Bandgap engineering of III- Nitride devices on low-defect substrates

III- Nitride Devices and Nanoengineering

Volumn , Issue , 2008, Pages 367-397

  Karpov, Sergey Yu ^a,b  

^a STR Inc   (United States)

^b SOFT IMPACT LTD   (Russian Federation)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ALUMINUM NITRIDE; CRYSTAL ORIENTATION; ENERGY GAP; HETEROJUNCTIONS; HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTORS; III-V SEMICONDUCTORS; NITRIDES; OPTOELECTRONIC DEVICES; SAPPHIRE; SILICON CARBIDE; SINGLE CRYSTALS;

BAND GAP ENGINEERING; BULK SINGLE CRYSTALS; CRYSTAL POLARITIES; GROWTH SURFACES; POLARIZATION CHARGES; SILICON CARBIDE SUBSTRATES; STATE OF THE ART; THREADING DISLOCATION DENSITIES;

SUBSTRATES;

EID: 84967367846     PISSN: None     EISSN: None     Source Type: Book    
DOI: 10.1142/9781848162242_0013     Document Type: Chapter

References (71)

1. S. Nakamura, J. Cryst. Growth 145, 911 (1994).
2. S. Nakamura, T. Mukai, M. Senoh, Appl. Phys. Lett. 64, 1687 (1994).
3. O. Ambacher, J. Phys. D 31, 2653 (1998).
4. L. Liu and J. H. Edgar, Mat. Sci. Engineer. R37, 61 (2002).
5. S. J. Pearton, F. Ren, A. P. Zhang, and K. P. Lee, Mat. Sci. Engineer. R30, 55 (2000).
6. A. Krost and A. Dadgar, Mat. Sci. Engineer. B93, 77 (2002).
7. J. W. Johnson, E. L. Piner, A. Vescan, R. Therrien, P. Rajagopal, J. C. Roberts, J. D. Brown, S. Singhal, and K. J. Linthicum, IEEE Electron. Device Lett. 25, 459 (2004).
8. T. Hino, S. Tomiya, T. Miyajima, K. Yanashima, S. Hashimoto, and M. Ikeda, Appl. Phys. Lett. 76, 3421 (2000).
9. M. Iwaya, S. Terao, T. Sano, S. Takanami, T. Ukai, R. Nakamura, S. Kamiyama, H. Amano, and I. Akasaki, Phys. Status Solidi (a) 188, 117 (2001).
10. S. Yu. Karpov and Yu. N. Makarov, Appl. Phys. Lett. 81, 4721 (2002).
11. S. Nakamura, J. Cryst. Growth 201/202, 290 (1999).
12. V. Bougrov, M. Levinstein, S. Rumyantsev, A. Zubrilov, in Properties of advanced semiconductor materials. GaN, AlN, InN, BN, SiC, SiGe., Eds. M. E. Levinshtein, S. L. Rumyantsev, and M. S. Shur, (Wiley-Interscience, New York, 2001), p. 3.
13. Yu. Goldberg, in Ref. 12, p. 33.
14. A. Zubrilov, in Ref. 12, p. 50.
15. Ü. Özgür, Ya. I. Alivov, C. Liu, A. Teke, M. A. Reshchikov, S. Doğan, V. Avrutin, S.-J. Cho, and H. Morkoç, J. Appl. Phys. 98, 041301 (2005).
16. http://www.crystran. co. uk/products. asp?productid=231.
17. T. Fujii, Y. Gao, R. Sharma, E. L. Hu, S. P. DenBaars, and S. Nakamura, Appl. Phys. Lett. 84, 855 (2004).
18. T. Frey and V. Härle, in Abstract Book of the 14th International Conference on Crystal Growth, 431 (2004).
19. X. Hu, J. Deng, N. Pala, R. Gaska, M. S. Shur, C. Q. Chen, J. Yang, G. Simin, M. Asif Khan, J. C. Rojo, and L. J. Schowalter, J. Cryst. Growth 82, 1299 (2003).
20. E. S. Hellman, D. N. E. Buchanan, D. Wiesmann, and I. Brener, MRS J. Nitride Semicond. Res. 1, 16 (1996).
21. T. Mukai, S. Hagahama, T. Yanamoto, and M. Sano, Phys. Stat. Solidi (a) 192, 261 (2002).
22. S. Porowski, I. Grzegory, S. Krukowski, M. Leszczynski, P. Perlin, and T. Suski, Europhysics News 35, 1 (2004).
23. K. Akita, T. Nakamura, and H. Hirayama, Phys. Stat. Solidi (a) 201, 2624 (2004).
