III-nitride light-emitting devices on SI

III- Nitride Devices and Nanoengineering

Volumn , Issue , 2008, Pages 253-278

  Chen, N C ^a   Shih, C F ^a  

^a CHANG GUNG UNIVERSITY   (Taiwan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

III-NITRIDE; LIGHT EMITTING DEVICES;

LIGHT EMISSION;

EID: 84967432041     PISSN: None     EISSN: None     Source Type: Book    
DOI: 10.1142/9781848162242_0009     Document Type: Chapter

References (55)

1. H. M. Manasevit, F. M. Erdmann, and W. J. Simpson, J. Electrochem. Soc. 118, 1867 (1971).
2. S. Guha and N. A. Bojarczuk, Appl. Phys. Lett. 72, 415 (1998).
3. S. Guha and N. A. Bojarczuk, Appl. Phys. Lett. 73, 1487 (1998).
4. H. Ishikawa, K. Yamamoto, T. Egawa, T. Soga, T. Jimbo, and M. Umeno, J. Cryst. Growth 189/190, 178 (1998).
5. N. P. Kobayashi, J. T. Kobayashi, P. D. Dakus, W. J. Choi, and A. E. Bond, Appl. Phys. Lett. 71, 3569 (1997).
6. J. W. Yang, J. S. Sun, Q. Chen, M. Z. Anwar, M. Asif Khan, S. A. Nikishin, G. A. Seryogin, A. V. Osinsky, L. Chernyak, H. Temkin, C. Hu, S. Mahajan, Appl. Phys. Lett. 69 3566 (1996).
7. W. Lee, S. W. Park, J. B. Yoo, Phys. Stat. Sol. (a) 176, 583 (1999).
8. C. I. Park, J. H. Kang, K. C. Kim, K. S. Nahm, E. K. Suh, K. Y. Lim, Thin Solid Film, 401, 60 (2001).
9. S. Zamir, B. Meyler, E. Zolotoyabko, J. Salzman, J. Cryst. Growth, 218, 181 (2000).
10. X. Xu, R. Armitage, Satoko Shinkai and Katsutaka Sasaki, C. Kisielowski, E. R. Weber, Appl. Phys. Lett. 86, 182104 (2005).
11. P. Chen, R. Zhang, Z. M. Zhao, D. J. Xi, B. Shen, Z. Z. Chen, Y. G. Zhou, S. Y. Xie, W. F. Lu, Y. D. Zheng, J. Cryst. Growth 225, 150 (2001).
12. R. Liu, F. A. Ponce, A. Dadgar, and A. Krost, Appl. Phys. Lett. 83, 880 (2003).
13. S. Zamir, B. Meyler, E. Zolotoyabko, J. Salzman, J. Cryst. Growth 218, 181 (2000).
14. H. Lahrèche, P. Vennéguès, O. Tottereau, M. Laukgt, P. Lorenzini, M. Leroux, B. Beaumont, P. Gibart, J. Cryst. Growth 217, 13 (2000).
15. I. H. Lee, S. J. Lim, and Y. Park, J. Cryst. Growth 235, 73 (2002).
16. S. Hearne, et al., Appl. Phys. Lett. 74, 356 (1999).
17. H. Amano et al., Jpn. J. Appl. Phys. 37, L1540 (1998).
18. L. T. Romano, J. Appl. Phys. 87, 7745 (2000).
19. J. A. Floro, MRS Bull. 27, 19 (2002).
20. A. Krost, D. Dadgar, F. Schulze, J. Blässing, G. Strassburger, R. Clos, A. Diez, P. Veit, T. Hempel, J. Christen, J. Cryst. Growth 275, 209 (2005).
21. S. Hearne, E. Chason, J. Han, J. A. Floro, J. Figiel, J. Hunter, H. Amano, I. S. T. Tsong, Appl. Phys. Lett. 74, 356 (1999).
22. S. Raghavan, and J. M. Redwing, J. Appl. Phys. 98, 023514 (2005).
23. S. Raghavan, and J. M. Redwing, J. Appl. Phys. 98, 023515 (2005).
24. S. Raghavan, X. Weng, E. Dickey, and J. M. Redwing, Appl. Phys. Lett. 87, 142101 (2005).
25. J. Han, K. E. Waldrip, S. R. Lee, J. J. Figiel, S. J. Hearne, G. A. Petersen, and S. M. Myers, Appl. Phys. Lett. 78, 67 (2001).
26. G. Stoney, Proc. R. Soc. London, Ser. A 82 172 (1909).
