Effects of oxide thickness and gate length on DC performance of submicrometer MgO/GaN MOSFETs

Electrochemical and Solid-State Letters

Volumn 6, Issue 10, 2003, Pages

  Cho, Hyun ^a   Lee, K P ^b   Gila, B P ^b   Abernathy, C R ^b   Pearton, S J ^b   Ren, F ^b  

^a Miryang National University   (South Korea)

^b University of Florida   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

COMPUTER SIMULATION; CURRENT VOLTAGE CHARACTERISTICS; DIELECTRIC MATERIALS; ELECTRIC CURRENTS; MAGNESIA; SEMICONDUCTING GALLIUM COMPOUNDS; TEMPERATURE;

DRAIN CURRENT; DRIFT-DIFFUSION MODEL; ELEVATED TEMPERATURE; GATE LENGTH DEVICES; OXIDE THICKNESS;

MOSFET DEVICES;

EID: 1842854754     PISSN: 10990062     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1149/1.1603971     Document Type: Article

References (43)

1. H. Kawai, M. Hara, F. Nakamura, and S. Imanaga, Electron. Lett., 34, 592 (1998).
2. M. Asif Khan, X. Hu, A. Tarakji, G. Simin, J. Yang, R. Gaska, and M. S. Shur, Appl. Phys. Lett., 77, 1339 (2000).
3. X. Hu, A. Koudymov, G. Simin, J. Yang, M. A. Khan, A. Tarakji, M. S. Shur, and R. Gaska, Appl. Phys. Lett., 79, 2832 (2001).
4. F. Ren, M. Hong, S. N. G. Chu, M. A. Marcus, M. J. Schurman, A. Baca, S. J. Pearton, and C. R. Abernathy, Appl. Phys. Lett., 73, 3839 (1998).
5. J. W. Johnson, B. Luo, F. Ren, B. P. Gila, V. Krishnamoorthy, C. R. Abernathy, S. J. Pearton, J. I. Chyi, T. E. Nee, C.M. Lee, and C. C. Chuo, Appl. Phys. Lett., 77, 3230 (2000).
6. N.-Q. Zhang, S. Keller, G. Parish, S. Heikman, S. P. DenBaars, and U. K. Mishra, IEEE Electron Device Lett., 21, 421 (2000).
7. H. C. Casey, Jr., G. G. Fountain, R. G. Alley, B. P. Keller, and S. P. DenBaars, Appl. Phys. Lett., 68, 1850 (1996).
8. R. Therrien, G. Lucovsky, and R. F. Davis, Phys. Status Solidi A, 176, 793 (1999)
9. R. Therrien, G. Lucovsky, and R. F. Davis, Appl. Surf. Sci., 166, 513 (2000).
10. T. Hashizume, E. Alekseev, D. Pavlidis, K. S. Boutros, and J. Redwing, J. Appl. Phys., 88, 1983 (2000).
11. M. A. Khan, X. Hu, G. Simin, G. Lunev, J. Yang, R. Gaska, and M. S. Shur, IEEE Electron Device Lett., 21, 63 (2000).
12. A. Tarakji, X. Hu, A. Koudynov, G. Simin, J. Yang, M. A. Khan, M. S. Shur, and R. Gaska, Solid-State Electron., In press.
13. J. W. Johnson, B. P. Gila, B. Luo, K. P. Lee, C. R. Abernathy, S. J. Pearton, J. I. Chyi, T. E. Nee, C. M. Lee, C. C. Chou, and F. Ren, J. Electrochem. Soc., 146, 4303 (2001).
14. T. S. Lay, M. Hong, T. Kwo, T. P. Lee, W. Hung, and D. T. Huang, Solid-State Electron., 45, 1679 (2001).
15. S. C. Binari, K. Doverspike, G. Kelner, H. B. Dietrich, and A. E. Wickenden, Solid-State Electron., 41, 177 (1997).
16. S. Arulkumaran, T. Egawa, H. Ishikawa, T. Jimbo, and M. Umeno, Appl. Phys. Lett., 73, 809 (1998).
17. F. Ren, C. R. Abernathy, J. D. Mackenzie, B. P. Gila, S. J. Pearton, M. Hong, M. A. Marcus, M. J. Schurman, A. G. Baca, and R. J. Shul, Solid-State Electron., 42, 2177 (1998).
18. P. A. Ivanov, M. E. Levinshtein, G. Simin, X. Hu, J. Yang, M. A. Khan, S. C. Rumyantsev, M. S. Shur, and R. Gaska, Electron. Lett., 37, 1479 (2001).
19. P. Chen, W. Wang, S. J. Chua, and Y. D. Zheng, Appl. Phys. Lett., 79, 3530 (2001).
20. D. Mistele, T. Rotter, R. Ferretti, F. Fedler, H. Klausiag, O. K. Semchinova, J. Stemmer, J. Aderhold, and J. Graul, Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 639, G11.42.1 (2001).
