Microphotoluminescence mapping of laterally overgrown GaN layers on patterned Si (111) substrates

Applied Physics Letters

Volumn 87, Issue 13, 2005, Pages 1-3

  Macht, L ^a   Hageman, P R ^a   Haffouz, S ^a   Larsen, P K ^a  

^a RADBOUD UNIVERSITY NIJMEGEN   (Netherlands)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

DISLOCATIONS (CRYSTALS); ETCHING; METALLORGANIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; PHOTOLUMINESCENCE; SILICON;

DISLOCATION DENSITY; PHOTOELECTROCHEMICAL ETCHING; SI SUBSTRATES;

GALLIUM NITRIDE;

EID: 28344449876     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2042546     Document Type: Article

References (11)

1. F. Schulze, A. Dadgar, J. Bläsing, and A. Krost, Appl. Phys. Lett. 84, 4747 (2004).
2. A. Dadgar, J. Bläsing, A. Diez, A. Alam, M. Heuken, and A. Krost, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 39, L1183 (2000).
3. A. Krost, A. Dadgar, J. Bläsing, A. Diez, T. Hempel, S. Petzold, J. Christen, and R. Clos, Appl. Phys. Lett. 85, 3441 (2004).
4. P. R. Hageman, S. Haffouz, V. Kirilyuk, A. Grzegorczyk, and P. K. Larsen, Phys. Status Solidi A 188, 523 (2001).
5. S. H. Jang and C. R. Lee, J. Cryst. Growth 253, 64 (2003).
6. H. Marchand, N. Zhang, L. Zaho, Y. Golan, S. J. Rosner, G. Girolami, P. T. Fini, J. P. Ibbetson, S. Keller, S. DenBaars, J. S. Speck, and U. K. Mishra, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 4, 2 (1999)
7. E. Feltin, B. Beaumont, P. Vennegues. M. Vaille, P. Gibart, T. Riemann, J. Christen, L. Dobos, and B. Pecz, J. Appl. Phys. 93, 182 (2003).
8. S. Haffouz, A. Grzegorczyk, P. R. Hageman, P. Venǹguės, E. W. J. M. van der Drift, and P. K. Larsen, J. Cryst. Growth 248, 568 (2003)
9. L. Macht, J. J. Kelly, J. L. Weyher, A. Grzegorczyk, and P. K. Larsen, J. Cryst. Growth 273, 347 (2005).
10. L. Macht, J. L. Weyher, A. Grzegorczyk, and P. K. Larsen, Phys. Rev. B 71, 073309 (2005).
11. M. Smith, J. Y. Lin, H. X. Jiang, and M. Asif Khan, Appl. Phys. Lett. 71, 635 (1997).