GaN growth on Si(111) substrate using oxidized AlAs as an intermediate layer

Applied Physics Letters

Volumn 71, Issue 24, 1997, Pages 3569-3571

  Kobayashi, N P ^a   Kobayashi, J T ^a   Dapkus, P D ^a   Choi, W J ^a   Bond, A E ^a   Zhang, X ^a   Rich, D H ^a  

^a University of Southern California ^*  (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0000210765     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.120394     Document Type: Article

References (18)

1. A. Watanabe, T. Takeuchi, K. Kurosawa, H. Amano, and I. Akasaki, J. Cryst. Growth JCRGAE 128, 391 (1993).
2. P. Kung, A. Saxler, X. Zhang, D. Walker, T. C. Wang, I. Ferguson, and M. Razeghi, Appl. Phys. Lett. APPLAB 66, 2958 (1995).
3. T. Takeuchi, H. Amano, K. Hiramatsu, N. Sawaki, and I. Akasaki, J. Cryst. Growth JCRGAE 115, 634 (1991).
4. J. W. Yang, C. J. Sun, Q. Chen, M. Z. Anwar, M. S. Khan, S. A. Nikishin, G. A. Seryogin, A. V. Osinsky, L. Chernyak, H. Temkin, C. Hu, and S. Mahajan, Appl. Phys. Lett. APPLAB 69, 3566 (1996).
5. Z. Yang, F. Guarin, I. W. Tao, W. I. Wang, and S. S. Iyer, J. Vac. Sci. Technol. B JVTBD9 13, 789 (1995).
6. J. M. Dellasasse, N. Holonyak, Jr., A. R. Sugg, T. A. Richard, and N. El-Zein, Appl. Phys. Lett. APPLAB 57, 2844 (1990).
7. J. T. Kobayashi, N. P. Kobayashi and P. D. Dapkus, J. Electron. Mater. JECMA5 26, 1114 (1997).
8. A. R. Sugg, E. I. Chen, N. Holonyak, Jr., K. C. Hsieh, J. E. Baker, and N. Finnegan, J. Appl. Phys. JAPIAU 74, 3880 (1993).
9. R. D. Twesten, D. M. Follstaedt, K. D. Choquette, and R. P. Schneider, Jr., Appl. Phys. Lett. APPLAB 69, 19 (1996).
10. T. Takamori, K. Takemasa, and T. Kamijoh, Appl. Phys. Lett. APPLAB 69, 659 (1996).
11. R. Dingle, D. D. Sell, S. E. Stokowski, and M. Ilegems, Phys. Rev. B PLRBAQ 4, 1211 (1971).
12. D. Kovalev, B. Averboukh, D. Volm, B. K. Meyer, H. Amano, and I. Akasaki, Phys. Rev. B PRBMDO 54, 2518 (1996).
13. F. Huth, Phys. Status Solidi PHSSAK 31, K119 (1969).
14. H. J. Stocker, J. Appl. Phys. JAPIAU 48, 4583 (1977).
15. V. S. Vavilov, S. I. Makarov, M. V. Chukichev, and I. F. Chetverikova, Sov. Phys. Semicond. SPSEAX 18, 1259 (1979).
16. B.-C. Chung and M. Gershenzon, J. Appl. Phys. JAPIAU 72, 651 (1992).
17. W. Seifert, R. Franzheld, E. Butter, G. Sobotta, and V. Riede, Cryst. Res. Technol. CRTEDF 18, 383 (1983).
18. G. Popovici, W. Kim, A. Botchkarev, H. Tang, J. Solomon and H. Morkoç, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. MRSPDH 468, 3 (1997).