ALD and MOCVD of Ga2O3 thin films using the new Ga precursor dimethylgallium isopropoxide, Me2GaOiPr

Chemical Vapor Deposition

Volumn 17, Issue 7-9, 2011, Pages 191-197

  Lee, Heeju ^a   Kim, Kunhee ^a   Woo, Jeong Jun ^a   Jun, Doo Jin ^a   Park, Youngsoo ^a   Kim, Yunsoo ^a   Lee, Hong Won ^b   Cho, Yong Jai ^b   Cho, Hyun Mo ^b  

^a Korea University   (South Korea)

^b Korea Research Institute of Standards and Science   (South Korea)

Author keywords

Atomic layer deposition; Dimethylgallium isopropoxide; Gallium oxide; MOCVD; Thin films

Indexed keywords

ALUMINUM OXIDES; APPARENT ACTIVATION ENERGY; GALLIUM OXIDE; GALLIUM OXIDES; ISO-PROPOXIDE; METAL-ORGANIC; NEW SOURCES; OXYGEN SOURCES; REACTANT GAS; ROOM TEMPERATURE; TEMPERATURE RANGE; TEMPERATURE WINDOW;

ACTIVATION ENERGY; ATOMIC LAYER DEPOSITION; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; GALLIUM; METALLORGANIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; OXIDE FILMS; OXYGEN; THIN FILMS;

FILM PREPARATION;

EID: 80053176865     PISSN: 09481907     EISSN: 15213862     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/cvde.201106879     Document Type: Article

References (67)

