Effect of polarization fields on transport properties in AlGaN/GaN heterostructures

Journal of Applied Physics

Volumn 89, Issue 3, 2001, Pages 1783-1789

  Hsu, L ^a   Walukiewicz, W ^b  

^a CARNEGIE MELLON UNIVERSITY   (United States)

^b LAWRENCE BERKELEY NATIONAL LABORATORY   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0000620946     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1339858     Document Type: Article

References (31)

1. M. A. Kahn, J. N. Kuznia, D. T. Olson, W. J. Schaff, J. W. Burm, and M. S. Shur, Appl. Phys. Lett. 65, 1121 (1994).
2. U. K. Mishra, Y.-F. Wu, B. K. Keller, and S. P. DenBaars, IEEE Trans. Microwave Theory Tech. 46, 756 (1998).
3. S. C. Binari, J. M. Redwing, G. Kelner, and W. Kruppa, Electron. Lett. 33, 242 (1997).
4. J. M. Redwing, M. A. Tischler, J. S. Flynn, S. Elhamori, M. Ahoujja, R. S. Newrock, and W. C. Mitchel, Appl. Phys. Lett. 69, 963 (1996).
5. R. Gaska, J. W. Yang, A. Osinski, Q. Chen, M. A. Kahn, A. O. Orlov, L. Snider, and M. S. Shur, Appl. Phys. Lett. 72, 707 (1998).
6. E. T. Yu, G. J. Sullivan, P. M. Asbeck, C. D. Wang, D. Qiao, and S. S. Lau, Appl. Phys. Lett. 71, 2794 (1997).
7. I. P. Smorchkova et al., J. Appl. Phys. 86, 4520 (1999).
8. L. Hsu and W. Walukiewicz, Appl. Phys. Lett. 73, 339 (1998).
9. S. Keller, G. Parish, P. T. Fini, S. Heikman, C. Chen, N. Zhang, S. P. DenBaars, U. K. Mishra, and Y.-F. Wu, J. Appl. Phys. 86, 5850 (1999).
10. E. T. Yu, X. Z. Dang, P. M. Asbeck, S. S. Lau, and G. J. Sullivan, J. Vac. Sci. Technol. B 17, 1742 (1999).
11. M. S. Shur, A. D. Bykhovsky, and R. Gaska, Solid-State Electron. 44, 205 (2000).
12. P. M. Asbeck, E. T. Yu, S. S. Lau, W. Sun, X. Dang, and C. Shi, Solid-State Electron. 44, 211 (2000).
13. R. Oberhuber, G. Zandler, and P. Vogl, Appl. Phys. Lett. 73, 818 (1998).
14. N. Maeda, T. Nishida, N. Kobayashi, and M. Tomizawa, Appl. Phys. Lett. 73, 1856 (1998).
15. W. Walukiewicz, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 148, 137 (1989).
16. A. C. Schmitz, A. T. Ping, M. A. Khan, Q. Chen, J. W. Yang, and I. Adesida, J. Electron. Mater. 27, 255 (1998).
17. S. Arulkumaran, T. Egawa, G.-Y. Zhao, H. Ishikawa, T. Jimbo, and M. Umeno, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 39, L351 (2000).
18. W. Walukiewicz, J. Vac. Sci. Technol. B 6, 1257 (1988).
19. W. Walukiewicz, Appl. Phys. Lett. 54, 2094 (1989).
20. G. Martin, A. Botchkarev, A. Rockett, and H. Morkoc, Appl. Phys. Lett. 68, 2541 (1996).
21. J. Bauer, K. Maier, M. Kunzer, U. Kaufmann, and J. Schneider, Appl. Phys. Lett. 65, 2211 (1994).
22. F. Bernardini, V. Fiorentini, and D. Vanderbilt, Phys. Rev. B 56, 10024 (1997).
23. S.-H. Park and S.-L. Chuang, Appl. Phys. Lett. 76, 1981 (2000).
24. W. Walukiewicz, H. E. Ruda, J. Lagowski, and H. C. Gatos, Phys. Rev. B 30, 4571 (1984).
25. L. Hsu and W. Walukiewicz, Phys. Rev. B 56, 1520 (1997).
26. D. Jena, A. C. Gossard, and U. K. Mishra J. Appl. Phys. 88, 4734 (2000).
27. See, e.g., W. Walukiewicz, in Semiconductor Interfaces and Microstructures, edited by Z. C. Feng (World Scientific, Singapore, 1992), Chap. 1, p. 1.
28. D. K. Ferry, Semiconductors (Macmillan, New York, 1991).
29. Y. Zhang, I. P. Smorchkova, C. R. Elsass, S. Keller, J. P. Ibbetson, S. Denbaars, U. K. Mishra, and J. Singh, J. Appl. Phys. 87, 7981 (2000).
30. I. P. Smorchkova (private communication).
31. W. Walukiewicz, Phys. Rev. B 37, 8530 (1988).