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Volumn 68, Issue 13, 1996, Pages 1850-1852

Low interface trap density for remote plasma deposited SiO2 on n-type GaN

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EID: 0000266350     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.116034     Document Type: Article
Times cited : (157)

References (19)


* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.