AlGaN/GaN/AlGaN double heterostructure for high-power III-N field-effect transistors

Applied Physics Letters

Volumn 82, Issue 25, 2003, Pages 4593-4595

  Chen, C Q ^a   Zhang, J P ^a   Adivarahan, V ^a   Koudymov, A ^a   Fatima, H ^a   Simin, G ^a   Yang, J ^a   Asif Khan, M ^a  

^a University of South Carolina   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

FIELD EFFECT TRANSISTORS; GALLIUM NITRIDE; SEMICONDUCTING ALUMINUM COMPOUNDS; SILICON CARBIDE; SUBSTRATES;

ELECTRON CONFINEMENT;

HETEROJUNCTIONS;

EID: 0038383104     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1587274     Document Type: Article

References (14)

1. G. Simin, X. Hu, A. Tarakji, J. Zhang, A. Koudymov, S. Saygi, J. Yang, M. Asif Khan, M. Shur, and R. Gaska, Jpn. J. Appl. Phys. 40, L1142 (2001).
2. S. Imanaga and H. Kawai, J. Appl. Phys. 82, 5843 (1997).
3. N. Maeda, T. Saitoh, K. Tsubaki, T. Nishida, and N. Kobayashi, Jpn. J. Appl. Phys. 38, L987 (1999).
4. C. Chen, J. Yang, M. Ryu, J. Zhang, E. Kuokstis, G. Simin, and M. Asif Khan, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 41, 1924 (2002).
5. H. Wang, J. Zhang, C. Chen, Q. Fareed, J. Yang, and M. Asif Khan, Appl. Phys. Lett. 81, 604 (2002).
6. J. P. Zhang, H. M. Wang, M. E. Gaevski, C. Q. Chen, Q. Fareed, J. W. Yang, G. Simin, and M. Asif Khan, Appl. Phys. Lett. 80, 3542 (2002).
7. O. Ambacher, J. Smart, J. R. Shealy, N. G. Weimann, K. Chu, M. Murphy, W. J. Schalf, L. F. Eastman, R. Dimitrov, L. Wittmer, M. Stutzmann, W. Rieger, and J. Hilsenbeck, J. Appl. Phys. 85, 3222 (1999).
8. N. Maeda, K. Tsubaki, T. Saitoh, T. Tawara, and N. Kobayashi, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 743, L.9.3.1 (2003).
9. P. A. Ivanov, M. E. Levinshtein, G. Simin, X. Hu, J. Yang, M. Asif Khan,S. L. Rumyantsev, M. S. Shur, and R. Gaska, Electron. Lett. 37, 1479 (2001).
10. R. Oberhuber, G. Zandler, and P. Vogl, Appl. Phys. Lett. 73, 818 (1998).
11. N. G. Weimann, L. F. Eastman, D. Doppalapudi, H. M. Ng, and T. D. Maustakus, J. Appl. Phys. 83, 3656 (1998).
12. T. Ando, A. B. Fowler, and F. Stern, Rev. Mod. Phys. 54, 437 (1982).
13. R. Gaska, M. S. Shur, A. D. Bykhovski, A. O. Orlov, and G. L. Snider, Appl. Phys. Lett. 74, 287 (1999).
14. X. Z. Dang, P. M. Asbeck, E. T. Yu, G. J. Sullivan, M. Y. Chen, B. T. McDermott, K. S. Boutros, and J. M. Redwing, Appl. Phys. Lett. 74, 3890 (1999).