1. M. Fleischer, H. Meixner, Sens. Actuators B 1992, 5, 115.
2. P. P. Macrì, S. Enzo, G. Sberveglieri, S. Groppelli, C. Perego, Appl. Surf. Sci. 1993, 65-66, 277.
3. M. Ogita, K. Higo, Y. Nakanishi, Y. Hatanaka, Appl. Surf. Sci. 2001, 175-176, 721.
4. M. Ogita, S. Yuasa, K. Kobayashi, Y. Yamada, Y. Nakanishi, Y. Hatanaka, Appl. Surf. Sci. 2003, 212-213, 397.
5. Y. Li, A. Trinchi, W. Wlodarski, K. Galatsis, K. Kalantar-zadeh, Sens. Actuators B 2003, 93, 431.
6. C. Baban, Y. Toyoda, M. Ogita, J. Optoelectron. Adv. Mater. 2005, 7, 891.
7. M. Bartic, Y. Toyoda, C.-I. Baban, M. Ogita, Jpn. J. Appl. Phys. 2006, 45, 5186.
8. M. Bartic, M. Ogita, M. Isai, C.-L. Baban, H. Suzuki, J. Appl. Phys. 2007, 102, 023709.
9. M. Fleischer, J. Giber, H. Meixner, Appl. Phys. A 1992, 54, 560.
10. F. Réti, M. Fleischer, I. V. Perczel, H. Meixner, J. Giber, Sens. Actuators B 1996, 34, 378.
11. M. Fleischer, H. Meixner, J. Vac. Sci. Technol. A 1999, 17, 1866.
12. M. Fleischer, S. Kornely, T. Weh, J. Frank, H. Meixner, Sens. Actuators B 2000, 69, 205.
13. M. R. Mohammadi, D. J. Fray, Acta Mater. 2007, 55, 4455.
14. M. Taniguchi, T. Murakawa, Y. Kajitani, Appl. Surf. Sci. 1992, 56-58, 827.
15. M. Passlack, N. E. J. Hunt, E. F. Schubert, G. J. Zydzik, M. Hong, J. P. Mannaerts, R. L. Opila, R. J. Fischer, Appl. Phys. Lett. 1994, 64, 2715.
16. M. Passlack, E. F. Schubert, W. S. Hobson, M. Hong, N. Moriya, S. N. G. Chu, K. Konstadinidis, J. P. Mannaerts, M. L. Schnoes, G. J. Zydzik, J. Appl. Phys. 1995, 77, 686.
17. N. C. Oldham, C. J. Hill, C. M. Garland, T. C. McGill, J. Vac. Sci. Technol. A 2002, 20, 809.
18. G. W. Paterson, J. A. Wilson, D. Morana, R. Hill, A. R. Long, I. Thayne, M. Passlack, R. Droopad, Mater. Sci. Eng. B 2006, 135, 277.
19. R. Therrien, G. Lucovsky, R. F. Davis, Phys. Status Solidi A 1999, 176, 793.
20. C.-T. Lee, H.-W. Chen, H.-Y. Lee, Appl. Phys. Lett. 2003, 82, 4304.
21. S. Pal, S. K. Ray, B. R. Chakraborty, S. K. Lahiri, D. N. Bose, J. Appl. Phys. 2001, 90, 4103.
22. M. Haneda, Y. Kintaichi, T. Mizushima, N. Kakuta, H. Hamada, Appl. Catal. B 2001, 31, 81.
23. Y. Hou, L. Wu, X. Wang, Z. Ding, Z. Li, X. Fu, J. Catal. 2007, 250, 12.
24. T. Minami, T. Shirai, T. Nakatani, T. Miyata, Jpn. J. Appl. Phys. 2000, 39, L524.
25. J. H. Kim, P. H. Holloway, J. Vac. Sci. Technol. A 2002, 20, 928.
26. P. Wellenius, A. Suresh, J. F. Muth, Appl. Phys. Lett. 2008, 92, 021111.
27. T. Miyata, T. Nakatani, T. Minami, J. Lumin. 2000, 87-89, 1183.
28. J. F. Muth, P. Gollakota, A. Dhawan, H. L. Porter, Y. N. Saripalli, L. M. Lunardi, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 2005, 866, V6.2.1.
29. Z. Li, C. de Groot, J. H. Moodera, Appl. Phys. Lett. 2000, 77, 3630.
30. M. Orita, H. Ohta, M. Hirano, H. Hosono, Appl. Phys. Lett. 2000, 77, 4166.
31. M. Orita, H. Hiramatsu, H. Ohta, M. Hirano, H. Hosono, Thin Solid Films 2002, 411, 134.
32. E. G. Víllora, K. Shimamura, K. Kitamura, K. Aoki, Appl. Phys. Lett. 2006, 88, 031105.
33. K. Matsuzaki, H. Yanagi, T. Kamiya, H. Hiramatsu, K. Nomura, M. Hirano, H. Hosono, Appl. Phys. Lett. 2006, 88, 092106.
34. K. Matsuzaki, H. Hiramatsu, K. Nomura, H. Yanagi, T. Kamiya, M. Hirano, H. Hosono, Thin Solid Films 2006, 496, 37.