24. A. Gassmann, T. Suski, N. Newman, C. Kisielowski, E. Jones, E. R. Weber, Z. Liliental-Weber, M. D. Rubin, H. I. Helava, I. Grzegory, M. Bockowski, J. Jun, and S. Porowski, J. Appl. Phys. 80, 2195 (1996).
25. F. Bernardini, V. Fiorentini, and D. Vanderbilt, Phys. Rev. B63, 193201 (2001).
26. S. F. Chihibu, A. C. Abare, M. P. Mack, M. S. Minsky, T. Degushi, D. Cohen, P. Kozodoy, S. B. Fleischer, S. Keller, J. S. Speck, J. E. Bowers, E. Hu, U. K. Mishra, L. A. Coldren, S. P. DenBaars, K. Wada, T. Sots, and S. Nakamura, Mat. Sci. Engeneer. B59, 298 (1999).
27. A. Chitnis, C. Chen, V. Adivarahan, M. Shatalov, E. Kuokstis, V. Mandavilli, J. Yang, and M. Asif Khan, Appl. Phys. Lett. 84, 3663 (2004).
28. R. Sharma, P. M. Pattison, H. Masui, R. M. Farrell, T. J. Baker, B. A. Haskell, F. Wu, S. P. DenBaars, J. S. Speck, and S. Nakamura, Appl. Phys. Lett. 87, 231110 (2005).
29. M. D. Craven, S. H. Lim, F. Wu, J. S. Speck, and S. P. DenBaars, Appl. Phys. Lett. 81, 469 (2002).
30. D. Craven, F. Wu, A. Chakraborty, B. Imer, U. K. Mishra, S. P. DenBaars, and J. S. Speck, Appl. Phys. Lett. 84, 1281 (2003).
31. J. C. Rojo, G. A. Slack, K. Morgan, B. Raghothamachar, M. Dudley, and L. J. Schowalter, J. Cryst. Growth. 231, 317 (2001).
32. B. Raghothamachar, M. Dudley, J. C. Rojo, K. Morgan, and L. J. Schowalter, J. Cryst. Growth 250, 244 (2003).
33. http://www.parc. com/about/pressroom/news/2002-04-10-uvled/default. html.
34. S. Porowski, J. Cryst. Growth 189/190, 153 (1998).
35. P. Perlin, T. Suski, M. Leszczyński, P. Prystawko, T. Świetlik, Ł. Marona, P. Wiśniewski, R. Czernecki, G. Nowak, J. L. Weyher, G. Kamler, J. Borysiuk, E. Litwin-Staszewska, L. Dmowski, R. Piotrzkowski, G. Franssen, S. Grzanka, I. Grzegory, and S. Porowski, J. Crystal Growth 281, 107 (2005).
36. C. Skierbiszewski, K. Dybko, W. Knap, M. Siekacz, W. Krupczyński, G. Nowak, M. Boćkowski, J. Łusakowski, Z. R. Wasilewski, D. Maude, T. Suski and S. Porowski, Appl. Phys. Lett. 86, 102106 (2005).
37. I. Grzegory, M. Bockowski, B. Lucznik, S. Krukowski, Z. Romanowski, M. Wroblewski, and S. Porowski, J. Cryst. Growth 246, 177 (2002).
38. R. P. Vaudo, X. Xu, C. Loria, A. D. Salant, J. S. Flynn, and G. R. Brandes, Phys. Stat. Solidi (a) 194, 494 (2002).
39. S. K. Mathisa, A. E. Romanov, L. F. Chena, G. E. Beltzc, W. Pomped, and J. S. Speck, J. Cryst. Growth 231, 371 (2001).
40. A. Usui, Mat. Res. Symp. Proc. 482, 233 (1998).
41. M. Albrecht, I. P. Nikitina, A. E. Nikolaev, Yu. V. Melnik, V. A. Dmitriev, and H. P. Strunk, Phys. Stat. Solidi (a) 176, 453 (1999).
42. Yu. Melnik, V. Soukhoveev, V. Ivantsov, V. Sizov, A. Pechnikov, K. Tsvetkov, O. Kovalenkov, V. Dmitriev, A. Nikolaev, N. Kuznetsov, E. Silveira, and J. Freitas, Phys. Stat. Solidi (a) 200, 22 (2003).
43. V. Dmitriev and A. Usikov, in III-Nitride Semiconductor Materials, Ed. Zhe Chuang Feng (Imperial College Press, 2006), Ch. 1.
44. B. Beaumont, M. Vaille, G. Nataf, A. Bouillé, J.-C. Guillaume, P. Vénnègues, S. Haffouz, and P Gibart, MRS J. Nitride Semicond. Res. 3, 20 (1998).
45. O.-H. Nam, M. D. Bremser, T. S. Zheleva, R. F. Davis, Appl. Phys. Lett. 71, 2638 (1997).
46. http://www.semitech. us/products.
47. I. Vurgaftman, J. R. Meyer, and L. R. Ram-Mohan, J. Appl. Phys. 89, 5815 (2001).
