane, hafnium halides, and water

Journal of the Electrochemical Society

Volumn 151, Issue 5, 2004, Pages

  Kukli, Kaupo ^a,c   Ritala, Mikko ^a   Leskelä, Markku ^a   Sajavaara, Timo ^a,d   Keinonen, Juhani ^a   Hegde, Rama I ^b   Gilmer, David C ^b   Tobin, Philip J ^b  

^a UNIVERSITY OF HELSINKI   (Finland)

^b MOTOROLA INC   (United States)

^c UNIVERSITY OF TARTU   (Estonia)

^d UNIVERSITY OF LEUVEN   (Belgium)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ANNEALING; BOROSILICATE GLASS; ELECTROCHEMISTRY; EPITAXIAL GROWTH; ETCHING; HYDROLYSIS; SILANES; TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; X RAY PHOTOELECTRON SPECTROSCOPY;

ATOMIC LAYER DEPOSITION (ALD); FILM STRUCTURE; INTERFACIAL LAYERS; LIGANDS;

FILM GROWTH;

EID: 2942597629     PISSN: 00134651     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1149/1.1668925     Document Type: Article

References (42)

1. H. Harris, K. Choi, N. Mehta, A. Chandolu, N. Biswas, G. Kipshidze, S. Nikishin, S. Gangopadhyay, and H. Temkin, Appl. Phys. Lett., 81, 1065 (2002).
2. K. J. Hubbard and D. G. Schlom, J. Mater. Res., 11, 2757 (1996).
3. M. Cho, J. Park, H. B. Park, C. S. Hwang, J. Jeong, and K. S. Hyun, Appl. Phys. Lett., 81, 334 (2002).
4. M. Gutowski, J. E. Joffe, C.-L. Liu, M. Stoker, R. I. Hegde, R. S. Rai, and P. J. Tobin, Appl. Phys. Lett., 80, 1897 (2002).
5. J. P. Chang and Y.-S. Lin, Appl. Phys. Lett., 79, 3824 (2002).
6. T. Yamamoto, N. Morita, N. Sugiyama, A. Karen, and K. Okuno, Appl. Surf. Sci., 203-204, 516 (2002).
7. A. Y. Kang, P. M. Lenahan, J. F. Conley, and R. Solanki, Appl. Phys. Lett., 81, 1128 (2002).
8. M. A. Quevedo-Lopez, M. El-Bouanani, M. J. Kim, B. E. Knade, R. M. Wallace, M. R. Visokay, A. LiFatou, M. J. Bevan, and L. Colombo, Appl. Phys. Lett., 81, 1047 (2002).
9. V. Misra, M. Kulkarni, and H. Zhong, J. Electron. Mater., 30, 1499 (2001).
10. G. D. Wilk, R. M. Wallace, and J. M. Anthony, J. Appl. Phys., 87, 484 (2000).
11. J.-H. Lee and M. Ichikawa, J. Applied Physics, 92, 1929 (2002).
12. J. Morais, L. Miotti, G. V. Soares, S. R. Teixeira, R. Pezzi, K. P. Bastos, I. J. Baumvoi, A. L. P. Rotondaro, J. J. Chambers, M. R. Visokay, and L. Colombo, Appl. Phys. Lett., 81, 2995 (2002).
13. H. Kang, Y. Roh, G. Bae, D. Jung, and C.-W. Yang, J. Vac. Sci. Technol. B, 20, 1360 (2002).
14. S. Gopalan, K. Onishi, R. Nieh, C. S. Kang, R. Choi, H.-J. Cho, S. Khrisnan, and J. C. Lee, Appl. Phys. Lett., 80, 4416 (2002).
15. J.-P. Maria, D. Wickaksana, J. Parrette, and A. I. Kingon, J. Mater. Res., 17, 1571 (2002).
16. R. P. Pezzi, C. Krug, E. B. O. da Rosa, J. Morais, L. Miotti, and I. J. R. Baumvol, Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B, 190, 510 (2002).
