Plasma-enhanced chemical vapor deposition of aluminum oxide using ultrashort precursor injection pulses

Plasma Processes and Polymers

Volumn 9, Issue 8, 2012, Pages 761-771

  Dingemans, G ^a   Van De Sanden, M C M ^a   Kessels, W M M ^a  

^a EINDHOVEN UNIVERSITY OF TECHNOLOGY   (Netherlands)

Author keywords

modulated discharges; plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD); process control; surface passivation; thin films

Indexed keywords

ALUMINUM OXIDE THIN FILMS; ALUMINUM OXIDES; ATOMIC LAYER DEPOSITED; DEPOSITION PROCESS; FILM GROWTH MECHANISM; FILM PROPERTIES; HIGH QUALITY; IMPURITY CONTENT; IN-SITU; INTERFACE QUALITY; MATERIAL PROPERTY; OPTIMIZED PROCESS; PLASMA-SURFACE INTERACTIONS; PRECURSOR FLOW; PRECURSOR INJECTION; SURFACE PASSIVATION; SURFACE RECOMBINATION VELOCITIES; TIME INTERVAL; UNIQUE FEATURES;

ATOMIC LAYER DEPOSITION; ELECTRIC DISCHARGES; FILM GROWTH; OXIDES; PLASMA ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; PLASMA INTERACTIONS; PROCESS CONTROL; REFRACTIVE INDEX; THIN FILMS; VAPOR DEPOSITION; VAPORS;

INTERFACES (MATERIALS);

EID: 84864866310     PISSN: 16128850     EISSN: 16128869     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/ppap.201100196     Document Type: Article

References (63)