27. L. B. Freund, J. A. Floro, E. Chason, Appl. Phys. Lett. 74, 1987 (1999).
28. A. F. Wright, J. Appl. Phys. 82, 2833 (1997).
29. A. Krost, A. Dadgar, J. Blläsing, A. Diez, T. Hempel, S. Petzold, J. Christen, and R. Clos, Appl. Phys. Lett. 85, 3441 (2004).
30. C. H. Chen, C. M. Yeh, J. Hwang, T. L. Tsai, C. H. Chiang, C. S. Chang, and T. P. Chen, J. Appl. Phys. 98, 093509 (2005).
31. L. Macht, P. R. Hageman, S. Haffouz, and P. K. Larsen, Appl. Phys. Lett. 87, 131904 (2005).
32. R. F. Davis, T. Gehrke, K. J. Linthicum, P. Rajagopal, A. M. Roskowski, T. Zheleva, E. A. Preble, C. A. Zorman, M. Mehregany, U. Schwarz, J. Schuck, and R. Grober, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 6, 14 (2001).
33. S. Hwan Jang, and C. Ro Lee, J. Cryst. Growth, 253, 64 (2003).
34. E. Feltin, B. Beaumont, M. Laügt, P. de Mierry, P. Vennéguès, H. Lahrèche, M. Leroux, and P. Gibart, Appl. Phys. Lett. 79, 3230 (2001).
35. T. A. Rawdanowicz and J. Narayan, Appl. Phys. Lett. 85, 133 (2004).
36. K. J. Lee, E. H. Shin, and K. Y. Lim, 85, 1502 (2004).
37. H. Amano, M. Iwaya, N. Hayashi, T. Kashima, S. Nitta, C. Wetzel, and I. Akasaki, Phys. Status Solidi B 216, 683 (1999).
38. A. Krost and A. Dadgar, Mater. Sci. Eng. B 93, 77 (2002).
39. J. Bläsing, A. Reiher, A. Dadgar, A. Diez, and A. Krost, Appl. Phys. Lett. 87, 2122 (2002).
40. G. Cong, Y. Lu, W. Peng, X. Liu, X. Wang, Z. Wang, J. Cryst. Growth 276, 381 (2005).
41. A. M. Poschenrieder, A. Reiher, J. Bläsing, J. hristen, A. Krtschil, T. Finger, T. Hempel, A. Diez, and A. Krost, Appl. Phys. Lett. 82, 28 (2003).
42. C. F. Shih, N. C. Chen, C. A. Chang, and K. S. Liu, Jpn. J. of Appl. Phys. 44, L140 (2005).
43. M. A. Sánchez-García, F. B. Naranjo, J. L. Pau, A. Jiménez, E. Calleja, and E. Muñoz, J. Appl. Phys. 87, 1569 (1999).
44. T. Egawa, B. Zhang, N. Nishikawa, H. Ishikawa, T. Jimbo, and M. Umeno, J. Appl. Phys. 91, 528 (2002).
45. Baijun Zhang, Takashi Egawa, Hiroyasu Ishikawa, Yang Liu and Takashi Jimbo, Jpn. J. Appl. Phys. 42, L226 (2003).
46. C. Mo, W. Fang, Y. Pu, H. Liu, F. Jiang, J. Cryst. Growth 285, 312-317 (2005).
47. N. Nakada, M. Nakaji, H. Ishikawa, T. Egawa, M. Umeno, T. Jimbo, Appl. Phys. Lett. 76, 1804 (2000).
48. H. Ishikawa, B. Zhanga, K. Asanoa, T. Egawaa, T. Jimbob, J. Cryst. Growth 272, 322 (2004).
49. Gurtej S. Sandhu, Scott G. Meikle, and Trung T. Doan, Appl. Phys. Lett. 62, 240 (1993).
50. S. C. Sun and M. H. Tsai, Appl. Phys. Lett. 68, 670 (1996).
51. P. Patsalas and S. Logothetidis, J. Appl. Phys. 93, 989 (2003).
52. C. A. Dimitriadis, Th. Karakostas, S. Logothetidis, G. Kamarinos, J. Brini, and G. Nouet, Solid-State Electron. 43, 1969 (1999).
53. Appl. Phys. Lett. (In revised).
54. Mitsuru Funato, Shizuo Fujita, and Shigeo Fujita, Appl. Phys. Lett. 77, 3959 (2000).
55. B. Zhang, T. i Egawa, H. Ishikawa, Y. Liu, and T. Jimbo, Appl. Phys. Lett. 86, 071113 (2005).