17. H. Kato, T. Nango, T. Miyagawa, T. Katagiri, K. S. Seol, and Y. Ohki, J. Appl. Phys., 92, 1106 (2002).
18. B. C. Hendrix, A. S. Borovik, C. Xu, J. F. Roeder, T. H. Baum, M. J. Bevan, M. R. Visokay, J. J. Chambers, A. L. P. Rotondaro, H. Bu, and L. Colombo, Appl. Phys. Lett., 80, 2362 (2002).
19. G. Lucovsky and G. B. Rayner, Jr., Appl. Phys. Lett., 77, 2912 (2000).
20. H. Kim and P. C. McIntyre, J. Appl. Phys., 92, 5094 (2002).
21. J. Aarik, A. Aidla, A.-A. Kiisler, T. Uustare, and V. Sammelselg, Thin Solid Films, 340, 110 (1999).
22. K. Kukli, M. Ritala, T. Sajavaara, J. Keinonen, and M. Leskelä, Thin Solid Films, 416, 72 (2002).
23. K. Forsgren, A. Hårsta, J. Aarik, A. Aidla, J. Westlinder, and J. Olsson, J. Electroehem. Soc., 149, F139 (2002).
24. S. M. George, A. W. Ott, and J. W. Klaus, J. Phys. Chem., 100, 13121 (1996).
25. S. Morishita, W. Gasser, K. Usami, and M. Matsumura, J. Non-Cryst. Solids, 187, 66 (1995).
26. M. Ritala, K. Kukli, A. Rahtu, P. I. Räisänen, T. Sajavaara, and J. Keinonen, Science, 288, 319 (2000).
27. K. Kukli, M. Ritala, and M. Leskelä, Chem. Mater., 12, 1914 (2000).
28. P. I. Räisänen, K. Kukli, A. Rahtu, M. Ritala, and M. Leskelä, in CVD XV, M. D. Allendorf and M. L. Hitchman, Editors, PV 2000-13, p. 623, The Electrochemical Society Proceedings Series, Pennington, NJ (2001).
29. P. I. Räisänen, M. Ritala, and M. Leskelä, J. Mater. Chem., 12, 1415 (2002).
30. A. Rahtu and M. Ritala, Langmuir, 18, 10046 (2002).
31. L. Bourget, R. J. P. Corriu, D. Leclerq, P. H. Mutin, and A. Vioux, J. Non-Cryst. Solids, 242, 81 (1998).
32. V. Lafond, P. H. Mutin, and A. Vioux, J. Mol. Catal. A: Chem., 182-183, 81 (2002).
33. V. V. Brei, V. A. Kasperskii, and A. A. Chuiko, Russ. J. Appl. Chem., 69, 335 (1996).
34. V. V. Brei, V. A. Kaspersky, and N. U. Gulyanitskaya, React. Kinet. Catal. Lett., 50, 425 (1993).
35. W.-K. Kim, S.-W. Kang, S.-W. Rhee, N.-I. Lee, J.-H. Lee, and H.-K. Kang, J. Vac. Sci. Technol. A, 20, 2096 (2002).
36. R. G. Gordon, J. Becker, D. Hausmann, and S. Suh, Chem. Mater., 13, 2463 (2001).
37. T. Suntola, Thin Solid Films, 216, 84 (1992).
38. M. Ylilammi and T. Ranta-aho, Thin Solid Films, 232, 56 (1993).
39. R. L. Opila, G. D. Wilk, M. A. Alam, R. B. van Dover, and B. W. Busch, Appl. Phys. Lett., 81, 1788 (2002).
40. D. K. Schröder, Semiconductor Material and Device Characterization, 2nd ed., p. 350, John Wiley & Sons, New York (1998).
41. W. A. Hill and C. C. Coleman, Solid-State Electron., 23, 987 (1980).
42. G. K. Dalapati, S. Chatterjee, S. K. Samanta, and C. K. Maiti, Appl. Surf. Sci., 210, 249 (2003).