35. T. Oshima, T. Okuno, S. Fujita, Jpn. J. Appl. Phys. 2007, 46, 7217.
36. L. Nagarajan, R. A. de Souza, D. Samuelis, I. Valov, A. Börger, J. Janek, K.-D. Becker, P. C. Schmidt, M. Martin, Nature Mater. 2008, 7, 391.
37. T. Minami, MRS Bull. 2000, 25, 38.
38. G. A. Battiston, R. Gerbasi, M. Porchia, R. Bertoncello, F. Caccavale, Thin Solid Films 1996, 279, 115.
39. L. Mîinea, S. Suh, S. G. Bott, J.-R. Liu, W.-K. Chu, D. M. Hoffman, J. Mater. Chem. 1999, 9, 929.
40. M. Valet, D. M. Hoffman, Chem. Mater. 2001, 13, 2135.
41. D. H. Kim, S. H. Yoo, T.-M. Chung, K.-S. An, H.-S. Yoo, Y. Kim, Bull. Korean Chem. Soc. 2002, 23, 225.
42. R. Binions, C. J. Carmalt, I. P. Parkin, K. F. E. Pratt, G. A. Shaw, Chem. Mater. 2004, 16, 2489.
43. H. W. Kim, N. H. Kim, Mater. Sci. Eng. B 2004, 110, 34.
44. H. W. Kim, N. H. Kim, Appl. Surf. Sci. 2004, 230, 301.
45. N. H. Kim, H. W. Kim, C. Seoul, C. Lee, Mater. Sci. Eng. B 2004, 111, 131.
46. S. Basharat, C. J. Carmalt, R. Binions, R. Palgrave, I. P. Parkin, Dalton Trans. 2008, 591.
47. M. Hellwig, K. Xu, D. Barreca, A. Gasparotto, M. Winter, E. Tondello, R. A. Fischer, A. Devi, Eur. J. Inorg. Chem. 2009, 1110.
48. M. Nieminen, L. Niinistö, E. Rauhala, J. Mater. Chem. 1996, 6, 27.
49. S.-A. Lee, J.-Y. Hwang, J.-P. Kim, C.-R. Cho, W.-J. Lee, S.-Y. Jeong, J. Korean Phys. Soc. 2005, 47, S292.
50. C. L. Dezelah, IV, J. Niinistö, K. Arstila, L. Niinistö, C. H. Winter, Chem. Mater. 2006, 18, 471.
51. F. K. Shan, G. X. Liu, W. J. Lee, G. H. Lee, I. S. Kim, B. C. Shin, Integr. Ferroelectr. 2006, 80, 197.
52. G. X. Liu, F. K. Shan, J. J. Park, W. J. Lee, G. H. Lee, I. S. Kim, B. C. Shin, S. G. Yoon, J. Electroceram. 2006, 17, 145.
53. V. Gottschalch, K. Mergenthaler, G. Wagner, J. Bauer, H. Paetzelt, C. Sturm, U. Teschner, Phys. Status Solidi A 2009, 206, 243.
54. A. Ortiz, J. C. Alonso, E. Andrade, C. Urbiola, J. Electrochem. Soc. 2001, 148, F26.
55. J. Hao, M. Cocivera, J. Phys. D 2002, 35, 433.
56. B. Ballarin, G. A. Battiston, F. Benetollo, R. Gerbasi, M. Porchia, D. Favretto, P. Traldi, Inorg. Chim. Acta 1994, 217, 71.
57. C. E. Knapp, C. J. Carmalt, P. E. McMillan, D. A. Wann, H. E. Robertson, D. W. H. Rankin, Dalton Trans. 2008, 6880.
58. S. J. Rettig, A. Storr, J. Trotter, Can. J. Chem. 1975, 53, 58.
59. W. Koh, S.-J. Ku, Y. Kim, Thin Solid Films 1997, 304, 222.
60. D. Barreca, G. A. Battiston, R. Gerbasi, E. Tondello, J. Mater. Chem. 2000, 10, 2127.
61. G. A. Battiston, R. Gerbasi, Chem. Vap. Deposition 2002, 8, 193.
62. W. Cho, K. Sung, K.-S. An, S. S. Lee, T.-M. Chung, Y. Kim, J. Vac. Sci. Technol. A 2003, 21, 1366.
63. K.-S. An, W. Cho, K. Sung, S. S. Lee, Y. Kim, Bull. Korean Chem. Soc. 2003, 24, 1659.
64. C. G. Kim, W. Koh, S.-J. Ku, E. J. Nah, K.-S. Yu, Y. Kim, J. Phys. IV 1999, 9, Pr8-853.
65. H. Lee, K. Kim, J.-J. Woo, D.-J. Jun, Y. Park, Y. Kim, H. W. Lee, Y. J. Cho, H. M. Cho, ECS Trans. 2009, 25, 587.
66. H. J. Lee, H. J. Jung, Y. Kim, Presentation No. WedA1b-4, 8th Int. Conf. Atomic Layer Deposition (ALD 2008), June 29-July 2, 2008, Bruges, Belgium
67. J.F. Moulder, W.F. Stickle, P.E. Sobol, K.D. Bomben, in Handbook of X-ray Photoelectron Spectroscopy (Eds:, J. Chastain, R. C. King Jr.,), pp. 90-91, Physical Electronics, Inc. Eden Prairie 1995.