1. E. Langereis, M. Creatore, S. B. S. Heil, M. C. M. van de Sanden, W. M. M. Kessels, Appl. Phys. Lett. 2006, 89, 081915.
2. S.-H. K. Park, J. Oh, C.-S. Hwang, J.-I. Lee, Y. S. Yang, H. Y. Chu, Electrochem. Solid-State Lett. 2005, 8, H21.
3. M. D. Groner, S. M. George, R. S. McLean, P. F. Carcia, Appl. Phys. Lett. 2006, 88, 051907.
4. R. Matero, M. Ritala, M. Leskelä, T. Salo, J. Aromaa, O. Forsén, J. Phys. IV 1999, 9, Pr8-493.
5. S. E. Potts, L. Schmalz, M. Fenker, B. Díaz, J. Światowska, V. Maurice, A. Seyeux, P. Marcus, G. Radnõczi, L. Tõth, W. M. M. Kessels, J. Electrochem. Soc. 2011, 158, C132.
6. L. Martinu, D. Poitras, J. Vac. Sci. Technol., A 2000, 18, 2619.
7. C. E. Chryssou, C. W. Pitt, IEEE J. Quantum Electron. 1998, 34, 282.
8. G. N. van den Hoven, R. J. I. M. Koper, A. Polman, C. van Dam, J. W. M. van Uffelen, M. K. Smit, Appl. Phys. Lett. 1996, 68, 1886.
9. L. Agazzi, J. D. B. Bradley, M. Dijkstra, F. Ay, G. Roelkens, R. Baets, K. Wörhoff, M. Pollnau, Opt. Express 2010, 18, 27703.
10. J. Robertson, Solid-State Electron. 2005, 49, 283.
11. G. D. Wilk, R. M. Wallace, J. M. Anthony, J. Appl. Phys. 2001, 89, 5243.
12. R. Hezel, K. Jaeger, J. Electrochem. Soc. 1989, 136, 2.
13. B. Hoex, S. B. S. Heil, E. Langereis, M. C. M. van de Sanden, W. M. M. Kessels, Appl. Phys. Lett. 2006, 89, 042112.
14. G. Agostinelli, A. Delabie, P. Vitanov, Z. Alexieva, H. F. W. Dekkers, S. De Wolf, G. Beaucarne, Sol. Energy Mater. Sol. Cells 2006, 90, 3438.
15. J. Benick, B. Hoex, M. C. M. van de Sanden, W. M. M. Kessels, O. Schultz, S. W. Glunz, Appl. Phys. Lett. 2008, 92, 253504.
16. G. Dingemans, R. Seguin, P. Engelhart, M. C. M. van de Sanden, W. M. M. Kessels, Phys. Status Solidi RRL 2010, 4, 10.
17. T.-T. Li, A. Cuevas, Phys. Status Solidi RRL 2009, 3, 160.
18. P. Saint-Cast, D. Kania, M. Hofmann, J. Benick, J. Rentsch, R. Preu, Appl. Phys. Lett. 2009, 95, 151502.
19. G. Dingemans, M. C. M. van de Sanden, W. M. M. Kessels, Electrochem. Solid-State Lett. 2010, 13, H76.
20. S. Miyajima, J. Irikawa, A. Yamada, M. Konagai, Appl. Phys. Express 2010, 3, 012301.
21. S. Schiller, K. Goedicke, J. Reschke, V. Kirchhoff, S. Schneider, F. Milde, Surf. Coat. Technol. 1993, 61, 331.
22. W. Koh, S.-J. Ku, Y. Kim, Thin Solid Films 1997, 304, 222.
23. A. N. Gleizes, C. Vahlas, M. M. Sovar, D. Samélor, M. C. Lafont, Chem. Vap. Deposition 2007, 13, 23.
24. Y. Catherine, A. Talebian, J. Electron. Mater. 1988, 17, 127.
25. J. Patscheider, S. Veprek, Plasma Chem. Plasma Proc. 1992, 12, 129.
26. C. E. Chryssou, C. W. Pitt, Appl. Phys. A 1997, 65, 469.
27. C. Cibert, H. Hidalgo, C. Champeaux, P. Tristant, C. Tixier, J. Desmaison, A. Catherinot, Thin Solid Films 2008, 516, 1290.
28. I. Volintiru, M. Creatore, J. L. van Hemmen, M. C. M. de Sanden, Plasma Process. Polym. 2008, 5, 645.
29. R. S. Johnson, G. Lucovsky, I. Baumvol, J. Vac. Sci. Technol., A 2001, 19, 1353.
30. Y. Li, S. Shimada, A. Hirose, Chem. Vap. Deposition 2006, 12, 255.
31. Y.-W. Zhao, H. Suhr, Appl. Phys. A 1992, 55, 176.
32. Y. C. Kim, H. H. Park, J. S. Chun, W. J. Lee, Thin Solid Films 1994, 237, 57.
33. A. H. Bailey, D. A. Darbyshire, A. P. Overbury, C. W. Pitt, J. Newton, Vacuum 1986, 36, 139.
34. R. L. Puurunen, J. Appl. Phys. 2005, 97, 121301.
35. J. L. van Hemmen, S. B. S. Heil, J. H. Klootwijk, F. Roozeboom, C. J. Hodson, M. C. M. van de Sanden, W. M. M. Kessels, J. Electrochem. Soc. 2007, 154, G165.
36. S. M. George, Chem. Rev. 2010, 110, 111.
37. H. B. Profijt, S. E. Potts, M. C. M. van de Sanden, W. M. M. Kessels, J. Vac. Sci. Technol., A 2011, 29, 050801.
38. M. D. Groner, F. H. Fabreguette, J. W. Elam, S. M. George, Chem. Mater. 2004, 16, 639.
39. J. W. Lim, S. J. Yun, Electrochem. Solid-State. Lett. 2004, 7, F45.
40. S. D. Elliott, G. Scarel, C. Wiemer, M. Fanciulli, G. Pavia, Chem. Mater. 2006, 18, 3764.
41. S. K. Kim, S. W. Lee, C. S. Hwang, Y.-S. Min, J. Y. Won, J. Jong, J. Electrochem. Soc. 2006, 153, F69.
42. S. J. Yun, K.-H. Lee, J. Skarp, H.-R. Kim, K.-S. Nam, J. Vac. Sci. Technol., A 1997, 15, 2993.
43. S. F. Szymanski, M. T. Seman, C. A. Wolden, Surf. Coat. Technol. 2007, 201, 8991.
44. S. F. Szymanski, P. Rowlette, C. A. Wolden, J. Vac. Sci. Technol., A 2008, 26, 4.
45. P. Poodt, A. Lankhorst, F. Roozeboom, K. Spee, D. Maas, A. Vermeer, Adv. Mater. 2010, 22, 3564.
46. E. H. A. Granneman, P. Vermont, V. Kuznetsov, M. Coolen, K. Vanormelingen, Proceedings of the 25th European Photovoltaic Conference, Valencia, Spain 2010.
47. M. Schumacher, P. K. Baumann, T. Seidel, Chem. Vap. Deposition 2006, 12, 99.
48. P. R. Chalker, R. J. Potter, J. L. Roberts, A. C. Jones, L. M. Smith, M. Schumacher, J. Crystal Growth 2004, 272, 778.
49. E. Langereis, J. Keijmel, M. C. M. van de Sanden, W. M. M. Kessels, Appl. Phys. Lett. 2008, 92, 231904.
50. B. Hoex, J. J. H. Gielis, M. C. M. van de Sanden, W. M. M. Kessels, J. Appl. Phys. 2008, 104, 113703.
51. T. Gougousi, D. Barua, E. D. Young, G. N. Parsons, Chem. Mater. 2005, 17, 5093.
52. M. F. A. M. van Hest, A. Klaver, D. C. Schram, M. C. M. van de Sanden, Thin Solid Films 2004, 449, 40.
53. S. B. S. Heil, J. L. van Hemmen, M. C. M. van de Sanden, W. M. M. Kessels, J. Appl. Phys. 2008, 103, 103302.
54. M. T. Seman, D. N. Richard, P. Rowlette, C. A. Wolden, Chem. Vap. Deposition 2008, 14, 296.
55. O. Vetterl, P. Hapke, L. Houben, F. Finger, R. Carius, H. Wagner, J. Appl. Phys. 1999, 85, 2991.
56. P. Saint-Cast, J. Benick, D. Kania, L. Weiss, M. Hofmann, J. Rentsch, R. Preu, S. W. Glunz, IEEE Electron Devices Lett. 2010, 31, 695.
57. S. Gatz, H. Hannebauer, R. Hesse, F. Werner, A. Schmidt, Th. Dullweber, J. Schmidt, K. Bothe, R. Brendel, Phys. Status Solidi RRL 2011, 5, 147.
58. G. Dingemans, N. M. Terlinden, D. Pierreux, H. B. Profijt, M. C. M. van de Sanden, W. M. M. Kessels, Electrochem. Solid-State Lett. 2011, 14, H1.
59. G. Dingemans, P. Engelhart, R. Seguin, F. Einsele, B. Hoex, M. C. M. van de Sanden, W. M. M. Kessels, J. Appl. Phys. 2009, 106, 114907.
60. J. Benick, A. Richter, M. Hermle, S. W. Glunz, Phys. Status Solidi RRL 2009, 3, 233.
61. J. Schmidt, B. Veith, R. Brendel, Phys. Status Solidi RRL 2009, 3, 287.
62. G. Dingemans, A. Clark, J. A. van Delft, M. C. M. van de Sanden, W. M. M. Kessels, J. Appl. Phys. 2011, 109, 113107.
63. M. C. M. van de Sanden, R. J. Severens, W. M. M. Kessels, R. F. G. Meulenbroeks, D. C. Schram, J. Appl. Phys. 1998, 84, 2426.