21. B. P. Gila, J. W. Johnson, R. Mehandru, B. Luo, A. H. Onstine, K. K. Allums, V. Krishnamoorthy, S. Bates, C. R. Abernathy, F. Ren, and S. J. Pearton, Phys. Status Solidi A, 188, 239 (2001).
22. M. Hong, H. Ng, M. Kwo, A. Kortran, A. Y. Cho, F. Ren, J.-I. Chyi, C. R. Abernathy, and S. J. Pearton, Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 622, T2.2 (2000).
23. M. Hong, K. A. Anselm, J. Kwo, H. M. Ng, J. N. Baillargeon, A. R. Kortan, J. P. Mannaerts, A. Y. Cho, C. M. Lee, J. I. Chyi, and T. S. Lay, J. Vac. Sci. Technol. B, 18, 1453 (2000).
24. Y. Irokawa and Y. Nakano, Solid-State Electron., 46, 1467 (2002).
25. D. J. Fu, Y. H. Kwon, T. W. Kang, C. J. Park, K. H. Baek, H. Y. Cho, D. H. Shin, C. H. Lee, and K. S. Chung, Appl. Phys. Lett., 80, 446 (2002).
26. D. Mistele, T. Rotter, K. S. Rover, S. Paprotta, M. Segboth, V. Schewegler, F. Fedler, H. Klausing, O. K. Semchinova, J. Stemmer, J. Aderhold, and J. Graul, Mater. Sci. Eng., B, 93, 107 (2002).
27. S. J. Pearton, F. Ren, A. P. Zhang, and K. P. Lee, Mater. Sci. Eng., R., 30, 55 (2000).
28. B. M. Green, K. K. Chu, E. M. Chumbes, J. A. Smart, J. R. Shealy, and L. F. Eastman, IEEE Electron Device Lett., 21, 268 (2000).
29. L. F. Eastman, V. Tilak, J. Smart, B. M. Green, E. M. Chumbes, R. Dimitrov, H. Kim, O. S. Ambacher, N. Weimann, T. Prunty, M. Murphy, W. J. Schaff, and J. R. Shealy, IEEE Trans. Electron Devices, 48, 479 (2001).
30. E. Kohn, I. Daumiller, P. Schmid, N. X. Nguyen, and C. N. Nguyen, Electron. Lett., 35, 1022 (1999).
31. J.-S. Lee, A. Vescan, A. Wieszt, R. Dietrich, H. Leier, and Y.-S. Kwon, Electron. Lett., 37, 130 (2001).
32. X. Hu, A. Koudymov, G. Simin, J. Yang, M. Asif Khan, A. Tarakji, M. S. Shur, and R. Gaska, Appl. Phys. Lett., 79, 2832 (2001).
33. N. X. Nguyen, C. Nguyen, and D. E. Grider, Electron. Lett., 35, 1356 (1999).
34. I. Daumiller, C. Kirchner, M. Kamp, K. J. Ebeling, and E. Kohn, IEEE Electron Device Lett., 20, 448 (1999).
35. A. Tarakji, G. Simin, N. Ilinskaya, X. Hu, A. Kumar, A. Koudymov, J. Yang, M. Asif Khan, M. S. Shur, and R. Gaska, Appl. Phys. Lett., 78, 2169 (2001).
36. E. M. Chumbes, J. A. Smart, T. Prunty, and J. M. Shealy, IEEE Trans. Electron Devices, 48, 416 (2001).
37. S. C. Binari, K. Ikossi, J. A. Roussos, W. Kruppa, D. Park, H. B. Dietrich, D. D. Koleske, A. E. Wickenden, and R. L. Henry, IEEE Trans. Electron Devices, 48, 465 (2001).
38. B. Luo, J. W. Johnson, J. Kim, R. Mehandru, F. Ren, B. P. Gila, A. H. Onstine, C. R. Abernathy, S. J. Pearton, A. G. Baca, R. D. Briggs, R. J. Shul, C. Monier, and J. Han, Appl. Phys. Lett., 80, 1661 (2002).
39. B. Luo, R. Mahandru, J. Kim, F. Ren, B. P. Gila, A. H. Onstine, C. R. Abernathy, R. Fitch, J. Gillespie, T. Jenkins, J. Sewell, D. Via, A. Crespo, and Y. Irokawa, J. Electrochem. Soc., 149, G613 (2002).
40. J. Kim, R. Mahandru, B. Luo, F. Ren, B. P. Gila, A. H. Onstine, C. R. Abernathy, S. J. Pearton, and Y. Irokawa, Appl. Phys. Lett., 80, 4555 (2002).
41. J. Kim, R. Mahandru, B. Luo, F. Ren, B. P. Gila, A. H. Onstine, C. R. Abernathy, S. J. Pearton, and Y. Irokawa, Appl. Phys. Lett., 81, 373 (2002).
42. Properties of GaN and Group III Nitrides, J. H. Edgar and H. Amano, Editors, INSPEI, IEEE, London (2000).
43. M. Shur, Physics of Semiconductor Devices, Prentice-Hall, Eaglewood Cliffs, NJ (1990).