48. S. Nakamura, Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 395, 879 (1996).
49. U. Kaufmann, M. Kunzer, K. Köhler, H. Obloh, W. Pletschen, P. Schlotter, J. Wagner, A. Ellens, W. Rossner, and M. Kobusch, Phys, Stat. Solidi (a) 192, 246 (2002).
50. S. Yu. Karpov, K. A. Bulashevich, I. A. Zhmakin, M. O. Nestoklon, V. F. Mymrin, and Yu. N. Makarov, Phys. Stat. Solidi (b) 241, 2668 (2004).
51. M. Iwaya, S. Takanami, A. Miyazaki, Y. Watanabe, S. Kamiyama, H. Amano, and I. Akasaki, Jpn. J. Appl. Phys. 42, 400 (2003).
52. A. S. Usikov, D. V. Tsvetkov, M. A. Mastro, A. I. Pechnikov, V. A. Soukhoveev, Y. V. Shapovalova, O. V. Kovalenkov, G. H. Gainer, S. Yu. Karpov, V. A. Dmitriev, B. O'Meara, S. A. Gurevich, E. M. Arakcheeva, A. L. Zakhgeim, and H. Helava, Phys. Stat. Solidi (c) 0, 2265 (2003).
53. K. A. Bulashevich, S. Yu. Karpov, and R. A. Suris, accepted to publication in Phys. Stat. Solidi (c) (2006).
54. C. Skierbiszewski, P. Perlin, I. Grzegory, Z. R. Wasilewski, M. Siekacz, A. Feduniewicz, P. Wisniewski, J. Borysiuk, P. Prystawko, G. Kamler, T. Suski, and S. Porowski, Semicond. Sci. Technol. 20, 809 (2005).
55. M. Kneissl, D. W. Treat, M. Teepe, N. Miyashita, and N. M. Johnson, Appl. Phys. Lett. 82, 2386 (2003).
56. D. Jena, S. Heikman, J. S. Speck, U. Mishra, A. Link, and O. Ambacher, Phys, Stat. Solidi (c) 0, 2339 (2003).
57. R. Gaska, J. W. Yang, A. Osinsky, Q. Chen, M. A. Khan, A. O. Orlov, G. L. Snider, M. S. Shur, Appl. Phys. Lett. 72, 707 (1998).
58. L. Hsu, W. Walukiewicz, J. Appl. Phys. 89, 1783 (2001).
59. D. Jena, I. Smorchkova, A. C. Gossard, U. K. Mishra, Phys. Stat. Solidi (b) 228, 617 (2001).
60. C. Skierbiszewski, Acta Physica Polonica A108, 635 (2005).
61. R. S. Balmer, K. P. Hilton, K. J. Nash, M. J. Uren, D. J. Wallis, D. Lee, A. Wells, M. Missous, and T. Martin, Semicond. Sci. Technol. 19, L65 (2004).
62. S. Keller, S. Heikman, L. Shen, I. P. Smorchkova, S. P. DenBaars, and U. K. Mishra, Appl. Phys. Lett. 80, 4387 (2002).
63. S. Einfeldt, V. Kirchner, H. Heinke, M. Dießelberg, S. Figge, K. Vogeler, and D. Hommel, J. Appl. Phys. 88, 7029 (2000).
64. P. B. Klein and S. C. Binari, J. Phys.: Condesed Matter 15, R1641 (2003).
65. G. Simin, X. Hu, A. Tarakji, J. Zhang, A. Koudymov, S. Saygi, J. Yang, A. Khan, M. S. Shur, and R. Gaska, Jpn. J. Appl. Phys. 40, L1142 (2001).
66. X. Hu, J. Deng, N. Pala, R. Gaska, M. S. Shur, C. Q. Chen, J. Yang, G. Simin, M. A. Khan, J. C. Rojo, and L. J. Schowalter, Appl. Phys. Lett. 82, 1299 (2003).
67. C. Q. Chen, J. P. Zhang, V. Adivarahan, A. Koudymov, H. Fatima, G. Simin, J. Yang, and M. Asif Khan, Appl. Phys. Lett. 82, 4593 (2003).
68. M. Neuburger, I. Daumiller, M. Kunze, T. Zimmermann, B. Jogai, J. van Nostrand, J. Sewell, T. Jenkins, A. Dadgar, A. Krost, and E. Kohn, Phys. Stat. Solidi (c) 0, 86 (2002).
69. V. F. Mymrin, K. A. Bulashevich, N. I. Podolskaya, and S. Yu. Karpov, J. Cryst. Growth 281, 115 (2005).
70. R. Dimitrov, A. Mitchell, L. Wittmer, O. Ambacher, M. Stuztmann, J. Hilsenbeck, and W. Rieger, Jpn. J. Appl. Phys. 38, 4962 (1999).
71. V. G. Mokerov, L. E. Velikovskii, Z. T. Kanametova, V. E. Kaminskii, P. V. Sazonov, J. Graul, O. Semchinova, in Gallium Arsenide applications symposium, (Munich 2003), p. 17.